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Zn-B玻璃掺杂的(K_(0.5)Na_(0.44)Li_(0.06))(Nb_(0.84)Ta_(0.1)Sb_(0.06))O_3陶瓷相变及电学性能研究
1
作者
范桂芬
吕文中
+2 位作者
王允祺
汪小红
梁飞
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期441-447,共7页
研究了Zn-B玻璃掺杂的(K0.5Na0.44Li0.06)(Nb0.84Ta0.1Sb0.06)O3(KNLNTS)陶瓷的制备、相变及电学性能。研究发现,Zn-B玻璃能够有效地促进铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的烧结特性。XRD结果显示Zn-B玻璃掺杂的KNLNTS陶瓷为正交-四方共存结构,...
研究了Zn-B玻璃掺杂的(K0.5Na0.44Li0.06)(Nb0.84Ta0.1Sb0.06)O3(KNLNTS)陶瓷的制备、相变及电学性能。研究发现,Zn-B玻璃能够有效地促进铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的烧结特性。XRD结果显示Zn-B玻璃掺杂的KNLNTS陶瓷为正交-四方共存结构,随掺杂量的增加正交结构相的含量逐渐增加;并且降低烧结温度能够有效地抑制第二相的产生。介电温谱测试结果显示Zn-B玻璃掺杂的KNLNTS陶瓷其居里温度先降后增在x=0.1时达到最小值。在1050℃保温5 h条件下烧结可以获得最佳的压电性能:d33=197 pC/N,kp=0.37,εr=975,tanδ=0.028。
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关键词
压电
无铅
相变
铌酸钾钠
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职称材料
硼酸对BaAl_2Si_2O_8陶瓷相转变和微波介电性能的影响
被引量：
4
2
作者
昂然
雷文
吕文中
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期305-308,共4页
采用传统固相烧结工艺制备BaAl2Si2O8(BAS)基微波介质陶瓷。研究添加H3BO3对BaAl2Si2O8基微波介质陶瓷的烧结特性、相转变、微波介电性能以及微观结构的影响。结果表明,H3BO3可以将BAS陶瓷烧结温度降低200℃左右,可以有效促进六方钡长...
采用传统固相烧结工艺制备BaAl2Si2O8(BAS)基微波介质陶瓷。研究添加H3BO3对BaAl2Si2O8基微波介质陶瓷的烧结特性、相转变、微波介电性能以及微观结构的影响。结果表明,H3BO3可以将BAS陶瓷烧结温度降低200℃左右,可以有效促进六方钡长石向单斜钡长石转变。当H3BO3添加量为10mol%时,具有最佳的综合微波介电性能,εr=6.3,Q×f=14700 GHz。H3BO3添加量为30mol%时,τf值最接近零值,为-13 ppm/℃。
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关键词
BaAl2Si2O8基陶瓷
烧结特性
低介电常数
微波介电性能
相转变
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职称材料
ZnO掺杂对PSN-PZT陶瓷烧结温度及压电性能的影响(英文)
被引量：
1
3
作者
王允祺
范桂芬
吕文中
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期597-601,共5页
为了降低PZT压电陶瓷的烧结温度,研究了ZnO掺杂对Ba、Fe改性的PSN-PZT陶瓷的烧结温度和压电特性的影响。通过XRD和SEM测试手段,分析了微观结构和材料性能的关系。XRD结果显示所有样品均呈现四方钙钛矿结构。在w(ZnO)<0.1%时陶瓷压电...
