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电子陶瓷材料的纳米科学和纳米技术 被引量:1
1
作者 张道礼 徐建梅 +1 位作者 姜胜林 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期307-311,共5页
电子陶瓷材料正经历着由微米技术向纳米技术发展的过程。对电子陶瓷材料的纳米尺寸效应、纳米技术及代表纳米特征的相关技术的研究就显得日益重要。该文讨论了电子陶瓷材料领域中纳米科学和纳米技术的研究进展以及未来的发展趋势。
关键词 电子陶瓷材料 纳米科学 纳米技术 纳米分析 纳米尺寸效应
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通信和信息技术用电子陶瓷材料的研究进展
2
作者 张道礼 赵岚 +1 位作者 徐建梅 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期209-213,共5页
电子陶瓷材料研究受技术和器件应用的驱动。在工业过程控制、保健、消费电子品和环境监测等方面得到广泛应用。该文着重讨论了近年来通信和信息技术领域中电子陶瓷材料的研究情况及发展趋势。
关键词 电子陶瓷材料 通信 信息技术 微电子器件
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有机电致发光器件的驱动技术 被引量:25
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作者 尹盛 刘卫忠 +3 位作者 刘陈 钟志有 徐重阳 邹雪城 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第2期106-111,共6页
只有结合良好的驱动技术才能将OLED的特点表现出来。OLED的驱动方式可分为有源驱动和无源驱动,分别对这两种驱动技术作一评述。OLED需结合TFT有源驱动技术才有可能进一步发展,而LTPSTFT技术几乎是惟一的选择。使用数字驱动电路是目前的... 只有结合良好的驱动技术才能将OLED的特点表现出来。OLED的驱动方式可分为有源驱动和无源驱动,分别对这两种驱动技术作一评述。OLED需结合TFT有源驱动技术才有可能进一步发展,而LTPSTFT技术几乎是惟一的选择。使用数字驱动电路是目前的发展趋势。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 驱动技术 OLED 有源驱动 无源驱动
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PZT铁电薄、厚膜及其制备技术研究进展 被引量:9
4
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 徐慢 赵修建 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第10期64-67,共4页
铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用。近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的... 铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用。近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点。介绍了PZT铁电薄、厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄、厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄、厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向。 展开更多
关键词 厚膜材料 铁电 PZT 集成光学 微电子学 热释电 光电子学 器件 压电
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脉冲激光沉积技术在磁性薄膜制备中的应用 被引量:9
5
作者 邓联文 江建军 何华辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第2期66-68,共3页
脉冲激光沉积制膜(PLD)是近年来迅速发展起来的制膜新技术,首先简要介绍了脉冲激光沉积技术的原理、特点和优势以及在磁性功能薄膜研究中的应用,最后说明了该技术的最新发展趋势。
关键词 脉冲激光沉积技术 制备 磁性薄膜 外延生长 超晶格 成膜机理
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B/N掺杂对双层石墨烯电子特性影响的第一性原理研究 被引量:7
6
作者 孔鹏 王菡 +3 位作者 王薇 程剑 陈宗正 李星海 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期775-780,共6页
