Linux操作系统调度器实时性能的研究和改进 被引量：9

1

作者 杜旭 胥海鹏 《计算机工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期100-102,共3页

Linux操作系统在嵌入式实时系统中得到了广泛的应用,有效地提高Linux有限的实时性能是一个重要问题,Linux内核调度器实时性能的改进又是其中的关键。该文分析了Linux操作系统调度器的工作机理,指出了影响其实时性能的原因,详细地描述了... Linux操作系统在嵌入式实时系统中得到了广泛的应用,有效地提高Linux有限的实时性能是一个重要问题,Linux内核调度器实时性能的改进又是其中的关键。该文分析了Linux操作系统调度器的工作机理,指出了影响其实时性能的原因,详细地描述了实时性改进的方案和实现,并给出了改进后的测量结果及评价。 展开更多

关键词 实时系统 Linux 调度器 调度延迟 可抢断内核

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纤铁矿型TiO_2纳米片层结构的稳定性与电子结构研究 被引量：2

2

作者 马新国 徐国旺 +4 位作者 黄楚云 王贝 宋振 倪晓宇 吕辉 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2017年第1期124-129,共6页

采用平面波超软赝势方法研究了纤铁矿型TiO_2纳米片层结构的稳定性和电子结构.结果显示该结构具有较高的稳定性,其带隙比锐钛矿型TiO_2要大0.59 e V,带隙内没有出现表面态.通过对空位缺陷形成能的比较,结果显示这在还原性气氛下纤铁矿型... 采用平面波超软赝势方法研究了纤铁矿型TiO_2纳米片层结构的稳定性和电子结构.结果显示该结构具有较高的稳定性,其带隙比锐钛矿型TiO_2要大0.59 e V,带隙内没有出现表面态.通过对空位缺陷形成能的比较,结果显示这在还原性气氛下纤铁矿型TiO_2纳米片层表面Ti空位的形成能明显低于O空位的形成能,确定出最容易出现的缺陷是-4价的Ti空位,该空位缺陷的出现会使带隙中产生表面缺陷态.与体相内缺陷不同,表面缺陷态可以促进电子和空穴的分离,这些发现可以合理的解释最近的实验结果 . 展开更多

关键词 光催化 二氧化钛 纤铁矿型 电子结构

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基于ISP1362的USB系统错误分析 被引量：2

3

作者 廖俊卿 杨晓非 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期279-281,共3页

以基于ISP1362的嵌入式USB主控系统为研究对象,从主机端的角度对USB系统的错误进行了初步的分析和探讨,并针对总结出的2类错误提出了一些解决方法:传输级纠错设计包括控制传输的纠错和批量传输的纠错;类协议纠错设计包括Recovery纠错、S... 以基于ISP1362的嵌入式USB主控系统为研究对象,从主机端的角度对USB系统的错误进行了初步的分析和探讨,并针对总结出的2类错误提出了一些解决方法:传输级纠错设计包括控制传输的纠错和批量传输的纠错;类协议纠错设计包括Recovery纠错、Sense Code处理和电器规则重启。 展开更多

关键词 ISP1362 海量存储类 有效数据 传输事务

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基于P-S系统的MOM模型研究 被引量：1

4

作者 冯江 王晓燕 +1 位作者 肖玲玲 邝先验 《计算机工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第16期100-101,146,共3页

提出了基于出版者-订阅者系统的面向消息的中间件模型,阐述了其运行机理、工作流程、数据格式、功能结构以及消息的具体传递过程,解决了相关的条件匹配、位置透明和容错能力等技术问题,并探讨了其多播一致性、传送优化性和安全防范性,... 提出了基于出版者-订阅者系统的面向消息的中间件模型,阐述了其运行机理、工作流程、数据格式、功能结构以及消息的具体传递过程,解决了相关的条件匹配、位置透明和容错能力等技术问题,并探讨了其多播一致性、传送优化性和安全防范性,从而彻底解除了消息发送方-接收方之间的耦合关系,并屏蔽了网络底层分布式环境的复杂性和异构性,简化了分布式应用程序的编程策略,使分布式应用程序能够有更好的可用性、灵活性和扩充性。 展开更多

关键词 出版者-订阅者 面向消息的中间件 中间件 分布式系统 编程策略

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人体分布式8×8元红外探测系统的应用研究

5

作者 曾亦可 任伏龙 +2 位作者 罗旖旎 吴帮军 姜胜林 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期561-564,共4页

