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不同溶剂下制备B_2O_3/SiO_2纳米复合材料对其室温磷光的影响
1
作者
庄贞静
肖丹
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期1661-1665,共5页
本文通过对比不同溶剂制备的B2O3/SiO2纳米复合材料室温磷光光谱,并结合FTIR及XRD的表征结果,研究溶剂对该材料磷光性能的影响。结果表明,不管用何种溶剂制备B2O3/SiO2室温磷光材料,均存在两个磷光发射峰,一个是位于520-540nm之间,该发...
本文通过对比不同溶剂制备的B2O3/SiO2纳米复合材料室温磷光光谱,并结合FTIR及XRD的表征结果,研究溶剂对该材料磷光性能的影响。结果表明,不管用何种溶剂制备B2O3/SiO2室温磷光材料,均存在两个磷光发射峰,一个是位于520-540nm之间,该发光可能是与氧化硼有关的二氧化硅杂质缺陷发光,另一个位于470-780nm处,该磷光峰推测是二氧化硅的结构缺陷发光。但是在制备过程中溶剂将影响氧化硼在二氧化硅结构中的掺杂,进而影响其发光中心的相对发光强度。
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关键词
室温磷光
二氧化硅
掺杂
硼
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职称材料
题名
不同溶剂下制备B_2O_3/SiO_2纳米复合材料对其室温磷光的影响
1
作者
庄贞静
肖丹
机构
华侨大学分子药物学研究院
四川
大学
化学学院
出处
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期1661-1665,共5页
基金
福建省自然科学基金(2010J05026)
文摘
本文通过对比不同溶剂制备的B2O3/SiO2纳米复合材料室温磷光光谱,并结合FTIR及XRD的表征结果,研究溶剂对该材料磷光性能的影响。结果表明,不管用何种溶剂制备B2O3/SiO2室温磷光材料,均存在两个磷光发射峰,一个是位于520-540nm之间,该发光可能是与氧化硼有关的二氧化硅杂质缺陷发光,另一个位于470-780nm处,该磷光峰推测是二氧化硅的结构缺陷发光。但是在制备过程中溶剂将影响氧化硼在二氧化硅结构中的掺杂,进而影响其发光中心的相对发光强度。
关键词
室温磷光
二氧化硅
掺杂
硼
Keywords
room-temperature phosphorescence
silica
doped
boron
分类号
O613.81 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同溶剂下制备B_2O_3/SiO_2纳米复合材料对其室温磷光的影响
庄贞静
肖丹
《化学研究与应用》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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