A位La/Sr共掺杂PbZrO_(3)薄膜的制备及储能特性优化

1

作者 沈浩 陈倩倩 +2 位作者 周渤翔 唐晓东 张媛媛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1022-1028,共7页

反铁电材料凭借超高的功率密度,在电介质能量存储领域具有极高的研究热度。锆酸铅(PbZrO_(3),PZO)是反铁电材料的典型代表,也是研究最为广泛的反铁电材料之一。如何提升PZO基材料的储能性能是目前的研究重点。本工作在La^(3+)掺杂PZO的... 反铁电材料凭借超高的功率密度,在电介质能量存储领域具有极高的研究热度。锆酸铅(PbZrO_(3),PZO)是反铁电材料的典型代表,也是研究最为广泛的反铁电材料之一。如何提升PZO基材料的储能性能是目前的研究重点。本工作在La^(3+)掺杂PZO的基础上,进一步将小半径的Sr^(2+)掺入到PZO钙钛矿结构的A位,实现了PZO基反铁电薄膜储能性能的进一步提升。采用溶胶-凝胶法制备了A位La/Sr共掺杂Pb__(0.94-x)La_(0.04)Sr_(x)ZrO_(3)(Sr-PLZ-x,x=0,0.03,0.06,0.09,0.12)反铁电薄膜,系统研究了不同Sr^(2+)掺杂量对Sr-PLZ-x反铁电薄膜的晶体结构,以及铁电性能、储能性能和疲劳性能等的影响。结果表明:随着Sr^(2+)掺杂量x的增加,Sr-PLZ-x薄膜的晶格常数不断减小,薄膜的饱和极化强度先略有增加并保持,后逐渐降低。同时,Sr-PLZ-x薄膜的容忍因子逐步降低,转折电场不断增大,反铁电性逐渐增强,击穿场强有所提高,储能性能得到提高。在x=0.03时,Sr-PLZ-x反铁电薄膜的储能密度和储能效率分别达到31.7 J/cm^(3)和71%,储能性能最优。同时掺入Sr^(2+)也使得Sr-PLZ-x反铁电薄膜的疲劳性能进一步优化,其中x=0.12组分薄膜样品在经历了10^(7)次循环后,储能密度和储能效率仅有3.4%和2.7%的衰减。综上所述,A位La/Sr共掺杂可有效提高PZO基反铁电薄膜的储能性能。 展开更多

关键词 元素掺杂 锆酸铅 反铁电 储能

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一种交通流的元胞自动机模型及分析 被引量：8

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作者 周子力 王新伟 王成道 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期177-179,共3页

利用元胞自动机模型对十字路口进行模拟，并且对十字路口的交叉口内的元胞建立了新的规则。把整个系统（十字路口）划分为3个区域，利用这3个区域的车辆流之间的关系，得出了整个系统的车辆密度和平均速率之间的关系。

关键词 元胞自动机 规则 车辆密度 平均速率 交通流

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具有泡沫白帽的粗糙海面的后向散射 被引量：5

3

作者 金亚秋 黄兴忠 殷杰羿 《海洋学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期63-72,共10页

本文用迭代法求解离散球形粒子的矢量辐射传输方程和随机粗糙界面的边界条件，得到了强风驱使下产生泡沫白帽散射粒子的双尺度随机粗糙海面模型的后向散射。利用修正的Ｃｏｘ和Ｍｕｎｋ的海面大尺度起伏概率密度函数和Ｐｉｅｒｓｏｎ的... 本文用迭代法求解离散球形粒子的矢量辐射传输方程和随机粗糙界面的边界条件，得到了强风驱使下产生泡沫白帽散射粒子的双尺度随机粗糙海面模型的后向散射。利用修正的Ｃｏｘ和Ｍｕｎｋ的海面大尺度起伏概率密度函数和Ｐｉｅｒｓｏｎ的海面波高谱，得到了后向散射的数值结果，定量地给出了后向散射和风场大小、方向、视角、极化等特征参数之间的函数关系，并与实验数据进行了很好的比较和讨论。 展开更多

关键词 风场 海面 散射粒子 泡沫白帽

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BTO基多铁陶瓷的制备及物理性能研究 被引量：1

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作者 李胜 宋国强 +1 位作者 张媛媛 唐晓东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期79-85,共7页