利用平面波超软赝势方法研究了B/N原子单掺杂和共掺杂对双层石墨烯电子特性的影响.对掺杂双层石墨烯进行结构优化,并计算了能带结构、态密度、分波态密度等.分析表明,层间范德瓦尔斯相互作用对双层石墨烯的电子特性有比较明显的影响;B/... 利用平面波超软赝势方法研究了B/N原子单掺杂和共掺杂对双层石墨烯电子特性的影响.对掺杂双层石墨烯进行结构优化,并计算了能带结构、态密度、分波态密度等.分析表明,层间范德瓦尔斯相互作用对双层石墨烯的电子特性有比较明显的影响;B/N原子单掺杂分别对应p型和n型掺杂,会使掺杂片层的能带平移,使得体系能带结构产生较大分裂;双层掺杂的石墨烯能带结构与掺杂原子的相对位置和距离有关,对电子特性有明显的调控作用.其中特别有意义的是,B/N双层共掺杂在不同位置情况下会得到金属性或禁带宽度约为0.3 eV的半导体能带. 展开更多
关键词 双层石墨烯 B/N掺杂 电子特性 第一性原理
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基于LTCC技术的蓝牙巴伦设计 被引量:18
7
作者 吴国安 徐勤芬 +1 位作者 汤清华 刘浩斌 《微波学报》 CSCD 北大核心 2007年第4期55-57,共3页
介绍了一种新型贴片式多层陶瓷巴伦。该巴伦是基于LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)技术设计的新型多层结构巴伦,采用独特的螺旋线宽边耦合带状线结构(SBCS),并且增加了端电容,极大地缩小了巴伦尺寸。设计... 介绍了一种新型贴片式多层陶瓷巴伦。该巴伦是基于LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)技术设计的新型多层结构巴伦,采用独特的螺旋线宽边耦合带状线结构(SBCS),并且增加了端电容,极大地缩小了巴伦尺寸。设计的巴伦频率范围为2.4~2.5GHz,具有尺寸小、插损低、平衡度好等优点,并且工艺敏感度低,可应用于蓝牙通讯系统。文章讨论了其小型化思路与方案,描述了所设计巴伦的3D结构,给出了设计仿真结果与实验结果,两者吻合较好。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷(LTCC) 巴伦 多层陶瓷 蓝牙
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开关电源芯片中过温保护技术的研究与实现 被引量:7
8
作者 邹雪城 邵轲 +1 位作者 郑朝霞 陈松涛 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第7期192-194,共3页
在分析温度对开关电源芯片的可靠性、稳定性有严重影响的基础上,利用与绝对温度成正比的PTAT电流检测温度变化的原理,设计了一种新颖的过温保护电路。该电路具有迟滞功能,并且关断和开启阈值可调,同时输入电压变化对温度门限的影响很小... 在分析温度对开关电源芯片的可靠性、稳定性有严重影响的基础上,利用与绝对温度成正比的PTAT电流检测温度变化的原理,设计了一种新颖的过温保护电路。该电路具有迟滞功能,并且关断和开启阈值可调,同时输入电压变化对温度门限的影响很小。仿真波形显示该电路工作性能优异。最后该电路应用在DC-DC芯片中,采用1.6μmBiCMOS工艺,完全满足芯片设计需要,具有很大的应用前景。 展开更多
关键词 过温保护技术 开关电源 PTAT电流 迟滞功能
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基于LTCC技术的片式带通滤波器设计 被引量:5
9
作者 吴国安 毕晓君 +1 位作者 汤清华 徐勤芬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2007年第B08期77-81,共5页
设计了一种尺寸小、频响特性优良的片式LTCC带通滤波器。通过场路结合的分析方法,对滤波器的物理结构进行了优化,从而避免了小尺寸带来的寄生效应,提高了电容耦合系数,减小了不需要的互感耦合。同时引入了谐振器的对地电感,得到了两个... 设计了一种尺寸小、频响特性优良的片式LTCC带通滤波器。通过场路结合的分析方法,对滤波器的物理结构进行了优化,从而避免了小尺寸带来的寄生效应,提高了电容耦合系数,减小了不需要的互感耦合。同时引入了谐振器的对地电感,得到了两个带外传输零点,实现了较大的带外抑制。实物测试结果和电磁场仿真结果吻合较好。 展开更多
关键词 LTCC 带通滤波器 耦合系数 传输零点
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一种基于改进模拟退火算法的软硬件划分技术 被引量:5
10
作者 邢冀鹏 邹雪城 +1 位作者 刘政林 陈毅成 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第5期31-33,37,共4页
提出一种应用于嵌入式系统软硬件划分的改进模拟退火算法。算法通过使用基于Cauchy分布的扰动模型和Tsallis接收准则来提高模拟退火算法的性能。通过对比经典的模拟退火软硬件划分技术以及实验结果的验证表明,使用改进模拟退火算法能加... 提出一种应用于嵌入式系统软硬件划分的改进模拟退火算法。算法通过使用基于Cauchy分布的扰动模型和Tsallis接收准则来提高模拟退火算法的性能。通过对比经典的模拟退火软硬件划分技术以及实验结果的验证表明,使用改进模拟退火算法能加快划分的收敛,并且找到目标函数的最优值的概率也更大。 展开更多
关键词 软硬件协同设计 嵌入式系统 软硬件划分 模拟退火
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铁电薄膜的制备及应用技术研究 被引量:2
