基于GaN的高频高功率密度混合集成电源设计

1

作者 朱伟龙 王鹏 +1 位作者 郑辰雅 孙鹏飞 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第3期102-109,共8页

混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V... 混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V输入、5V/20A输出的混合集成DC-DC变换器。该变换器开关频率800kHz,峰值效率达92%。详细阐述了有源箝位功率电路设计、GaNHEMT驱动电路寄生参数与震荡电压控制、同步整流时序与死区时间优化、厚膜混合集成工艺及散热的设计方法和技术细节,并通过仿真与样机实验,验证和展示了GaNHEMT和混合集成电路在高功率密度和高效率方面的优势。 展开更多

关键词 混合集成电路 有源箝位正激 氮化镓 同步整流 高可靠

在线阅读 下载PDF 职称材料

钽掺杂的钌基厚膜电阻导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的研究

2

作者 巨新 杨建红 《电子科学学刊》 CSCD 1995年第2期215-219,共5页

本文报道了钽掺杂钌基厚膜电阻制备过程中导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的实验研究结果。当导电相和玻璃相颗粒尺寸分别达到25和50nm时,电阻阻值和电阻温度系数也随之发生显著变化,并尝试根据厚膜电阻导电机理对其产生的原因进行定性的分析。

关键词 Liao基厚膜电阻 颗粒尺寸效应 混合集成电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于MEMS工艺的集成爆炸箔起爆器研究 被引量：2

3

作者 郭宁 周文渊 +4 位作者 李建 李鸿高 朱朋 沈瑞琪 陈楷 《上海航天》 CSCD 2019年第S1期120-126,共7页

针对传统爆炸箔起爆器功耗高、体积大等问题,对基于MEMS工艺制备的低功耗、小型化集成爆炸箔起爆器进行研究。从仿真设计、工艺制备和试验表征3个方面对集成爆炸箔起爆器进行了较为系统的研究。试验结果表明:运用MEMS工艺制备的集成爆... 针对传统爆炸箔起爆器功耗高、体积大等问题,对基于MEMS工艺制备的低功耗、小型化集成爆炸箔起爆器进行研究。从仿真设计、工艺制备和试验表征3个方面对集成爆炸箔起爆器进行了较为系统的研究。试验结果表明:运用MEMS工艺制备的集成爆炸箔起爆器可成功起爆HNS炸药,采用PC/Cu复合飞片与SU-8光刻胶等新型材料集成制备爆炸箔起爆器是可行的。 展开更多

关键词 MEMS工艺 集成爆炸箔起爆器 最佳设计参数 性能表征

在线阅读 下载PDF 职称材料

混合集成电路静电放电薄弱环节识别及静电防护研究 被引量：3

4

作者 童洋 李佳 范慧文 《电子质量》 2018年第12期124-127,共4页

静电放电及防护是一门有关静电产生、危害及防护的独立技术,是产品设计与制造环境不可或缺的一个重要的环境技术。该文通过对混合集成电路静电放电的特征与危害的论述,薄弱环节的识别分析,分析了混合集成电路从元器件采购、生产制造直... 静电放电及防护是一门有关静电产生、危害及防护的独立技术,是产品设计与制造环境不可或缺的一个重要的环境技术。该文通过对混合集成电路静电放电的特征与危害的论述,薄弱环节的识别分析,分析了混合集成电路从元器件采购、生产制造直至包装运输等过程存在的ESD薄弱环节,提出了静电防护的技术和管理措施。 展开更多

关键词 混合集成电路 静电放电 静电防护

在线阅读 下载PDF 职称材料

(TAGH)ClO_4的结构、热力学及感度性能

5

作者 齐书元 张同来 +2 位作者 敖国军 张建国 杨利 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期35-39,共5页

