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B掺杂SiC_(x)基硅量子点薄膜的结构和电学特性研究 被引量：1
1
作者 杨雯 赵飞 +3 位作者 张志恒 杜凯翔 葛文 杨培志 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期76-79,共4页
采用磁控共溅射法并结合微波退火制备B掺杂SiC_(x)基硅量子点(Si-QDs)薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、透射电子显微镜和霍尔测试技术对薄膜的物相结构和电学性能进行表征。研究B掺杂对Si-QDs数量、尺寸和薄膜电导率的影响。结... 采用磁控共溅射法并结合微波退火制备B掺杂SiC_(x)基硅量子点(Si-QDs)薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、透射电子显微镜和霍尔测试技术对薄膜的物相结构和电学性能进行表征。研究B掺杂对Si-QDs数量、尺寸和薄膜电导率的影响。结果表明:当B掺杂量从0%升至1.0%时,Si-QDs数量增多,尺寸增至4.83 nm,电导率增至8.5×10^(-2)S/cm;B掺杂量进一步升至1.3%时,Si-QDs数量则减少,尺寸减至4.78 nm,电导率降至5.9×10^(-2)S/cm。在该实验条件下,最佳B掺杂量为1.0%。 展开更多
关键词 太阳电池 薄膜生长 SiC_(x) 掺杂 结构特性 电学性能
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多孔锌电极应用于PVA电解液的锌空气电池 被引量：1
2
作者 陆旭明 徐少辉 +2 位作者 谭强 王连卫 邢涛 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2364-2367,共4页
由于循环性能受到锌电极表面钝化及使用液态电解液在气孔附近存在漏液的影响,锌-空气电池作为二次电池的发展和应用受到了一定的限制。以聚乙烯醇(PVA)碱性聚合物凝胶代替了传统液态电解液,研究了不同多孔锌电极结构,在PVA聚合物电解液... 由于循环性能受到锌电极表面钝化及使用液态电解液在气孔附近存在漏液的影响,锌-空气电池作为二次电池的发展和应用受到了一定的限制。以聚乙烯醇(PVA)碱性聚合物凝胶代替了传统液态电解液,研究了不同多孔锌电极结构,在PVA聚合物电解液中的充放电特性和电化学性能,研究结果表明多孔锌电极在碱性PVA聚合物电解液下的全电池可以充放电100个循环并拥有稳定的性能,原因主要归结于PVA电解液减缓了多孔结构的锌电极钝化过程并且提高了锌电极的利用率。 展开更多
关键词 PVA聚合物电解液 多孔锌电极 抑制钝化
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镧掺杂BiGaO_3多晶薄膜光学性质
3
作者 张金中 诸佳俊 +5 位作者 邓青林 余温雷 李亚巍 胡志高 孟祥建 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期447-451,共5页
采用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO_3(Lx BGO,0≤x≤0.1)薄膜.X-射线衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜,原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行... 采用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO_3(Lx BGO,0≤x≤0.1)薄膜.X-射线衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜,原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行了详细的研究,发现其光学常数符合Adachi色散模型.进一步发现其禁带宽度随着镧掺杂浓度的增加而增加,该规律与理论预言相吻合.有关LxBGO材料的研究为铋基光电器件如紫外探测器的实现提供物理基础支持. 展开更多
关键词 BiGaO3 椭圆偏振光谱 光学性质 光学常数 光学禁带宽度
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硫代硫酸钠浓度对电沉积制备铜锌锡硫硒薄膜性质的影响(英文) 被引量：3
4
作者 葛杰 江锦春 +7 位作者 胡古今 张小龙 左少华 杨立红 马建华 曹萌 杨平雄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期-,共6页
采用后硒化Cu-Zn-Sn-S电沉积预制层的方法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其中Cu-Zn-Sn-S预制层是通过含有不同浓度的硫代硫酸钠电解液电沉积而成的.实验发现,硒化前后薄膜的性质与硫代硫酸钠浓度密切相关.SEM,EDS,XRD,Raman和透射光谱分析表明,... 采用后硒化Cu-Zn-Sn-S电沉积预制层的方法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其中Cu-Zn-Sn-S预制层是通过含有不同浓度的硫代硫酸钠电解液电沉积而成的.实验发现,硒化前后薄膜的性质与硫代硫酸钠浓度密切相关.SEM,EDS,XRD,Raman和透射光谱分析表明,当硫代硫酸钠的浓度为5 mM时,沉积的薄膜形貌平整,晶粒明显,组分贫锌,具有单一的铜锌锡硫硒结构,且其带隙为1.11 eV;在浓度高于5 mM下沉积的薄膜形貌粗糙并产生杂相硒化锡;在浓度低于5 mM下沉积的薄膜组分严重贫锌并生成大量的Cu2SnSe3. 展开更多
关键词 共电沉积 硫代硫酸钠浓度 硒化 铜锌锡硫硒薄膜
