-
题名Te掺杂单层MoS_2的电子结构与光电性质
被引量：19
- 1
-
-
作者
张昌华
余志强
廖红华
-
机构
湖北民族学院电气工程系
华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家重点实验室
-
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期785-790,共6页
-
基金
国家自然科学基金(61263030)
湖北省教育厅科学技术研究计划(B20122903)资助项目
-
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS2属于直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.64 eV。本征单层MoS2的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;Te掺杂单层MoS2为间接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.47 eV。同时通过Te掺杂,使单层MoS2的静态介电常数增大,禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为单层MoS2在光电器件方面的应用提供了理论基础。
-
关键词
第一性原理
单层MoS2
电子结构
光电性质
-
Keywords
first-principles
single-layer MoS2
electronic structure
photoelectric properties
-
分类号
O471.5
[理学—半导体物理]
-