以三氨基胍和高氯酸为原料,合成了三胺基胍高氯酸盐(TAGH)ClO4)。利用X-射线单晶衍射仪测定了其晶体结构。结果表明,晶体属于单斜晶系,空间群为P2(1)/c,晶胞参数为a=1.0213(11)nm,b=1.4869(15)nm,c=1.0936(11)nm,β=102.91(2)°。... 以三氨基胍和高氯酸为原料,合成了三胺基胍高氯酸盐(TAGH)ClO4)。利用X-射线单晶衍射仪测定了其晶体结构。结果表明,晶体属于单斜晶系,空间群为P2(1)/c,晶胞参数为a=1.0213(11)nm,b=1.4869(15)nm,c=1.0936(11)nm,β=102.91(2)°。该化合物的分子式为CH9ClN6O4是由三胺基胍离子和高氯酸根结合形成的离子化合物,分子中含有大量的氢键。利用元素分析、红外光谱、DSC、TG-DTG等方法对标题化合物的组成和热力学行为进行了表征,结果表明,在10℃/min线性升温速率下标题化合物在457.03℃时质量损失达到99.7%。感度实验结果表明,标题化合物具有较低的摩擦感度,在撞击和火焰作用下均不发火。 展开更多

关键词 物理化学 三胺基胍 晶体结构 热分析 机械感度 (TAGH)ClO4

在线阅读 下载PDF 职称材料

混合集成电路技术发展与展望 被引量：21

6

作者 李振亚 赵钰 《中国电子科学研究院学报》 2009年第2期119-124,共6页

混合集成电路(HIC)作为微电子领域的一个重要分支,它的发展得益于军事电子装备的高性能、多功能、小型化和高可靠的要求。文章概要介绍了HIC技术和产品发展现状,简要分析了国内外HIC技术和产品存在的差距,展望了HIC未来发展趋势,最后提... 混合集成电路(HIC)作为微电子领域的一个重要分支,它的发展得益于军事电子装备的高性能、多功能、小型化和高可靠的要求。文章概要介绍了HIC技术和产品发展现状,简要分析了国内外HIC技术和产品存在的差距,展望了HIC未来发展趋势,最后提出发展我国HIC的目标和建议。 展开更多

关键词 微电子 混合集成电路 现状 趋势

在线阅读 下载PDF 职称材料

热成像技术在厚膜混合集成电路热设计中的应用 被引量：1

7

作者 刘一成 王洪恩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期33-34,共2页

本文简述了红外热成像技术用于厚膜混合集成电路热设计中的理论与实验方法，并讨论了结果。

关键词 红外热成像 混合集成电路 厚膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构设计与表征 被引量：1

8

作者 李林森 汪涛 朱喆 《电子技术应用》 2021年第7期118-124,共7页

介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果,设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双... 介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果,设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双晶X射线衍射等分析手段,推算出多量子阱结构中In的组分,势垒与势阱的厚度等参数与理论设计一致,具有很好的近红外探测器研制价值。 展开更多

关键词 INGAAS/GAAS 多量子阱 红外

在线阅读 下载PDF 职称材料

微电路模块板级磁芯组装失效机理与工艺设计 被引量：1

9

作者 黄国平 汤春江 +1 位作者 李刚 唐锴 《现代电子技术》 2023年第4期7-12,共6页

板级磁芯是国防军工及航空航天领域使用的微电路模块的重要组成部分,其组装的可靠性对产品性能起着至关重要的作用。为从根源上解决板级磁芯粘接的可靠性问题,文中通过分析板级磁芯粘接失效机理,创新性地引入可靠的磁芯粘接胶和新的灌... 板级磁芯是国防军工及航空航天领域使用的微电路模块的重要组成部分,其组装的可靠性对产品性能起着至关重要的作用。为从根源上解决板级磁芯粘接的可靠性问题,文中通过分析板级磁芯粘接失效机理,创新性地引入可靠的磁芯粘接胶和新的灌封工艺设计,对磁芯粘接胶和灌封工艺进行针对性的探索;并采用含玻珠的新磁芯粘接胶对板级磁芯进行粘接,淘汰真空浸入式灌封而采用新的旋转灌封工艺,形成高可靠的板级磁芯组装工艺技术,彻底地解决板级磁芯粘接面开裂的问题。研究得出:板级磁芯组装失效的根源是磁芯粘接力不足以抵抗环境试验和产品内部的灌封胶应力,采用新型板级磁芯粘接胶、改进灌封方式和磁芯填充工艺是避免板级磁芯组装失效的有效工艺途径。 展开更多

