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NMTO方法对金红石结构RuO_(2)的计算研究
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作者 向悦 梁敏 +1 位作者 王艺苏 谢文辉 《华东师范大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第3期100-108,共9页
采用基于密度泛函理论的NMTO(Nth-order muffin-tin orbital)方法,对金红石结构RuO_(2)进行了自洽计算研究.计算结果显示,在考虑电子关联效应时,RuO_(2)呈现出具有交替磁性特性的反铁磁有序;而若不考虑电子关联效应,RuO_(2)则无磁性.将N... 采用基于密度泛函理论的NMTO(Nth-order muffin-tin orbital)方法,对金红石结构RuO_(2)进行了自洽计算研究.计算结果显示,在考虑电子关联效应时,RuO_(2)呈现出具有交替磁性特性的反铁磁有序;而若不考虑电子关联效应,RuO_(2)则无磁性.将NMTO方法的计算结果与基于赝势平面波方法的VASP计算结果进行对比,发现NMTO方法能够合理地描述非密堆积金红石结构RuO_(2)的物理性质.此外,通过NMTO方法特有的折叠技术还成功获取了基于Ru的d电子轨道的紧束缚模型参数.这些参数与通过VASP(Vienna ab-initio simulation package)方法结合最大局域化Wannier函数得到的参数高度一致,差异很小.研究表明,NMTO方法能够很好地描述RuO_(2)的性质,其特有的折叠技术能够给出合理的紧束缚参数,从而有助于深入理解RuO_(2)的物性. 展开更多
关键词 密度泛函理论计算 金红石结构RuO_(2) NMTO方法
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直立碳纳米管超级电容器的研究 被引量:11
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作者 叶晓燕 王艳芝 +3 位作者 宋海燕 孙卓 何品刚 方禹之 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期24-29,共6页
在石英玻璃基底上,以酞菁裂解法低压气相沉积制备大面积管径均匀、长度一致的直立碳纳米管.分别应用电解质溶液浸润、酸处理和循环伏安扫描等3种不同方法纯化活化该直立碳纳米管,并以活化后的碳纳米管作为原型超级电容器的电极.循... 在石英玻璃基底上,以酞菁裂解法低压气相沉积制备大面积管径均匀、长度一致的直立碳纳米管.分别应用电解质溶液浸润、酸处理和循环伏安扫描等3种不同方法纯化活化该直立碳纳米管,并以活化后的碳纳米管作为原型超级电容器的电极.循环伏安扫描和交流阻抗测试表明,CV曲线呈近似矩形,交流阻抗最大相位角超过80°,该直立碳纳米管的比电容为16~32F/g,乃超级电容器理想的电极材料. 展开更多
关键词 直立碳纳米管 超级电容器 循环伏安 交流阻抗
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酞菁裂解法制备定向碳纳米管阵列及其场发射性能研究(英文) 被引量:2
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作者 宋海燕 叶晓燕 +4 位作者 李艳楠 单志超 何品刚 孙卓 方禹之 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期682-686,共5页
碳纳米管作为一种新型的光电材料有着广泛的应用,可用于平板显示器中的电子发射器件。定向碳纳米管阵列是碳纳米管的一种取向形态,具有其独特的性质。与缠绕无序的碳纳米管相比,定向碳纳米管更易分散、测量和应用。文章在低压条件下采... 碳纳米管作为一种新型的光电材料有着广泛的应用,可用于平板显示器中的电子发射器件。定向碳纳米管阵列是碳纳米管的一种取向形态,具有其独特的性质。与缠绕无序的碳纳米管相比,定向碳纳米管更易分散、测量和应用。文章在低压条件下采用酞菁铁高温裂解法,在800~1000℃,以石英玻璃为基底,制备了大面积高度定向的碳纳米管。通过SEM和TEM对定向碳纳米管的结构进行分析。结果表明该法制备的碳纳米管长20μm,管径40~70nm,为竹节状结构的多壁碳纳米管。实验中发现系统真空度和生长温度都对定向碳纳米管生长有影响。通过对该碳纳米管进行场发射测试,结果表明此定向碳纳米管的开启电压仅为0.67V.μm-1(I=1μA),阈值电压为2.5V.μm-1,具有良好的场发射性能。 展开更多
关键词 定向碳纳米管阵列 高温裂解 场发射
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碳纳米管薄膜对重金属离子吸附的研究及应用 被引量:4
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作者 刘行 熊智淳 +3 位作者 陈祎东 张巍巍 潘丽坤 孙卓 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期49-52,共4页
