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题名量子点电容气敏效应研究及其传感器芯片设计
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作者
胡志响
唐艳婷
张文键
周伯文
李华曜
刘欢
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机构
华中科技大学集成电路学院武汉光电国家研究中心湖北光谷实验室
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出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第12期117-121,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61922032,62271222,61904062)
湖北省自然科学基金资助项目(2022CFA035)。
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文摘
量子点具有晶粒尺寸小、比表面积大、表面活性位点多的特点,是低维气敏材料领域的研究前沿。然而,受量子限域效应的制约,量子点薄膜电阻通常较高,影响气体传感器的实用性。本文以硫化铅量子点室温气敏材料为研究对象,在陶瓷衬底上制备出量子点薄膜,分别对其薄膜电阻与电容的气敏效应进行了测试与分析。研究结果表明:量子点薄膜电容同样具有室温二氧化氮(NO_(2))气敏效应。以此为基础,提出融合量子点电容气敏效应与晶体管原理的新型气体传感器芯片结构,将量子点薄膜平面电容通过串联的方式形成气敏栅并进行仿真分析,利用量子点薄膜电容随气体发生变化的敏感效应,将气—固界面的化学作用转换为晶体管沟道电流信号,具有高灵敏度、低功耗、高集成度的特点。研究结果可为实现半导体气体传感器芯片设计和晶圆级制造提供参考。
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关键词
半导体气体传感器
场效应晶体管
电容
仿真
敏感机理
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Keywords
semiconductor gas sensor
fieldeffect transistor
capacitance
simulation
sensitive mechanism
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分类号
TP212.2
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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