文章针对8×8元热释电红外探测阵列设计了一种圆柱式旋转斩波调制器,它可对空间内180°范围的目标辐射进行波形调制,同时借鉴于ROM的读取方式对探测阵列进行了选读电路和微电流滤波放大电路的设计,并通过软硬件模拟了电路功能,... 文章针对8×8元热释电红外探测阵列设计了一种圆柱式旋转斩波调制器,它可对空间内180°范围的目标辐射进行波形调制,同时借鉴于ROM的读取方式对探测阵列进行了选读电路和微电流滤波放大电路的设计,并通过软硬件模拟了电路功能,为后续研究奠定了基础。 展开更多

关键词 热释电 红外探测阵列 斩波调制 选读电路

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压电性能计算机测试系统 被引量：1

6

作者 赵尧 郭盖华 +1 位作者 朱兰 姜胜林 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期56-58,99,共4页

研究了一种压电振子电学性能自动测试系统,系统通过对压电振子频率-阻抗关系的测量得到压电振子的谐振频率、品质因数和机电耦合系数等电学参数。阻抗测量采用矢量电压法,其中包括自动平衡电桥测量阻抗1、0 kHz^5 MHz频率合成、相敏鉴... 研究了一种压电振子电学性能自动测试系统,系统通过对压电振子频率-阻抗关系的测量得到压电振子的谐振频率、品质因数和机电耦合系数等电学参数。阻抗测量采用矢量电压法,其中包括自动平衡电桥测量阻抗1、0 kHz^5 MHz频率合成、相敏鉴波和双斜A/D转换等技术。系统可对压电振子的电学参数进行快速自动测量,测试精度达到国标要求,性价比高。 展开更多

关键词 压电振子 压电参数 阻抗测量 矢量电压法

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微电子的过去、现在和未来 被引量：3

7

作者 严兆辉 《科技进步与对策》 CSSCI 北大核心 2003年第7期176-178,共3页

从微电子技术产生的背景、过程、取得的巨大成果及目前发展的不利因素介绍了微电子技术的历史和现状;从前沿技术方面介绍了微电子技术的发展方向;介绍了中国在微电子技术上已取得的成果和尚存在的许多问题,并阐明了中国必须大力发展微... 从微电子技术产生的背景、过程、取得的巨大成果及目前发展的不利因素介绍了微电子技术的历史和现状;从前沿技术方面介绍了微电子技术的发展方向;介绍了中国在微电子技术上已取得的成果和尚存在的许多问题,并阐明了中国必须大力发展微电子技术。 展开更多

关键词 微电子技术 发展方向 制造工艺 光刻技术 中国

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层状结构铁电薄膜中频率对界面电位降的影响 被引量：4

8

作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 冯汉华 陈涛 周健 袁润章 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期445-448,共4页

利用准分子激光原位淀积方法制备了层状结构铁电薄膜 ,借助 HP4 192 A低频率阻抗分析仪对样品的C- V特性进行了测试 ,对同一频率下不同结构的铁电薄膜的界面电压降及不同频率下同一结构的铁电薄膜的界面电压降进行计算。结果表明 ,在同... 利用准分子激光原位淀积方法制备了层状结构铁电薄膜 ,借助 HP4 192 A低频率阻抗分析仪对样品的C- V特性进行了测试 ,对同一频率下不同结构的铁电薄膜的界面电压降及不同频率下同一结构的铁电薄膜的界面电压降进行计算。结果表明 ,在同一频率下不同结构的铁电薄膜其界面电压降不同 ,同一结构的多层铁电薄膜在不同频率下其界面电压降也不同。 展开更多

关键词 层状结构 铁电薄膜 界面电压降 频率

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新型电流变液体减振器数学模型研究 被引量：4

9

作者 刘小英 方大雨 +2 位作者 刘晓军 龚荣洲 张仲甫 《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期416-419,共4页

介绍了以电流变技术为基础的新型电流变液体减振器的工作原理 ,建立了它的数学模型 .描述了新型电流变液体减振器阻尼力与电场之间的关系 ,在理论上将压降分成流体粘性阻尼引起部分和控制电场引起部分 .