采用刮涂法制备碳纳米管(CNT)薄膜,以铜离子(Cu2+)为例,研究了其吸附去除重金属离子的行为.结果表明,碳纳米管薄膜吸附Cu2+满足Langmuir等温吸附;278 K时符合准二级动力学模型,而在298 K和318 K时符合准一级动力学模型;在298 K时CNT薄... 采用刮涂法制备碳纳米管(CNT)薄膜,以铜离子(Cu2+)为例,研究了其吸附去除重金属离子的行为.结果表明,碳纳米管薄膜吸附Cu2+满足Langmuir等温吸附;278 K时符合准二级动力学模型,而在298 K和318 K时符合准一级动力学模型;在298 K时CNT薄膜吸附Cu2+的最大吸附量为4.14 mg/g.在应用层面,设计了一套基于该CNT薄膜的水处理器件. 展开更多
关键词 吸附 碳纳米管薄膜 铜离子 水处理器件
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基于微通道的ZnO纳米棒生物荧光检测研究 被引量:3
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作者 刘向飞 蒋栋 +1 位作者 赵振杰 李欣 《传感器与微系统》 CSCD 2015年第5期22-25,共4页
利用种子法和水热合成技术,分别在常规条件下和阵列式微通道中制备氧化锌(Zn O)纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等分析方法表征Zn O纳米棒的表面形貌特点和晶体结构。结果表明:微通道中制备的Zn O纳米棒的比表面积、... 利用种子法和水热合成技术,分别在常规条件下和阵列式微通道中制备氧化锌(Zn O)纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等分析方法表征Zn O纳米棒的表面形貌特点和晶体结构。结果表明:微通道中制备的Zn O纳米棒的比表面积、结晶度和c轴取向性均有较大程度的提高。同时,建立了基于阵列式微通道的Zn O纳米棒生物荧光检测方法,利用Zn O纳米棒可显著增强荧光信号,对异硫氰酸荧光素标记的羊抗牛Ig G抗体的检测限为1×10-4μg/m L。 展开更多
关键词 微通道 ZN O纳米棒 生物荧光检测
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I掺杂TiO_(2)纳米管阵列平面光催化燃料电池的性能研究 被引量:2
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作者 周君 席清华 +2 位作者 黄宜强 聂耳 孙卓 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期165-175,I0001-I0009,共20页
采用阳极氧化法制备了I掺杂TiO2纳米管阵列(I-doped TiO_(2) Nanotubes Arrays, ITNA)光阳极,该电极表现出比TNA更加优异的降解性能.将ITNA与Pt电极组合得到的平面光催化燃料电池(planar Photocatalytic Fuel Cell, p-PFC)在亚甲基蓝(Me... 采用阳极氧化法制备了I掺杂TiO2纳米管阵列(I-doped TiO_(2) Nanotubes Arrays, ITNA)光阳极,该电极表现出比TNA更加优异的降解性能.将ITNA与Pt电极组合得到的平面光催化燃料电池(planar Photocatalytic Fuel Cell, p-PFC)在亚甲基蓝(Methylene Blue, MB)浓度为6 mg·L^(–1)、极板间距为1.0 cm时脱色率达到最大,为93.1%. MB的降解发生在ITNA表面,为限速步骤.对比了p-PFC和传统PFC结构对MB和其他有机物的降解, p-PFC中h+和·OH的产生和传质优于其他结构,具有更高的光催化性能. 展开更多
关键词 平面光催化燃料电池 二氧化钛纳米管阵列 I掺杂 亚甲基蓝
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低压下酞菁裂解法制备定向碳纳米管阵列 被引量:8
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作者 宋海燕 李艳楠 +4 位作者 赵琨 叶晓燕 何品刚 孙卓 方禹之 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1622-1627,共6页
在低压条件下以酞菁铁为原料,采用独立双温控加热系统在石英玻璃基底上气相沉积制备了大面积准直性好和管径均匀的碳纳米管.利用扫描电子显微镜(SEM/FESEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了定向碳纳米管的生长形态和结构.详细讨论了系统真... 在低压条件下以酞菁铁为原料,采用独立双温控加热系统在石英玻璃基底上气相沉积制备了大面积准直性好和管径均匀的碳纳米管.利用扫描电子显微镜(SEM/FESEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了定向碳纳米管的生长形态和结构.详细讨论了系统真空度、反应温度、气体流速及氢气和氩气的体积比例等参数对碳纳米管生长的影响,并测试了该碳纳米管的场发射性能及超电容性能. 展开更多
