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结构为Pt/SiNWs/n-Si/Al肖特基二极管的电子特性(英文)
被引量：
1
1
作者
朱美光
张健
+1 位作者
王志亮
马殿飞
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期483-488,501,共7页
采用湿化学刻蚀法直接在n-Si衬底上制备了硅纳米线(Si NWs),用无电镀法在制备好的硅纳米线上修饰Pt纳米粒子作为上电极以形成结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管。研究了无电镀参数(如氯铂酸钾K2PtCl6浓度,无电镀时间)对结构为Pt/Si...
采用湿化学刻蚀法直接在n-Si衬底上制备了硅纳米线(Si NWs),用无电镀法在制备好的硅纳米线上修饰Pt纳米粒子作为上电极以形成结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管。研究了无电镀参数(如氯铂酸钾K2PtCl6浓度,无电镀时间)对结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管电流-电压的影响。从所得的电流-电压特性曲线中提取了肖特基二极管的三个特征参数(理想因子、势垒高度以及串联电阻),并分析了这三个特征参数与无电镀参数的关系,从而确定了一个制备结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al肖特基二极管的理想条件。研究还发现所制备的肖特基二极管理想因子大于1,势垒高度～0.67eV,与金属铂(Pt)的功函数无关,这些特性可以用巴丁模型来解释。
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关键词
硅纳米线
肖特基二极管
巴丁模型
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职称材料
题名
结构为Pt/SiNWs/n-Si/Al肖特基二极管的电子特性(英文)
被引量：
1
1
作者
朱美光
张健
王志亮
马殿飞
机构
华东师范大学电子系传感器技术国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期483-488,501,共7页
基金
supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant 60672002)
Innovation Program of Shanghai Municipal Education Commission (09ZZ46)
文摘
采用湿化学刻蚀法直接在n-Si衬底上制备了硅纳米线(Si NWs),用无电镀法在制备好的硅纳米线上修饰Pt纳米粒子作为上电极以形成结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管。研究了无电镀参数(如氯铂酸钾K2PtCl6浓度,无电镀时间)对结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al的肖特基二极管电流-电压的影响。从所得的电流-电压特性曲线中提取了肖特基二极管的三个特征参数(理想因子、势垒高度以及串联电阻),并分析了这三个特征参数与无电镀参数的关系,从而确定了一个制备结构为Pt/Si NWs/n-Si/Al肖特基二极管的理想条件。研究还发现所制备的肖特基二极管理想因子大于1,势垒高度～0.67eV,与金属铂(Pt)的功函数无关,这些特性可以用巴丁模型来解释。
关键词
硅纳米线
肖特基二极管
巴丁模型
Keywords
silicon nanowires
schottky diode
Bardeen model
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TN387 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
结构为Pt/SiNWs/n-Si/Al肖特基二极管的电子特性(英文)
朱美光
张健
王志亮
马殿飞
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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