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题名基于相变存储器的存储技术研究综述
被引量：26
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作者
冒伟
刘景宁
童薇
冯丹
李铮
周文
张双武
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机构
华中科技大学武汉光电国家实验室/计算机科学与技术学院
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出处
《计算机学报》
EI
CSCD
北大核心
2015年第5期944-960,共17页
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基金
国家"九七三"重点基础研究发展规划项目基金(2011CB302301)
国家自然科学基金(61303046
+2 种基金
61173043)
国家杰出青年科学基金(61025008)
中央高校基本科研业务费(HUST:2013TS042)资助~~
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文摘
以数据为中心的大数据技术给计算机存储系统带来了机遇和挑战.传统的基于动态随机存储器(DRAM)器件的内存面临工艺尺寸缩小至2Xnm及以下所带来的系统稳定性、数据可靠性等问题;相变存储器(PCM)具有非易失性、存储密度高、功耗低、抗辐射干扰等优点,且读写性能接近DRAM,是未来最有可能取代DRAM的非易失存储器,它为存储系统的研究和设计提供了新的解决方案.文中在归纳相变存储器器件发展和研究现状的基础上,对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析,研究了基于相变存储器的内存技术和外存技术,分析了当前在PCM的寿命、写性能、延迟、功耗等方面所提出的解决方案,指出了现有方案的优势和面临的缺陷,并探讨了未来的研究方向,为该领域在今后的发展提供了一定的参考.
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关键词
相变存储器
非易失存储器
存储技术
计算机体系结构
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Keywords
phase change memory
non-volatile memory
storage technology
computer architecture
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分类号
TP303
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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