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沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究被引量：4: 1; 作者张满红邹其峰《现代电子技术》北大核心 2018年第14期5-9,共5页; 沟槽式FS-IGBT是当前IGBT中最为先进的结构,它结合PT-IGBT和NPT-IGBT各自的优点,具有较薄的N-区以及FS场截止层,能够使导通压降更低并且可以有效减少关断时间和关断损耗。主要通过仿真软件Sentaurus TCAD对FS-IGBT进行工艺与电学特性仿... 展开更多; 关键词 FS-IGBT Sentaurus TCAD 结构仿真电学特性性能影响导通电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

焊层空洞对IGBT芯片温度的影响被引量：2: 2; 作者郝建红苏立昌《现代电子技术》北大核心 2018年第3期151-156,共6页; 焊层空洞是造成IGBT模块散热不良的主要因素,基于IGBT的七层结构,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型并对其进行热分析,研究焊层空洞对IGBT芯片温度的影响。对比了有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析了空洞类型、空洞大小... 展开更多; 关键词焊层空洞 IGBT模块有限元芯片焊层热分析芯片温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚阈值状态下MOSFET二维双区和单区静电势模型的比较: 3; 作者张满红袁至衡《现代电子技术》北大核心 2017年第10期128-132,137,共6页; 定义一个平均误差,该误差可以估算求解MOSFETs二维双区和单区静电势模型电势分布所用源漏端边界条件的偏差情况。首先根据长沟道模型近似确定衬底耗尽层厚度,通过平均误差计算发现双区模型最大源漏偏差远小于0.06 V,而单区模型相应的源... 展开更多; 关键词单区模型双区模型特征函数边界条件平均误差; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于gm/I_D参数的运算放大器设计方法: 4; 作者韩志敏张满红《数字技术与应用》 2019年第12期164-164,166,共2页; 介绍一种基于gm/I_D参数的模拟集成电路设计优化方法,通过建立gm/I_D参数与栅源电压和标准化电流查找表,能够快速确定器件参数,简化计算,缩短设计周期。与传统设计方法相比具有适用于MOS管所有工作区域、满足低功耗要求等优点。基于Cade... 展开更多; 关键词运算放大器跨导电流比标准化电流厄利电压模拟集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究被引量：4: 1; 作者张满红邹其峰; 机构华北电力大学现代电子科学研究所; 出处《现代电子技术》北大核心 2018年第14期5-9,共5页; 基金国家自然科学基金(61176080)~~; 文摘沟槽式FS-IGBT是当前IGBT中最为先进的结构,它结合PT-IGBT和NPT-IGBT各自的优点,具有较薄的N-区以及FS场截止层,能够使导通压降更低并且可以有效减少关断时间和关断损耗。主要通过仿真软件Sentaurus TCAD对FS-IGBT进行工艺与电学特性仿真,通过改变不同部分的参数,如栅极的长宽,N型漂移区的厚度,P-base区的注入剂量及能量等,研究对其性能的影响。结果表明栅极的长宽和漂移区厚度的增加会使BV变大,场截止层电阻率的增加会使导通电压变小,阈值电压会随着P-base区的注入剂量及能量的变大而变大。通过仿真结果得到了结构参数对器件性能的影响,为FS-IGBT的设计提供参考。; 关键词 FS-IGBT Sentaurus TCAD 结构仿真电学特性性能影响导通电压; Keywords FS-IGBT Sentaurus TCAD structure simulation electrical feature performance influence conductive voltage; 分类号 TN386-34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名焊层空洞对IGBT芯片温度的影响被引量：2: 2; 作者郝建红苏立昌; 机构华北电力大学现代电子科学研究所; 出处《现代电子技术》北大核心 2018年第3期151-156,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61372050)~~; 文摘焊层空洞是造成IGBT模块散热不良的主要因素,基于IGBT的七层结构,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型并对其进行热分析,研究焊层空洞对IGBT芯片温度的影响。对比了有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析了空洞类型、空洞大小、空洞形状、空洞数量及空洞分布对IGBT芯片温度分布的影响。研究结果表明:芯片焊层空洞对芯片温度的影响较大,衬板焊层空洞对芯片温度的影响较小;贯穿型空洞对芯片温度的影响要大于非贯穿型空洞;单个空洞越大,IGBT芯片温度越高;相同形状的空洞,处于边角位置比处于焊层内部对芯片温度影响大;多个空洞分布越集中,芯片温度越高;焊层缝隙对芯片温度的影响要小于空洞对芯片温度的影响。因此,在封装过程中应避免出现芯片焊层空洞,以提高IGBT的可靠性。; 关键词焊层空洞 IGBT模块有限元芯片焊层热分析芯片温度; Keywords solder void IGBT module finite element chip solder layer thermal analysis chip temperature; 分类号 TN32-34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚阈值状态下MOSFET二维双区和单区静电势模型的比较: 3; 作者张满红袁至衡; 机构华北电力大学现代电子科学研究所; 出处《现代电子技术》北大核心 2017年第10期128-132,137,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61176080); 文摘定义一个平均误差,该误差可以估算求解MOSFETs二维双区和单区静电势模型电势分布所用源漏端边界条件的偏差情况。首先根据长沟道模型近似确定衬底耗尽层厚度,通过平均误差计算发现双区模型最大源漏偏差远小于0.06 V,而单区模型相应的源漏偏差大于0.1 V。当器件沟道长度为亚微米级时,利用电压掺杂转换模型的耗尽层厚度计算方法对两种模型做出校正,双区电势模型在校正后的源漏条件偏差有明显的减小,单区模型的源漏偏差却会增大,尤其在短沟道以及衬底高掺杂浓度时误差较大。结果表明,双区静电势模型更为精准。; 关键词单区模型双区模型特征函数边界条件平均误差; Keywords single-region model dual-region model characteristic function boundary condition average error; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于gm/I_D参数的运算放大器设计方法: 4; 作者韩志敏张满红; 机构华北电力大学现代电子科学研究所; 出处《数字技术与应用》 2019年第12期164-164,166,共2页; 基金国家自然科学基金面上项目(61372050); 文摘介绍一种基于gm/I_D参数的模拟集成电路设计优化方法,通过建立gm/I_D参数与栅源电压和标准化电流查找表,能够快速确定器件参数,简化计算,缩短设计周期。与传统设计方法相比具有适用于MOS管所有工作区域、满足低功耗要求等优点。基于Cadence Spectre 0.5μm工艺对电路进行设计优化仿真,仿真结果表明,该方法进行的手工估算与仿真值的误差在可接受范围以内,达到设计要求。; 关键词运算放大器跨导电流比标准化电流厄利电压模拟集成电路; Keywords operational amplifier transconductance-current ratio the normalized current early voltage analog IC; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	沟槽式FS-IGBT各部分对其性能的影响研究	张满红邹其峰	《现代电子技术》北大核心	2018	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	焊层空洞对IGBT芯片温度的影响	郝建红苏立昌	《现代电子技术》北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	亚阈值状态下MOSFET二维双区和单区静电势模型的比较	张满红袁至衡	《现代电子技术》北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种基于gm/I_D参数的运算放大器设计方法	韩志敏张满红	《数字技术与应用》	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料