关键词 电流变液体减振器 数学模型 电致阻尼力 电场 汽车工程 工作原理 电流变阀

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低损耗MnZn铁氧体材料的研究现状及发展趋势 被引量：3

10

作者 李海华 冯则坤 +1 位作者 余洪斌 何华辉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第2期62-65,共4页

介绍了低损耗MnZn铁氧体的研究现状及TDK ,SIMENS等公司最新产品情况 ,通过对原材料的性质、掺杂和烧结工艺分析 ,说明它们决定了低损耗MnZn铁氧体的微观结构 ,同时也表明原材料的匹配对提高材料的性能有重要作用。

关键词 低损耗 MNZN铁氧体材料 研究现状 发展趋势 原材料 掺杂 烧结工艺 微结构

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高精度气压源的Fuzzy-PID控制研究 被引量：7

11

作者 刁爱民 鲜麟波 李宝仁 《海军工程大学学报》 CAS 北大核心 2006年第4期105-108,共4页

设计了Fuzzy-PID双模控制器并应用到高精度气源压力控制系统中.试验表明,单纯采用PID控制的高精度气源压力控制系统具有精度高的优点,但不适应系统参数的变化.Fuzzy-PID双模控制器具有响应速度快、稳态误差小、鲁棒性强的优点.通过试验... 设计了Fuzzy-PID双模控制器并应用到高精度气源压力控制系统中.试验表明,单纯采用PID控制的高精度气源压力控制系统具有精度高的优点,但不适应系统参数的变化.Fuzzy-PID双模控制器具有响应速度快、稳态误差小、鲁棒性强的优点.通过试验比较了传统PID、Fuzzy控制和Fuzzy-PID双模控制3种控制策略,试验结果表明,Fuzzy-PID双模控制器综合了Fuzzy控制和PID控制的优点,适用于高精度气源压力控制系统. 展开更多

关键词 气源压力 伺服控制 Fuzzy—PID双模控制器

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Bi-Mo复合掺杂对MgCuZn铁氧体烧结特性和磁性能的影响 被引量：1

12

作者 邓联文 冯则坤 +2 位作者 黄小忠 周克省 杨兵初 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期669-672,共4页

为改善MgCuZn铁氧体的低温烧结特性并提高其软磁性能,采用传统氧化物法制备MgCuZn铁氧体材料,研究了Bi-Mo复合掺杂对其烧结特性和软磁性能的影响.结果表明;复合掺杂Bi_2O_3和MoO_3适量时(分别为0.6wt%和0.1wt%),在较低的烧结温度(1020℃... 为改善MgCuZn铁氧体的低温烧结特性并提高其软磁性能,采用传统氧化物法制备MgCuZn铁氧体材料,研究了Bi-Mo复合掺杂对其烧结特性和软磁性能的影响.结果表明;复合掺杂Bi_2O_3和MoO_3适量时(分别为0.6wt%和0.1wt%),在较低的烧结温度(1020℃)就能获得较高的烧结密度(≥4.75g/cm^3),起始磁导率可达1240,且具有较高的品质因数(100kHz下为33.8).通过主成分优选、有效的掺杂技术及工艺条件可以提高MgCuZn铁氧体的综合性能,使其可应用于多层片式电感中. 展开更多

关键词 MGCUZN铁氧体 Bi—Mo复合掺杂 低温烧结 起始磁导率

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多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压 被引量：1

13

作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 陈涛 冯汉华 袁润章 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期292-294,共3页

利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT... 利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的ΔVb 与 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的Δ Vb 相差不多。 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的I- V特性曲线非对称的整流特性和 P- V回线的刻印失效是最小的而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 ) 展开更多

关键词 多层铁电薄膜 内建电压 刻印失效 整流特性 半导体存储器

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在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降 被引量：1

14

作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 邹雪城 徐静平 陈涛 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期374-377,共4页

利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由... 利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由修正的经验幂定律和 I- V曲线近似公式算出的界面电位降 Vi 与由 C- V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。 展开更多

关键词 二极管 层状铁电薄膜 界面电位降 耗尽层

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富氧型高活性吸收剂制备及同时脱硫脱硝特性研究 被引量：1

15

作者 许佩瑶 赵毅 +1 位作者 李艳青 龚荣洲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1545-1548,共4页

以粉煤灰、工业石灰、氧化性添加剂为原料,制备了具有良好同时脱硫脱硝性能的富氧型高活性吸收剂。研究了添加剂加入量、Ca/(S+N)比等重要因素对烟气脱硫脱硝效果的影响;通过SEM分析和BET数据分析,探讨了吸收剂的物理特性与活性关联性... 以粉煤灰、工业石灰、氧化性添加剂为原料,制备了具有良好同时脱硫脱硝性能的富氧型高活性吸收剂。研究了添加剂加入量、Ca/(S+N)比等重要因素对烟气脱硫脱硝效果的影响;通过SEM分析和BET数据分析,探讨了吸收剂的物理特性与活性关联性。该高活性吸收剂具有99%的脱硫和86%的脱硝特性。 展开更多