11
作者 刘梅冬 曾亦可 +3 位作者 李楚容 饶韫华 王培英 邓传益 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期47-49,共3页
研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线... 研究出具有特色的制备铁电薄膜的 sol-gel技术;制备出高质量、高可靠的 PLT、PZT、PYZT、BST”l、PbTiO3、BaTiO3、Bi4Ti3O12多晶铁电薄膜,PLT、PZT和伽里O3异质外延生长铁电薄膜;研制出铁电薄膜热释电单元红外传感器,8元、9元、1O元线列和8X8元阵列;研制出热释电火情探测器和热释电非接触式温度测试仪。 展开更多
关键词 铁电薄膜 sol-gel技术 红外传感器 制备 应用
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电池保护芯片中低功耗技术的研究与实现 被引量:4
12
作者 郑朝霞 邹雪城 童乔凌 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第4期174-176,共3页
在分析了电池保护电路设计功耗要求的基础上,提出了三种降低功耗的方法,并推导了相应的公式:使用电路休眠技术,减少空闲时不必要的功耗;设计各电路模块的MOS管工作在亚阈值区,减小电路工作时的电流;基准电路中使用耗尽型nMOS管做恒流源... 在分析了电池保护电路设计功耗要求的基础上,提出了三种降低功耗的方法,并推导了相应的公式:使用电路休眠技术,减少空闲时不必要的功耗;设计各电路模块的MOS管工作在亚阈值区,减小电路工作时的电流;基准电路中使用耗尽型nMOS管做恒流源,以简单的电路结构,得到与电源电压无关的基准电流和基准电压,从而达到降低功耗的目的。采用这些方法设计出来的CMOS工艺电池保护芯片,休眠时电流为59.2nA,工作时电流也不超过2.46uA,设计取得了成功。 展开更多
关键词 低功耗技术 休眠技术 耗尽型MOS管 亚阈值区
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基于机会发射的手机雷达及其关键技术探讨 被引量:4
13
作者 张平川 黎步银 +1 位作者 黄兆祥 鹿才华 《信息与电子工程》 2008年第6期433-436,共4页
手机雷达是无源雷达发展的重要方向之一,具有抗干扰、抗反辐射导弹、抗低空突袭和反隐身、灵活轻便、价廉等许多优势,有重要的军民两用价值。本文简要回顾了无源雷达的发展历程,给出手机雷达的概念,分析了手机雷达的关键技术,对手机雷... 手机雷达是无源雷达发展的重要方向之一,具有抗干扰、抗反辐射导弹、抗低空突袭和反隐身、灵活轻便、价廉等许多优势,有重要的军民两用价值。本文简要回顾了无源雷达的发展历程,给出手机雷达的概念,分析了手机雷达的关键技术,对手机雷达的研发具有启发意义。 展开更多
关键词 机会发射 无源雷达 手机雷达 模糊函数
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基于电容倍增技术的LDO补偿方法 被引量:2
14
作者 应建华 黄杨 +1 位作者 黄萌 丁川 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第11期102-105,共4页
设计了一种低静态电流、高稳定性的LDO稳压器.该电路使用电容倍增技术进行频率补偿,减小了补偿电容值,节省了芯片面积,在负载电流0.1mA和150mA时具有较好的相位裕度.电路采用XFAB0.6μm CMOS工艺模型,最终设计的LDO电路静态功耗17μA,... 设计了一种低静态电流、高稳定性的LDO稳压器.该电路使用电容倍增技术进行频率补偿,减小了补偿电容值,节省了芯片面积,在负载电流0.1mA和150mA时具有较好的相位裕度.电路采用XFAB0.6μm CMOS工艺模型,最终设计的LDO电路静态功耗17μA,最大驱动电流150mA.使用10μF的负载电容,在负载电流变化率为150mA/100μs时,最大过冲为22mV(1.83%). 展开更多
关键词 LDO频率补偿 电容倍增 动态偏置 缓冲级
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自旋电子学研究进展 被引量:4
15
作者 颜冲 于军 +2 位作者 包大新 陈文洪 朱大中 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-6,55,共7页
自旋电子学是上世纪 90年代以来飞速发展起来的新兴学科。与传统的半导体电子器件相比 ,自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点。电子学、光学和磁学的融合发展更有望产生出自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振隧... 自旋电子学是上世纪 90年代以来飞速发展起来的新兴学科。与传统的半导体电子器件相比 ,自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点。电子学、光学和磁学的融合发展更有望产生出自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振隧道器件、THz频率光学开关、调制器、编码器、解码器及用于量子计算、量子通信等装置的新型器件 ,从而触发一场信息技术革命。文中介绍了自旋电子学的若干最新研究进展。 展开更多