多铁材料在新型器件领域的应用非常广泛,其研究已成为当今材料研究领域的热点之一。钛酸钡(BaTiO_(3),BTO)在室温下具有较强的铁电性、高介电常数和电光特性等丰富的物理性能,吸引了科研人员对其进行多铁化的研究。本工作通过固相烧结... 多铁材料在新型器件领域的应用非常广泛,其研究已成为当今材料研究领域的热点之一。钛酸钡(BaTiO_(3),BTO)在室温下具有较强的铁电性、高介电常数和电光特性等丰富的物理性能,吸引了科研人员对其进行多铁化的研究。本工作通过固相烧结法制备BTO和BaTi_(0.94)(TM_(1/2)Nb_(1/2))_(0.06)O_(3)(TM=Mn/Ni/Co)陶瓷,系统研究了B位共掺杂对陶瓷的生长特性与电学、磁学和光学方面的影响。实验结果表明:掺杂有效抑制了六方相的产生,样品晶体结构由四方相向立方相转变,不同元素离子半径的差异使得相变的程度有所不同。通过拉曼散射发现BTO基陶瓷四方相的特征峰变弱,进一步证明了共掺杂导致四方相减少。介电温谱表明BaTi_(0.94)(TM_(1/2)Nb_(1/2))_(0.06)O_(3)的居里温度(TC)也较BTO有大幅度降低,同时样品的铁电性虽然也明显削弱,但是还保持有较好的铁电性,这些都和晶体结构的相变程度密切相关。磁性测试结果表明:在三组共掺组分中,Ni-Nb共掺杂具有最好的室温铁磁性,铁磁性的形成机制可以通过F中心交换(F-center exchange,FCE)理论来解释。与BTO相比,BaTi_(0.94)(TM_(1/2)Nb_(1/2))_(0.06)O_(3)的带隙明显减小,这主要是因为掺杂产生杂质能级使带隙减小,与能带理论吻合。上述结果表明:通过B位共掺杂可以获得室温下铁电性与铁磁性共存的BTO基多铁陶瓷,有望在多铁性功能器件中获得更广泛的应用。 展开更多

关键词 钛酸钡 铁电性 多铁性 掺杂

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国际固态传感技术的发展 被引量：1

5

作者 赖宗声 《传感技术学报》 CAS CSCD 1994年第1期60-64,共5页

第七届固态敏感器和执行器国际会议(The 7th International Conference On Solid-State Sensors and Actuators)于1993年6月7日至10日在日本横浜举行.

关键词 传感器 固态传感器

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三维物体的数学形态学表示的研究

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作者 王成道 孙坚原 万嘉若 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期63-68,共6页

本文提出了三维物体的一种新的表示——数学形态学表示,并对该表示及共逆映身的性质进行了深入的分析,并实现了其算法。

关键词 三维物体 计算机视觉 数学形态学

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交流法短沟道MOS器件模型参数计算机自动提取

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作者 赖宗声 毛敏 王敏靖 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第1期61-68,共8页

本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度D_(it)等SPICE模拟程序中的模型参数.对LDD... 本文介绍了一种新型的交流法短沟道MOS器件参数计算机自动提取技术.它能快速而又精确地提取短沟道MOS器件的源漏串联电阻R_T、表面迁移率μ_0、迁移率退化因子θ、阈值电压V_T、平均表面态密度D_(it)等SPICE模拟程序中的模型参数.对LDD、硅栅CMOS等短沟道MOS器件测试结果表明它还具有抗干扰能力强之特点,是一种LSI-MOS电路制造的有效的CAM手段. 展开更多

关键词 MOS器件 短沟道 模型参数 提取

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硅的等离子阳极氧化研究

8

作者 李琼 徐静芳 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1991年第4期49-53,共5页

等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作.说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难.文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式... 等离子阳极化是一种先进的半导体材料氧化技术,本文评论了目前国际上等离子阳极化技术的进展,报告了我们自己的独创工作.说明了本技术用于半导体器件加工的优点与主要困难.文中较详细地说明了我们自己发展的一种射频激励的直流放电模式及根据它设计的设备.利用这种设备成功地进行了等离子阴极化,并将这种氧化物用于MOSFET的栅区. 展开更多

关键词 硅 半导体 阳极氧化 等离子体

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硅-MOS型三维磁场敏感器结构研究

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作者 赖宗声 刘亿 吴光励 《传感技术学报》 CAS CSCD 1991年第3期1-6,共6页

本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY... 本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY)优于6×10^(-2)T^(-1)。当外加磁感应强度低于0.4T时该器件非线性误差低于1×10^(-2)。由于本器件采用了特殊的相容性制造工艺,可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计。 展开更多

关键词 磁场敏感器 结构 三维

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一种新型微机械热导压力敏感器及其数值模拟

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作者 赖宗声 Alleg.,W 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1994年第1期50-55,共6页