关键词 高活性吸收剂 制备 同时脱硫脱硝 特性研究

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新型汽车电流变液体减振器的结构设计及分析 被引量：1

16

作者 刘小英 黄德修 +1 位作者 刘晓军 龚荣洲 《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期174-177,共4页

电流变液体是指在电场作用下其流变性质能迅速发生变化的一类流体 .基于这一原理我们设计了一种新型汽车电流变液体减振器 ,电流变流体减振器的机械结构对充分体现电流变效应的功能 ,实现振动的有效控制起着重要作用 .本文着重介绍了新... 电流变液体是指在电场作用下其流变性质能迅速发生变化的一类流体 .基于这一原理我们设计了一种新型汽车电流变液体减振器 ,电流变流体减振器的机械结构对充分体现电流变效应的功能 ,实现振动的有效控制起着重要作用 .本文着重介绍了新型电流变流体减振器的结构和阻尼特性 。 展开更多

关键词 汽车 电流变液体减振器 结构设计 机械结构

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Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

17

作者 李兴教 王宁章 +6 位作者 鲍军波 宁广蓉 陈涛 徐静平 陈振贤 邹雪城 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期440-444,共5页

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变... 利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度PS及矫顽场VC之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。 展开更多

关键词 Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100) 存储器 铁电薄膜 电位降 内建电压 金属/铁电薄膜/半导体 结构

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微型MEMS致冷器的研究新动向

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作者 刘少波 李艳秋 +1 位作者 刘梅冬 曾亦可 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第1期30-33,共4页

微机电系统(MEMS)与超大规模集成电路(ULIC)进一步微型化与集成化,急需微型冷却系统对其芯片等进行局部冷却。因此,基于硅微机械加工工艺的微型致冷器被提上研究日程,并有望发展成为无压缩机、无机械部件的新型致冷器。着重介绍了微型M... 微机电系统(MEMS)与超大规模集成电路(ULIC)进一步微型化与集成化,急需微型冷却系统对其芯片等进行局部冷却。因此,基于硅微机械加工工艺的微型致冷器被提上研究日程,并有望发展成为无压缩机、无机械部件的新型致冷器。着重介绍了微型MEMS致冷器的国内外研究动向与发展趋势,阐述并分析了几种典型致冷材料与器件的工作原理、技术可行性及应用研究前景。 展开更多

关键词 微型MEMS致冷器 pn结热电薄膜 铁电薄膜 电生热效应 塞贝克效应

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极薄铁电薄膜J-V曲线温度特性的研究

19

作者 王宁章 鲍军波 +4 位作者 陈涛 冯汉华 黄新堂 袁润章 李兴教 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第6期453-456,共4页

用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V... 用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V曲线温度特性进行了拟合分析讨论。模拟分析结果表明 ,在负温区 ,电流密度 J对温度 T有较强的依赖关系 ,但与通常欧姆电流温度关系不同。而在正温区 ,服从 J=K V2 关系 ,ε和 SCL C电流密度 J则与温度 展开更多

关键词 铁电薄膜 电流温度特性 半导体材料

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铁电薄膜Bi_(3.2)Nd_(0.8)Ti_3O_(12)的制备及其特性的研究

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作者 王宁章 李兴教 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期523-525,共3页

用脉冲激光淀积法成功地在p-S i底片上制备了高c轴取向的B i3.20N d0.80T i3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕N d替代B i的B i3.20N d0.80T i3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10 V,测试频率为1MH ... 用脉冲激光淀积法成功地在p-S i底片上制备了高c轴取向的B i3.20N d0.80T i3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕N d替代B i的B i3.20N d0.80T i3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10 V,测试频率为1MH z下,其剩余极化(Pr)及矫顽场(Ec)分别达到27μC/cm2和70 kV/cm。更为重要的是,A u/B i3.20N d0.80T i3O12/p-S i(100)电容在读/写开关次数达到1010后仍表现出较好的抗疲劳特性。 展开更多

关键词 铁电薄膜 Bi3.2Nd0.8Ti3O12 剩余极化 脉冲激光淀积

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