关键词 定向碳纳米管阵列 裂解法 场发射 超电容
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表面形貌特殊的碳纳米管薄膜及其场发射增强(英文) 被引量:6
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作者 陈婷 郭平生 +6 位作者 王莉莉 冯涛 陈弈卫 张哲娟 林丽锋 阙文修 孙卓 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期283-287,共5页
采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构。通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米... 采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构。通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米管薄膜的场发射性能。实验结果表明,这两种碳纳米管薄膜都具有优异的场发射性能,10μA/cm^2时的开启电场分别仅为1.02 V/μm和1.15 V/μm,在外加电场为2.4 V/μm时的电流密度分别达到4.32 mA/cm^2和6.88 mA/cm^2。通过场发射FN的曲线计算得到的场发射增强因子分别为10113和6840。这两种碳纳米管薄膜优异的场发射性能与其表面的微结构有关。表面的粗糙结构增强了部分碳纳米管的局域电场,易于发射电子。 展开更多
关键词 场发射显示 碳纳米管 场发射 表面形貌
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空气氧化法对纳米碳管场发射性能的影响(英文) 被引量:2
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作者 张哲娟 孙卓 +3 位作者 张燕萍 杨介信 冯涛 陈奕卫 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期541-547,共7页
以镍金属为催化剂,在600℃条件下,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管。将制得的碳纳米管用高能球磨法处理0.5~1h后,以空气氧化法进行提纯,并研究了氧化温度对碳纳米管形貌和场发射性能的影响。用扫描电镜、Raman光谱分别对300~500... 以镍金属为催化剂,在600℃条件下,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管。将制得的碳纳米管用高能球磨法处理0.5~1h后,以空气氧化法进行提纯,并研究了氧化温度对碳纳米管形貌和场发射性能的影响。用扫描电镜、Raman光谱分别对300~500℃的氧化提纯后的碳纳米管的形貌和结构进行了表征。结果表明:碳纳米管的场发射性能随温度的升高而升高,经400~450℃加热10min后,非晶碳成分减少,碳管纯度得到提高,场发射性能达到最高;当氧化温度继续升高时,碳纳米管的缺陷密度增大,非晶化程度增加,场发射特性变差。因此,通过控制氧化温度可以有效提高碳纳米管的纯度和场发射性能。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射 球磨 空气氧化
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硝酸铁浓度对石墨片上生长的碳纳米管场发射性能的影响(英文) 被引量:2
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作者 张燕萍 高阳 +4 位作者 张哲娟 潘丽坤 王莉莉 孙卓 黄士勇 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期366-371,共6页
石墨衬底先分别浸泡于0.1~1 mol/L不同浓度的硝酸铁溶液后,采用低压化学气相沉积法于700℃在石墨衬底上生长碳纳米管薄膜.根据扫描电子显微镜照片及拉曼光谱分析碳纳米管的形貌和构成.碳纳米管的场发射性能的研究采用标准电流-电压测试... 石墨衬底先分别浸泡于0.1~1 mol/L不同浓度的硝酸铁溶液后,采用低压化学气相沉积法于700℃在石墨衬底上生长碳纳米管薄膜.根据扫描电子显微镜照片及拉曼光谱分析碳纳米管的形貌和构成.碳纳米管的场发射性能的研究采用标准电流-电压测试.浸泡于0.6 mol/L硝酸铁溶液的石墨片上所生长的碳纳米管的场发射性能最佳. 展开更多
关键词 场发射 碳纳米管 硝酸铁浓度
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利用流动催化法在减压化学气相沉积系统中制备碳纳米管粉末(英文) 被引量:1