本文研究了一种新型微机械ＣＭＯＳ热导压力敏感器。其压力测量范围是０．００１－１００Ｔｏｒｒ。整个量程范围内，多晶硅热敏电阻相对变化（即灵敏度）优於３０％。为使敏感器结构性能优化，我们首次开发了一软件包对器件热电性能进... 本文研究了一种新型微机械ＣＭＯＳ热导压力敏感器。其压力测量范围是０．００１－１００Ｔｏｒｒ。整个量程范围内，多晶硅热敏电阻相对变化（即灵敏度）优於３０％。为使敏感器结构性能优化，我们首次开发了一软件包对器件热电性能进行数值模拟。三维模拟问题被简化为两个２－Ｄ模拟，并将由稳态能量平衡得到的方程组离散化用非线性Ｇａｕｓｓ－Ｓｅｉｄｅｌ算法迭代求解。器件灵敏度的模拟结果和实验值相吻合。文中还对温度分布进行了计算，对材料的热电常数和器件几何尺寸的影响做了分析。 展开更多

关键词 微机械 数值模拟 热导压力

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Al－Si（1％）互连线电迁移失效研究 被引量：1

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作者 张蓓榕 忻佩胜 孙沩 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1994年第1期35-40,共6页

本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁... 本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁移寿命有显著的影响。对实验结果作了初步的分析和讨论。 展开更多

关键词 电迁移 金属化 集成电路 互连

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模糊处理在味觉识别中的应用

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作者 胡健 赖宗声 +1 位作者 张文 金利通 《传感技术学报》 CAS CSCD 1997年第1期1-6,共6页

本文选用十六烷基三甲基溴化铵+乙醇/含苦味酸的二氯甲烷/蔗糖水溶液为研究体系,在油水界面上建立可兴奋性人工膜。首次引入基于模糊处理的多信息融合技术,用计算机对四种有味物质液膜表面产生的电位振荡波形进行了分析和处理。正确识... 本文选用十六烷基三甲基溴化铵+乙醇/含苦味酸的二氯甲烷/蔗糖水溶液为研究体系,在油水界面上建立可兴奋性人工膜。首次引入基于模糊处理的多信息融合技术,用计算机对四种有味物质液膜表面产生的电位振荡波形进行了分析和处理。正确识别出酸、甜、苦、咸四种味道,识别的准确率在95％以上。同时也用此方法对四种不同的苦味物质成功地进行了识别。 展开更多

关键词 味觉识别 模糊处理 电位振荡 多信息融合 传感器

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AlF3掺杂氧化铝陶瓷的高灵敏辐照诱导相分离行为

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作者 申璐 汪德文 +2 位作者 黄荣 都时禹 黄庆 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期95-100,共6页

放电等离子体烧结的AlF3掺杂氧化铝陶瓷在透射电镜(TEM)常规观察条件下发现了一种电子辐照诱导快速相分离行为。在透射电镜的电子辐照下,球形纳米晶Al颗粒在几秒钟内从原始氧化铝晶粒表面析出。高分辨TEM观察结合衍射花样分析发现原始的... 放电等离子体烧结的AlF3掺杂氧化铝陶瓷在透射电镜(TEM)常规观察条件下发现了一种电子辐照诱导快速相分离行为。在透射电镜的电子辐照下,球形纳米晶Al颗粒在几秒钟内从原始氧化铝晶粒表面析出。高分辨TEM观察结合衍射花样分析发现原始的F掺杂氧化铝晶粒表面为高度缺陷态,电子辐照后,随着Al纳米颗粒析出,氧化铝晶粒表面的缺陷消失。通过对掺杂过程缺陷反应及氧化铝阳离子亚晶格的深入分析,提出了一种缺陷辅助间隙原子偏析机理来解释这一现象。即掺杂F离子首先占据氧空位的同时Al离子占据间隙位,当氧空位被全部占据时,F和Al离子同时占据基体八面体间隙位,并形成了亚稳定的掺杂态。在氧化铝基体1/3[11¯00]不全位错的作用下,畸变的阳离子亚晶格产生双聚八面体间隙位。当这些双聚八面体空位被外来Al离子占据时,正如高分辨图像所观察的,形成了包含有三个原子层左右的堆垛层错。同时,沿着层错偏聚在双聚八面体位的掺杂Al离子扮演了析出物早期的角色,在电子辐照下随着F离子的烧蚀,不稳定的偏聚Al离子析出成为纳米颗粒并伴随着基体氧化铝的晶格重构。 展开更多

关键词 ALF3 AL2O3 TEM 电子辐照 相分离

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锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）

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作者 李延青 吴曼 杨静 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期554-558,共5页

通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰... 通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因. 展开更多

关键词 铁电薄膜 电子能带结构 光学特性 带尾

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MC　14403的双向声音信号的数字传输

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作者 毕厚馥 韩勇 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1994年第1期29-34,共6页

本文采用ＭＣ１４４０３芯片研究了双向声音信号的数字传输系统。该系统可以进行双向通信，具有通信声音清晰，体积小，价廉的特点。

关键词 数字信号 双向传输 数字传输

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