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高温栅偏和电子辐照对SiC MOSFET阈值电压影响研究
1
作者
张子扬
梁琳
+2 位作者
尚海
盛轲焱
黄江
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第6期288-294,共7页
为研究栅氧化物在不同老化程度下电子辐照对SiC MOSFET可靠性的影响,结合高温栅偏和电子辐照2种实验对SiC MOSFET电学特性进行分析,讨论栅氧化物受到高温和强电场应力后电子辐照对SiC MOSFET阈值电压的影响。为避免封装材料在高温和电...
为研究栅氧化物在不同老化程度下电子辐照对SiC MOSFET可靠性的影响,结合高温栅偏和电子辐照2种实验对SiC MOSFET电学特性进行分析,讨论栅氧化物受到高温和强电场应力后电子辐照对SiC MOSFET阈值电压的影响。为避免封装材料在高温和电子辐照下对阈值电压产生影响,实验时将被测器件裸露于空气中。实验结果表明,高温正栅偏后器件阈值电压对电子辐照更加敏感,因此提出了电子辐照对SiC MOSFET高温栅偏老化后阈值电压影响的指数关系,且0.2 MeV电子能量辐照300 kGy剂量可将39 V、150℃、2 h高温栅偏后的器件阈值电压恢复至初始值。在Sentaurus TCAD仿真软件中建立SiC MOSFET基础数值模型,设置氧化物内电子浓度和空穴陷阱,模拟高温栅偏和电子辐照对器件阈值电压的影响,讨论阈值电压恢复机制。
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关键词
SiC
MOSFET
高温栅偏
电子辐照
阈值电压
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职称材料
题名
高温栅偏和电子辐照对SiC MOSFET阈值电压影响研究
1
作者
张子扬
梁琳
尚海
盛轲焱
黄江
机构
华中科技大学
电气与电子
工程
学院强电磁技术全国重点实验室
华中科技大学电力安全与高效利用教育部工程研究中心
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第6期288-294,共7页
基金
湖北省自然科学基金资助项目(2020CFB806)
华中科技大学学术前沿青年团队资助项目(2019QYTD06)。
文摘
为研究栅氧化物在不同老化程度下电子辐照对SiC MOSFET可靠性的影响,结合高温栅偏和电子辐照2种实验对SiC MOSFET电学特性进行分析,讨论栅氧化物受到高温和强电场应力后电子辐照对SiC MOSFET阈值电压的影响。为避免封装材料在高温和电子辐照下对阈值电压产生影响,实验时将被测器件裸露于空气中。实验结果表明,高温正栅偏后器件阈值电压对电子辐照更加敏感,因此提出了电子辐照对SiC MOSFET高温栅偏老化后阈值电压影响的指数关系,且0.2 MeV电子能量辐照300 kGy剂量可将39 V、150℃、2 h高温栅偏后的器件阈值电压恢复至初始值。在Sentaurus TCAD仿真软件中建立SiC MOSFET基础数值模型,设置氧化物内电子浓度和空穴陷阱,模拟高温栅偏和电子辐照对器件阈值电压的影响,讨论阈值电压恢复机制。
关键词
SiC
MOSFET
高温栅偏
电子辐照
阈值电压
Keywords
Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(SiC MOSFET)
high-temperature gate bias
electron irradiation
threshold voltage
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高温栅偏和电子辐照对SiC MOSFET阈值电压影响研究
张子扬
梁琳
尚海
盛轲焱
黄江
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024
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