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作者 李艳楠 孙卓 +5 位作者 陈岳 张哲娟 王莉莉 陈婷 陈奕卫 杨介信 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期288-293,共6页
以二茂铁作为催化剂,H_2为还原气和载气,反应温度为650℃,压强15 kPa时,在一定的催化温度下,调节碳源中噻吩与环已烷的摩尔比,在减压化学气相沉积体系中制备了大量网状碳纳米管粉末。对反应过程中二茂铁的催化温度以及噻吩与环已烷的摩... 以二茂铁作为催化剂,H_2为还原气和载气,反应温度为650℃,压强15 kPa时,在一定的催化温度下,调节碳源中噻吩与环已烷的摩尔比,在减压化学气相沉积体系中制备了大量网状碳纳米管粉末。对反应过程中二茂铁的催化温度以及噻吩与环已烷的摩尔比对产物的影响进行了分析与研究,结果表明碳纳米管的产量随催化剂的量的增加而增大,其质量随催化温度的升高而下降;噻吩与环已烷的摩尔比对产物的形貌与质量有着一定的影响。用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱对碳纳米管进行了表征。 展开更多
关键词 碳纳米管 硫颗粒的影响 二茂铁的催化温度
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浸泡Ni(NO_3)_2溶液的石墨在不同温度下生长的碳纳米管及其场发射性能(英文)
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作者 高阳 张燕萍 +5 位作者 王莉莉 张哲娟 潘立坤 陈弈卫 孙卓 杨介信 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期687-693,共7页
将石墨衬底浸泡于0.5mol/LNi(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜。研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随... 将石墨衬底浸泡于0.5mol/LNi(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜。研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小。同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强。实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射性能 石墨衬底 生长温度 Ni(NO3)2溶液
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无颗粒型银导电墨水的制备及其性能研究 被引量:4
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作者 周广洲 蔡亚果 +2 位作者 张哲娟 孙卓 朴贤卿 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期50-54,60,共6页
首先以硝酸银作为银源,制备出柠檬酸银和碳酸银,然后以柠檬酸银和碳酸银为金属前驱体化合物,异丙胺为络合剂,甲醇为还原剂,另加入少量添加剂以调节粘度和表面张力等物理参数,制得无颗粒银导电墨水。该银导电墨水可以采用A4平板打印机在P... 首先以硝酸银作为银源,制备出柠檬酸银和碳酸银,然后以柠檬酸银和碳酸银为金属前驱体化合物,异丙胺为络合剂,甲醇为还原剂,另加入少量添加剂以调节粘度和表面张力等物理参数,制得无颗粒银导电墨水。该银导电墨水可以采用A4平板打印机在PET(Polyethylene terephthalate)上打印图案,并在较低的热处理温度下即可获得导电性较好的银膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、四探针测试仪、接触角测量仪、傅里叶变换红外光谱仪、热分析仪对柠檬酸银、碳酸银、导电墨水及导电银膜进行测试表征。结果表明导电墨水经130℃热处理之后,导电银膜由均匀的纳米银颗粒组成;经130℃热处理40min后,得到的银膜的方块电阻可低至0.84Ω·□^(-1),可广泛用于电子印刷行业。 展开更多
关键词 无颗粒 导电墨水 喷墨印刷 印刷电子
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铜铟镓硒薄膜太阳电池研究进展和挑战 被引量:9
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作者 陶加华 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期395-412,共18页
铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_(2),CIGS)太阳电池产业化受到全世界广泛关注。作为高转换效率薄膜电池,其效率可与晶硅电池相比,目前最高效率达到23.35%。对于小面积实验室电池而言,研究重点是精确控制吸收层的化学计量比和效率;对于工业化生产... 铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_(2),CIGS)太阳电池产业化受到全世界广泛关注。作为高转换效率薄膜电池,其效率可与晶硅电池相比,目前最高效率达到23.35%。对于小面积实验室电池而言,研究重点是精确控制吸收层的化学计量比和效率;对于工业化生产而言,除化学计量比和效率外,成本、重现性、产出和工艺兼容性在商业化生产中至关重要。重点介绍了不同制备工艺、吸收层组分梯度调控、碱金属后沉积处理、宽带隙无镉缓冲层、透明导电层和柔性衬底等研究进展。从CIGS电池的效率来看,将实验室创纪录的高效电池技术转移到平均工业生产水平带来显而易见的挑战。 展开更多
关键词 铜铟镓硒(Cu(In Ga)Se CIGS)太阳电池 组分梯度 碱金属 无镉缓冲层 产业化 叠层
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光催化材料MIL-125(Ti)/BiOI的制备及光催化性能研究 被引量:3
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作者 黄贤智 朴贤卿 蔡亚果 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期93-104,114,共13页
以五水硝酸铋、碘化钾、MIL-125(Ti)为原料,以乙二醇为溶剂,以柠檬酸为结构诱导剂,通过一步共沉淀法制备了异质结结构光催化剂MIL-125(Ti)/BiOI,并测试了该催化剂在可见光下对有机染料罗丹明B的光催化降解效果.通过XRD(X-ray Diffracti... 以五水硝酸铋、碘化钾、MIL-125(Ti)为原料,以乙二醇为溶剂,以柠檬酸为结构诱导剂,通过一步共沉淀法制备了异质结结构光催化剂MIL-125(Ti)/BiOI,并测试了该催化剂在可见光下对有机染料罗丹明B的光催化降解效果.通过XRD(X-ray Diffraction)、PL(Photolumiscence)、SEM (Scanning Electron Microscope)、BET和UV-Vis (Ultraviolet and Visible Spectrophotometer)等表征手段研究了其结构、形貌、光谱与催化性能间的关系,并从能带结构上分析了其催化机理.结果表明,通过调节Ti:Bi, MIL-125(Ti)/BiOI在可见光照射下对有机染料罗丹明B有很好的光催化降解效果,并且该催化剂具有良好的稳定性,具有一定的工业化应用前景. 展开更多
关键词 MIL-125(Ti) BiOI 可见光 罗丹明B 光催化降解
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复合结构丝的非对称巨磁阻抗效应研究
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作者 杨秀芳 阮建中 +2 位作者 张娟 陈德禄 赵振杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期2214-2217,共4页
采用磁控溅射法制备了Ni80Fe20/Fe50Mn50/Ni80Fe20/Cu复合结构丝,研究了外层Ni80Fe20厚度、驱动电流大小及频率等变化对非对称巨磁阻抗(AGMI)效应的影响。实验结果表明,随着外层Ni80Fe20厚度增加,铁磁-反铁磁的交换耦合作用呈现逐渐减... 采用磁控溅射法制备了Ni80Fe20/Fe50Mn50/Ni80Fe20/Cu复合结构丝,研究了外层Ni80Fe20厚度、驱动电流大小及频率等变化对非对称巨磁阻抗(AGMI)效应的影响。实验结果表明,随着外层Ni80Fe20厚度增加,铁磁-反铁磁的交换耦合作用呈现逐渐减小的变化规律。固定内层Ni80Fe20、Fe50Mn50、Cu厚度分别为0.85、0.5和30μm,外层Ni80 Fe20厚度为1.72μm,驱动电流为10mA,频率为1MHz左右,AGMI效应最明显。 展开更多
关键词 磁控溅射 AGMI 复合结构丝
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可调带隙硫硒化锑薄膜及太阳电池的研究进展
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作者 曹宇 武颖 +4 位作者 周静 倪牮 张建军 陶加华 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期311-326,共16页
