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双向负阻晶体管动态伏安特性的实验研究
1
作者
周旋
高广和
《电子科学学刊》
CSCD
1991年第3期327-331,共5页
本文研究了双向负阻晶体管(Bidirectional Negative Resistance Transistor,简称BNRT)在张弛振荡电路中的动态伏安特性。借助动态伏安特性对BNRT张弛振荡电路的一些性质进行了分析。实验结果与计算结果一致。本文还对改进器件结构的设计...
本文研究了双向负阻晶体管(Bidirectional Negative Resistance Transistor,简称BNRT)在张弛振荡电路中的动态伏安特性。借助动态伏安特性对BNRT张弛振荡电路的一些性质进行了分析。实验结果与计算结果一致。本文还对改进器件结构的设计,以便使器件达到更高的振荡频率提供了理论依据。
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关键词
负阻晶体和
张弛振荡器
伏安特性
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职称材料
题名
双向负阻晶体管动态伏安特性的实验研究
1
作者
周旋
高广和
机构
中国科
学院
半导体
研究
所
华北电力学院研究生院
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1991年第3期327-331,共5页
文摘
本文研究了双向负阻晶体管(Bidirectional Negative Resistance Transistor,简称BNRT)在张弛振荡电路中的动态伏安特性。借助动态伏安特性对BNRT张弛振荡电路的一些性质进行了分析。实验结果与计算结果一致。本文还对改进器件结构的设计,以便使器件达到更高的振荡频率提供了理论依据。
关键词
负阻晶体和
张弛振荡器
伏安特性
Keywords
Semiconductor devices
Negative resistance device
Relaxation oscillator
分类号
TN321.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双向负阻晶体管动态伏安特性的实验研究
周旋
高广和
《电子科学学刊》
CSCD
1991
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