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具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器
1
作者
刘雪峰
黄德修
李再光
《光通信技术》
CSCD
1993年第2期87-90,共4页
报道一种具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器。由于采用了末端带高折射率类球面微透镜的锥形光纤耦合头,单模光纤与光放大器芯片之间的耦合效率达3～4dB,光放大器的光纤-光纤净增益达12～15dB。由于耦合光纤的固定采...
报道一种具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器。由于采用了末端带高折射率类球面微透镜的锥形光纤耦合头,单模光纤与光放大器芯片之间的耦合效率达3～4dB,光放大器的光纤-光纤净增益达12～15dB。由于耦合光纤的固定采用了脉冲YAG激光定位焊接和真空退火技术,这种行波半导体光放大器的稳定性大为提高。
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关键词
激光焊接
真空退火
激光放大器
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职称材料
题名
具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器
1
作者
刘雪峰
黄德修
李再光
机构
华中理工大学
华中理工大学国家激光技术重点实验室
出处
《光通信技术》
CSCD
1993年第2期87-90,共4页
基金
国家863计划资助项目
文摘
报道一种具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器。由于采用了末端带高折射率类球面微透镜的锥形光纤耦合头,单模光纤与光放大器芯片之间的耦合效率达3～4dB,光放大器的光纤-光纤净增益达12～15dB。由于耦合光纤的固定采用了脉冲YAG激光定位焊接和真空退火技术,这种行波半导体光放大器的稳定性大为提高。
关键词
激光焊接
真空退火
激光放大器
Keywords
Travelling-wave semiconductor optical amplifier(TW-SOA) Stability
Pulsed YAG laser welding location
Vacuum annealing
分类号
O722.32 [理学—晶体学]
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作者
出处
发文年
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1
具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器
刘雪峰
黄德修
李再光
《光通信技术》
CSCD
1993
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