关键词 微电路模块 板级磁芯 磁芯粘接 旋转灌封 组装工艺 组装失效

在线阅读 下载PDF 职称材料

LTCC微波一体化封装 被引量：16

10

作者 董兆文 李建辉 沐方清 《电子与封装》 2010年第5期1-6,共6页

文章介绍了采用LTCC技术制作微波一体化封装,重点研究了X波段LTCC一体化封装的微带穿墙结构及其微波特性。同时对封装的散热结构进行了研究,根据不同的散热要求采用不同的散热结构。采用导热孔散热的方式,其热导率与导热孔的排列方式(... 文章介绍了采用LTCC技术制作微波一体化封装,重点研究了X波段LTCC一体化封装的微带穿墙结构及其微波特性。同时对封装的散热结构进行了研究,根据不同的散热要求采用不同的散热结构。采用导热孔散热的方式,其热导率与导热孔的排列方式(孔径和间距)有关,热导率可达50W(m·K)-1。封装的气密性与导热孔的结构有密切关系,热沉的焊接可大大提高封装的气密性。 展开更多

关键词 低温共烧陶瓷 微波 一体化封装 导热孔

在线阅读 下载PDF 职称材料

LTCC技术在移动通信领域的应用 被引量：1

11

作者 王传声 叶天培 王正义 《电子与封装》 2002年第3期49-54,共6页

本文主要介绍了 LTCC 技术的市场背景、特点、技术性能优势和在移动通信领域中的应用情况。

关键词 LTCC技术 PWB 移动通信

在线阅读 下载PDF 职称材料

IC芯片凸点的制作与可靠性考核

12

作者 况延香 《电子工艺技术》 1999年第6期217-220,共4页

用多种方法制作了Ａｕ 凸点、Ｃｕ／Ａｕ 凸点、Ｎｉ／Ａｕ 凸点、Ｃｕ／Ｐｂ － Ｓｎ 凸点及Ｃ４ 凸点等。其中制作的微型Ａｕ 凸点直径为１０ μｍ ，间距３０ μｍ ，高度５ ～８ μｍ ，芯片上微凸点近１ ０００ 个。还对各种不同... 用多种方法制作了Ａｕ 凸点、Ｃｕ／Ａｕ 凸点、Ｎｉ／Ａｕ 凸点、Ｃｕ／Ｐｂ － Ｓｎ 凸点及Ｃ４ 凸点等。其中制作的微型Ａｕ 凸点直径为１０ μｍ ，间距３０ μｍ ，高度５ ～８ μｍ ，芯片上微凸点近１ ０００ 个。还对各种不同的制作方法进行了研究，并对芯片凸点的可靠性进行了一定的考核，效果良好。文中给出一组试验芯片的Ｃｕ／Ｐｂ － Ｓｎ 凸点可靠性考核数据：经１２５ ℃，１ ０００ ｈ 电老化，其接触电阻变化范围为０ ．１ ％ ～０ ．７ ％ ；经－ ５５ ℃～＋ １２５ ℃，１ ０００ 次高低温冲击，其接触电阻也在０ ～０ ．７ ％ 内。而且，经高低温冲击后，仍具有相当高的剪切力：１６ 个直径２００μｍ 的凸点剪切力最低为１７ ．５Ｎ，最高４２ ．５ Ｎ，平均值为２７ ．８ Ｎ。 展开更多

关键词 芯片凸点 FCB C4技术 DCA IC

在线阅读 下载PDF 职称材料