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微电路模块板级磁芯组装失效机理与工艺设计 被引量:1
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作者 黄国平 汤春江 +1 位作者 李刚 唐锴 《现代电子技术》 2023年第4期7-12,共6页
板级磁芯是国防军工及航空航天领域使用的微电路模块的重要组成部分,其组装的可靠性对产品性能起着至关重要的作用。为从根源上解决板级磁芯粘接的可靠性问题,文中通过分析板级磁芯粘接失效机理,创新性地引入可靠的磁芯粘接胶和新的灌... 板级磁芯是国防军工及航空航天领域使用的微电路模块的重要组成部分,其组装的可靠性对产品性能起着至关重要的作用。为从根源上解决板级磁芯粘接的可靠性问题,文中通过分析板级磁芯粘接失效机理,创新性地引入可靠的磁芯粘接胶和新的灌封工艺设计,对磁芯粘接胶和灌封工艺进行针对性的探索;并采用含玻珠的新磁芯粘接胶对板级磁芯进行粘接,淘汰真空浸入式灌封而采用新的旋转灌封工艺,形成高可靠的板级磁芯组装工艺技术,彻底地解决板级磁芯粘接面开裂的问题。研究得出:板级磁芯组装失效的根源是磁芯粘接力不足以抵抗环境试验和产品内部的灌封胶应力,采用新型板级磁芯粘接胶、改进灌封方式和磁芯填充工艺是避免板级磁芯组装失效的有效工艺途径。 展开更多
关键词 微电路模块 板级磁芯 磁芯粘接 旋转灌封 组装工艺 组装失效
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InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构设计与表征 被引量:1
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作者 李林森 汪涛 朱喆 《电子技术应用》 2021年第7期118-124,共7页
介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果,设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双... 介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果,设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双晶X射线衍射等分析手段,推算出多量子阱结构中In的组分,势垒与势阱的厚度等参数与理论设计一致,具有很好的近红外探测器研制价值。 展开更多
关键词 INGAAS/GAAS 多量子阱 红外
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