硫硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富且低毒、性能稳定等本征优势成为研究热点。目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池最高效率已超过10%,显示出产业化潜力。Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的研究重点是提高吸光层... 硫硒化锑(Sb_(2)(S,Se)_(3))薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富且低毒、性能稳定等本征优势成为研究热点。目前Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池最高效率已超过10%,显示出产业化潜力。Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的研究重点是提高吸光层质量和优化器件结构。首先,系统介绍了Sb_(2)(S,Se)_(3)薄膜的主流生长工艺;其次,对Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池各功能层选择和渐变带隙结构设计进行分析;最后,对Sb_(2)(S,Se)_(3)太阳电池的大面积制备和其在锑基多结叠层太阳电池中的应用潜力做了进一步展望,为其产业化发展提供可行性参考。 展开更多
关键词 硫硒化锑太阳电池 制备方法 载流子传输层 渐变带隙
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高温固相反应工艺制备AlON粉体 被引量:8
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作者 刘学建 李会利 +2 位作者 黄政仁 王士维 江东亮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1159-1162,共4页
以Al2O3和AlN为原料,在氮气气氛下通过高温固相反应工艺合成氮氧化铝(AlON)粉体,借助XRD分析系统研究了反应温度、保温时间及原料配比等工艺参数对反应产物相组成的影响并探讨了反应机理.研究结果表明:该反应主要受热力学控制,动力学因... 以Al2O3和AlN为原料,在氮气气氛下通过高温固相反应工艺合成氮氧化铝(AlON)粉体,借助XRD分析系统研究了反应温度、保温时间及原料配比等工艺参数对反应产物相组成的影响并探讨了反应机理.研究结果表明:该反应主要受热力学控制,动力学因素也具有重要作用,反应温度和保温时间对AlON粉体的合成均具有重要影响.在相对较低的反应温度下,通过AlN固溶进入Al2O3晶格形成富氧(O-rich)的AlON相;在相对较高的反应温度下,产物中少量残余的AlN通过进一步扩散固溶进入O-rich-AlON晶格形成富氮(N-rich)的AlON相(N-rich-AlON);在1950℃时,合成单相的AlON粉体. 展开更多
关键词 氮氧化铝(AlON) 粉体 固相反应 反应动力学 反应机理
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用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能(英文) 被引量:12
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作者 姚雨 靳彩霞 +2 位作者 董志江 孙卓 黄素梅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期273-277,共5页
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统... 应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。 展开更多
关键词 GAN基发光二极管 铟锡氧化物 表面粗化 自然光刻
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下一代移动通信LTE中功率放大器芯片设计 被引量:1
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作者 阮颖 朱武 +1 位作者 张书霖 赖宗声 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期674-678,共5页
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频功率放大器采用共发射极3级级联的全差分结构,提高了输出电压摆幅,减小了功率晶体管的集电极电流,且降低... 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频功率放大器采用共发射极3级级联的全差分结构,提高了输出电压摆幅,减小了功率晶体管的集电极电流,且降低了寄生的键合线电感。在预放大级和中间放大级、功率级中分别设计了电阻偏置和有源偏置两种偏置电路以提高线性度性能,并通过MOS开关管实现功率控制功能。测试结果表明:在2.57~2.62 GHz工作频段内,正向增益S21大于30.5 dB,输入回波损耗S11和输出回波损耗S22分别均小于-13 dB,功率增益大于31 dB,输出1 dB压缩点功率达28.6 dBm,功率附加效率为18%。 展开更多
关键词 功率放大器 差分 SIGE BICMOS 移动通信
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