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基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法
被引量：
36
1
作者
陈材
裴雪军
+2 位作者
陈宇
汪洪亮
康勇
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第21期40-47,共8页
由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究,需要对IGBT开关过程进行分析,抽取线路的杂散电感参数...
由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究,需要对IGBT开关过程进行分析,抽取线路的杂散电感参数。传统抽取方法通常利用IGBT关断电压的最大幅值以及近似的电流斜率作为计算参数,其计算结果并不精确。为得到更精确的结果,提出一种新的参数抽取方法,通过将IGBT开通、关断的非线性过程分解为多个线性阶段,并充分考虑反并联二极管前向恢复和反向恢复的影响,在此基础上得到电压过冲ΔUce和相对应的di/dt,进而得到准确的杂散参数抽取过程。最后,将该分析方法在一台75 kVA的单相逆变器进行实验验证,利用不同工况下的开通和关断过程进行线路杂散电感抽取,均得到一致的结果,从而证明了本方法的有效性与正确性。
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关键词
电压尖峰
杂散电感
反并联二极管
开通
关断
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职称材料
题名
基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法
被引量：
36
1
作者
陈材
裴雪军
陈宇
汪洪亮
康勇
机构
华中科技大学应用电子工程系
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第21期40-47,共8页
基金
国家自然科学基金项目(50737004)
台达电力电子科教发展计划重点项目(DREK2010002)~~
文摘
由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究,需要对IGBT开关过程进行分析,抽取线路的杂散电感参数。传统抽取方法通常利用IGBT关断电压的最大幅值以及近似的电流斜率作为计算参数,其计算结果并不精确。为得到更精确的结果,提出一种新的参数抽取方法,通过将IGBT开通、关断的非线性过程分解为多个线性阶段,并充分考虑反并联二极管前向恢复和反向恢复的影响,在此基础上得到电压过冲ΔUce和相对应的di/dt,进而得到准确的杂散参数抽取过程。最后,将该分析方法在一台75 kVA的单相逆变器进行实验验证,利用不同工况下的开通和关断过程进行线路杂散电感抽取,均得到一致的结果,从而证明了本方法的有效性与正确性。
关键词
电压尖峰
杂散电感
反并联二极管
开通
关断
Keywords
voltage overshoot
stray inductance anti-parallel diode
turn-on
turn-off
分类号
TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法
陈材
裴雪军
陈宇
汪洪亮
康勇
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2011
36
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