为了降低PZT压电陶瓷的烧结温度,研究了ZnO掺杂对Ba、Fe改性的PSN-PZT陶瓷的烧结温度和压电特性的影响。通过XRD和SEM测试手段,分析了微观结构和材料性能的关系。XRD结果显示所有样品均呈现四方钙钛矿结构。在w(ZnO)<0.1%时陶瓷压电性能随ZnO的增加而提高;当w(ZnO)=0.1%时,陶瓷样品同样展现出了优良的压电性能。这些结果证明了适量的ZnO掺杂可以降低陶瓷的烧结温度并提高压电性能。
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关键词
压电陶瓷
低温烧结
ZnO掺杂
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职称材料
题名
Zn-B玻璃掺杂的(K_(0.5)Na_(0.44)Li_(0.06))(Nb_(0.84)Ta_(0.1)Sb_(0.06))O_3陶瓷相变及电学性能研究
1
作者
范桂芬
吕文中
王允祺
汪小红
梁飞
机构
华中科技大学
电子
科学与技术系
华中科技大学
电子信息
功能
材料
教育部
重点
实验室
(
b
类
)
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期441-447,共7页
基金
New Century Excellent Talents in University(NCET-07-0329)
Hubei Provincial Natural Science Foundation(2008CDB283)~~
文摘
研究了Zn-B玻璃掺杂的(K0.5Na0.44Li0.06)(Nb0.84Ta0.1Sb0.06)O3(KNLNTS)陶瓷的制备、相变及电学性能。研究发现,Zn-B玻璃能够有效地促进铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的烧结特性。XRD结果显示Zn-B玻璃掺杂的KNLNTS陶瓷为正交-四方共存结构,随掺杂量的增加正交结构相的含量逐渐增加;并且降低烧结温度能够有效地抑制第二相的产生。介电温谱测试结果显示Zn-B玻璃掺杂的KNLNTS陶瓷其居里温度先降后增在x=0.1时达到最小值。在1050℃保温5 h条件下烧结可以获得最佳的压电性能:d33=197 pC/N,kp=0.37,εr=975,tanδ=0.028。
关键词
压电
无铅
相变
铌酸钾钠
Keywords
piezoelectric
lead-free
phase transition
sodium potassium niobate
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硼酸对BaAl_2Si_2O_8陶瓷相转变和微波介电性能的影响
被引量：
4
2
作者
昂然
雷文
吕文中
机构
华中科技大学
电子
科学与技术系
华中科技大学
电子信息
功能
材料
教育部
重点
实验室
(
b
类
)
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第S1期305-308,共4页
基金
国家自然科学基金(50902055)
广东省教育部产学研结合项目(2010A090200001)
教育部科技创新工程重大项目培育项目
文摘
采用传统固相烧结工艺制备BaAl2Si2O8(BAS)基微波介质陶瓷。研究添加H3BO3对BaAl2Si2O8基微波介质陶瓷的烧结特性、相转变、微波介电性能以及微观结构的影响。结果表明,H3BO3可以将BAS陶瓷烧结温度降低200℃左右,可以有效促进六方钡长石向单斜钡长石转变。当H3BO3添加量为10mol%时,具有最佳的综合微波介电性能,εr=6.3,Q×f=14700 GHz。H3BO3添加量为30mol%时,τf值最接近零值,为-13 ppm/℃。
关键词
BaAl2Si2O8基陶瓷
烧结特性
低介电常数
微波介电性能
相转变
Keywords
BaAl2Si2O8-based ceramics
sintering characteristic
low permittivity
microwave dielectric properties
phase transition
分类号
O7 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
ZnO掺杂对PSN-PZT陶瓷烧结温度及压电性能的影响(英文)
被引量：
1
3
作者
王允祺
范桂芬
吕文中
机构
华中科技大学
电子
科学与技术系
华中科技大学
电子信息
功能
材料
教育部
重点
实验室
(
b
类
)
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期597-601,共5页
基金
Fundamental Research Funds for Central Universities(2010 MS006)
Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education(20100142120091)~~
文摘
为了降低PZT压电陶瓷的烧结温度,研究了ZnO掺杂对Ba、Fe改性的PSN-PZT陶瓷的烧结温度和压电特性的影响。通过XRD和SEM测试手段,分析了微观结构和材料性能的关系。XRD结果显示所有样品均呈现四方钙钛矿结构。在w(ZnO)<0.1%时陶瓷压电性能随ZnO的增加而提高;当w(ZnO)=0.1%时,陶瓷样品同样展现出了优良的压电性能。这些结果证明了适量的ZnO掺杂可以降低陶瓷的烧结温度并提高压电性能。
关键词
压电陶瓷
低温烧结
ZnO掺杂
Keywords
piezoelectric ceramic
low temperature sintering
ZnO addition
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Zn-B玻璃掺杂的(K_(0.5)Na_(0.44)Li_(0.06))(Nb_(0.84)Ta_(0.1)Sb_(0.06))O_3陶瓷相变及电学性能研究
范桂芬
吕文中
王允祺
汪小红
梁飞
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
硼酸对BaAl_2Si_2O_8陶瓷相转变和微波介电性能的影响
昂然
雷文
吕文中
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
ZnO掺杂对PSN-PZT陶瓷烧结温度及压电性能的影响(英文)
王允祺
范桂芬
吕文中
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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