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金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展
被引量：
9
1
作者
周志刚
胡木林
李鄂胜
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期52-56,共5页
金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变...
金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变化的贡献;微裂纹的加剧使器件的电阻发生漂移,并且为水蒸气、氧气和待测气体扩散到敏感膜内部提供便捷的通道;电极的退化影响电极与气敏材料之间的接触电阻Rc;温度和湿度的改变使气体的吸附、脱附、反应活性和电子迁移率等都发生变化,因而器件的稳定性得不到保证。在机理分析的基础上,分别介绍了提高器件稳定性的方法。
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关键词
气敏传感器
金属氧化物半导体
稳定性
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职称材料
题名
金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展
被引量：
9
1
作者
周志刚
胡木林
李鄂胜
机构
华中科技大学纳米材料与智能传感器实验室
湖北开特汽车电子电器系统有限公司
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期52-56,共5页
基金
武汉市科技局产学研项目
文摘
金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器的稳定性是气敏器件实用化进程中最具有挑战性的因素。影响器件稳定性的主要因素包括颗粒尺寸、颈部宽度、微裂纹、电极、湿度和温度的变化。颗粒的长大和颗粒间颈部尺寸的变化降低了耗尽层对总电阻变化的贡献;微裂纹的加剧使器件的电阻发生漂移,并且为水蒸气、氧气和待测气体扩散到敏感膜内部提供便捷的通道;电极的退化影响电极与气敏材料之间的接触电阻Rc;温度和湿度的改变使气体的吸附、脱附、反应活性和电子迁移率等都发生变化,因而器件的稳定性得不到保证。在机理分析的基础上,分别介绍了提高器件稳定性的方法。
关键词
气敏传感器
金属氧化物半导体
稳定性
Keywords
gas sensor, metal-oxide-semiconductor, stability
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属氧化物半导体气敏传感器稳定性研究进展
周志刚
胡木林
李鄂胜
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
9
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