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应用于MEMS封装的TSV工艺研究
被引量：
11
1
作者
王宇哲
汪学方
+5 位作者
徐明海
吕植成
徐春林
胡畅
王志勇
刘胜
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第1期62-67,共6页
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 ...
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。
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关键词
硅通孔(TSV)
微机电系统(MEMS)封装
Bosch工艺
刻蚀
电镀
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职称材料
题名
应用于MEMS封装的TSV工艺研究
被引量：
11
1
作者
王宇哲
汪学方
徐明海
吕植成
徐春林
胡畅
王志勇
刘胜
机构
华中科技大学机械科学与工程学院武汉光电国家实验室微光机电系统研究部
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第1期62-67,共6页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA04Z307)
文摘
开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/min,一个刻蚀周期内的刻蚀和保护时长分别为8和3 s;热氧化形成绝缘层;溅射50 nm Ti黏附阻挡层和1μm Cu种子层;使用硫酸铜和甲基磺酸铜体系电镀液电镀填充通孔,比较了双面电镀和自下而上电镀工艺;最终获得了硅片厚度370μm、通孔直径60μm TSV加工工艺。测试结果证明:样品TSV无孔隙;其TSV电阻值小于0.01Ω;样品气密性良好。
关键词
硅通孔(TSV)
微机电系统(MEMS)封装
Bosch工艺
刻蚀
电镀
Keywords
through silicon via （TSV）
micro-electric-mechanical system （MEMS） packaging
Bosch process
etching
plating
分类号
TH703 [机械工程—精密仪器及机械]
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
应用于MEMS封装的TSV工艺研究
王宇哲
汪学方
徐明海
吕植成
徐春林
胡畅
王志勇
刘胜
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012
11
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