关键词 自旋电子学 巨磁电阻 稀磁半导体 自旋相关输运
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光磁混合记录技术及材料进展 被引量:1
16
作者 晋芳 李佐宜 +2 位作者 黄致新 李震 程晓敏 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第7期8-11,共4页
光磁混合记录技术是一种将磁光记录及磁记录的优点相结合,获得极高存储密度的新型数据记录方式。文中较全面地介绍了这种记录方式的基本原理、读写方式、记录介质及记录磁头研究现状,展望了这种记录方式的前景,探讨了目前所面临的问题。
关键词 光磁混合记录 高密度存储 超顺磁极限 巨磁阻磁头
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基于SOPC和DDS技术的介电电泳芯片控制系统设计 被引量:1
17
作者 廖红华 于军 +1 位作者 陈建军 廖宇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第8期148-151,155,共5页
介绍了一种利用SOPC和DDS技术控制介电电泳芯片的方案.通过FPGA的DSP开发工具DSP Builder对直接数字频率合成器(DDS)进行建模,在QuartusII软件中生成DDS IP核.以Altera公司的嵌入在FPGA(Cy-clonII EP2C35)中的RISC结构的CPU软核NiosII... 介绍了一种利用SOPC和DDS技术控制介电电泳芯片的方案.通过FPGA的DSP开发工具DSP Builder对直接数字频率合成器(DDS)进行建模,在QuartusII软件中生成DDS IP核.以Altera公司的嵌入在FPGA(Cy-clonII EP2C35)中的RISC结构的CPU软核NiosII为基础,控制四相位DDS模块实现驱动行波介电电泳芯片所需的四相位正弦波频率、相位和幅度的数字预制和步进,使介电电泳芯片内形成行波介电电场,驱动生物粒子随行波作定向移动,达到分离不同生物粒子的目的.重点讨论了基于DSP Builder的DDS IP核设计,系统的软、硬件实现方法,并通过仿真分析证明了这种设计方法的正确性和实用性. 展开更多
关键词 SOPC 介电电泳芯片控制 DDS 行波介电电场 matlab和DSP BUILDER
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纳米氮化镓/碳化硅固溶晶薄膜电子微结构 被引量:1
18
作者 张洪涛 徐重阳 +1 位作者 曾祥斌 邹雪城 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期139-140,148,共3页
采用高功率密度、高氢稀释和直流偏压 PECVD技术制备纳米碳化硅 /氮化镓固溶晶薄膜。经过透射电镜观察 ,形状为微丘陵状 ,晶粒径在 3~ 16 nm范围 ,垂直衬底生长 ,其宽化衍射环与单晶碳化硅吻合。拉曼光谱与4 H -多型 Si C范围相似。并... 采用高功率密度、高氢稀释和直流偏压 PECVD技术制备纳米碳化硅 /氮化镓固溶晶薄膜。经过透射电镜观察 ,形状为微丘陵状 ,晶粒径在 3~ 16 nm范围 ,垂直衬底生长 ,其宽化衍射环与单晶碳化硅吻合。拉曼光谱与4 H -多型 Si C范围相似。并出现晶态氮化镓的特征峰。这表明制备出纳米碳化硅 展开更多
关键词 纳米结构 氮化镓 碳化硅 固溶晶 薄膜
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多晶硅薄膜的两步激光晶化技术 被引量:1
19
作者 曾祥斌 徐重阳 王长安 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期315-317,326,共4页
采用两步激光晶化技术获得了多晶硅薄膜 ,分析计算了激光晶化时薄膜中的温度分布及表面温度与激光功率密度的关系 ,利用计算结果确定并优化了激光晶化时的工艺参数 ,采用该技术制备了性能优良的顶栅多晶硅薄膜晶体管 ,测量了薄膜晶体管... 采用两步激光晶化技术获得了多晶硅薄膜 ,分析计算了激光晶化时薄膜中的温度分布及表面温度与激光功率密度的关系 ,利用计算结果确定并优化了激光晶化时的工艺参数 ,采用该技术制备了性能优良的顶栅多晶硅薄膜晶体管 ,测量了薄膜晶体管的转移特性与输入输出特性 。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 激光晶化 薄膜晶体管
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红外焦平面硅基通孔加工及电极互连技术 被引量:1
20
作者 范茂彦 姜胜林 张丽芳 《电子技术应用》 北大核心 2011年第3期86-90,共5页
通过硅通孔技术实现红外焦平面电极垂直互连,提高像元占空比,缩短了互连引线长度,降低了信号延迟。用单晶硅湿法刻蚀方法形成通孔,利用直写技术将耐高温Ag-Pd导体浆料填充通孔,实现红外焦平面阵列底电极与硅基片背面倒装焊凸点互连。
关键词 红外焦平面 硅通孔 倒装焊 垂直互连 直写技术
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