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简单的溶胶–凝胶法制备致密的铜锌锡硫硒薄膜(英文) 被引量：2
5
作者 张克智 陶加华 +5 位作者 刘俊峰 何俊 董宇晨 孙琳 杨平雄 褚君浩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期781-784,共4页
采用溶胶–凝胶后硒化法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其薄膜表面平整、无裂纹。通过简化铜锌锡硫前驱体溶胶的制备以及后退火时避免使用硫化氢气体(H2S)等方法使铜锌锡硫硒薄膜的制备工艺得到简化。选用低毒有机物乙二醇为溶剂,Cu(CH3COO)2、Z... 采用溶胶–凝胶后硒化法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其薄膜表面平整、无裂纹。通过简化铜锌锡硫前驱体溶胶的制备以及后退火时避免使用硫化氢气体(H2S)等方法使铜锌锡硫硒薄膜的制备工艺得到简化。选用低毒有机物乙二醇为溶剂,Cu(CH3COO)2、Zn(CH3COO)2、SnCl2·2H2O和硫脲为原料,制备铜锌锡硫前驱体溶胶。XRD、Raman、EDX和SEM分析表明制备的铜锌锡硫硒薄膜为锌黄锡矿结构,所有薄膜均贫铜富锌,用0.2 g硒粉、硒化20 min得到的铜锌锡硫硒薄膜其结晶较好,表面晶粒可达1.0μm左右。透射光谱分析结果表明,随硒含量的增加,铜锌锡硫硒薄膜的光学带隙从1.51 eV减小到1.14 eV。 展开更多
关键词 济胶-凝胶 铜锌锡硫硼 游膜 钠化
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溶胶-凝胶非硫化法制备铜锌锡硫薄膜（英文） 被引量：1
6
作者 张克智 何俊 +3 位作者 王伟君 孙琳 杨平雄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期129-133,共5页
采用溶胶-凝胶非硫化方法制备了表面平整、致密的铜锌锡硫薄膜.XRD及Raman分析表明制备的铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿结构.能谱分析表明所有薄膜均贫铜富锌贫硫.场发射扫描电子显微镜测得薄膜的厚度在0.7μm左右.透射光谱表明随后退火温度... 采用溶胶-凝胶非硫化方法制备了表面平整、致密的铜锌锡硫薄膜.XRD及Raman分析表明制备的铜锌锡硫薄膜为锌黄锡矿结构.能谱分析表明所有薄膜均贫铜富锌贫硫.场发射扫描电子显微镜测得薄膜的厚度在0.7μm左右.透射光谱表明随后退火温度的提高薄膜的光学带隙从2.13 eV减小到1.52 eV. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 铜锌锡硫 薄膜 前驱体 预退火 后退火 组分
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覆镍硅微通道板用于三维超级电容器的研究 被引量：1
7
作者 刘涛 王斐 +1 位作者 徐少辉 王连卫 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1-9,共9页
采用无电镀方法在硅微通道板上制备镍,然后进一步通过化学液相沉积法,在其上面制备了氢氧化镍纳米晶体,获得了一种具有独特三维结构的Si-MCP/Ni/Ni(OH)_2超级电容器.研究发现,制得的氧氧化镍晶体由许多纳米薄片组成,XRD图谱显示其具备... 采用无电镀方法在硅微通道板上制备镍,然后进一步通过化学液相沉积法,在其上面制备了氢氧化镍纳米晶体,获得了一种具有独特三维结构的Si-MCP/Ni/Ni(OH)_2超级电容器.研究发现,制得的氧氧化镍晶体由许多纳米薄片组成,XRD图谱显示其具备α和β两种晶型.通过循环伏安和计时电位法对该超级电容器进行了性能测试.在放电电流为10 mA时,样品获得最大放电比容量,为2 150 F/g.在多次循环测试中,样品的稳定性良好.随着退火温度的升高,样品的容量下降.研究发现氢氧化镍的表面积减小是导致容量衰减的主要原因.由于该电容器有着巨大的比容量和良好的稳定性,该三维结构有望应用于二次电源和相关器件中. 展开更多
关键词 三维 硅微通道板 氢氧化镍 超级电容器
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硒化温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜结构和光学性质的影响 被引量：1
8
作者 曹辉义 邓红梅 +5 位作者 崔金玉 孟宪宽 张俊 孙琳 杨平雄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期726-730,共5页
采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研... 采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为.34 eV。 展开更多
关键词 Cu(In Al)Se_2 薄膜 硒化温度
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单靶磁控溅射制备铜铟硒和铜铟锌硒薄膜及其结构、光学性质研究(英文) 被引量：1
9
作者 王伟君 何俊 +5 位作者 张克智 陶加华 孙琳 陈晔 杨平雄 褚君浩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1223-1227,共5页
采用单靶磁控溅射法制备了铜铟硒(CIS)和铜铟锌硒(CIZS)薄膜。XRD表征发现CIZS-300出现了与其它薄膜不同的择优取向,分析认为贫铜的状态和适宜温度可能促使薄膜择优取向从(112)向(220)转化;拉曼光谱在171 cm-1处出现的较强峰,和206 cm-... 采用单靶磁控溅射法制备了铜铟硒(CIS)和铜铟锌硒(CIZS)薄膜。XRD表征发现CIZS-300出现了与其它薄膜不同的择优取向,分析认为贫铜的状态和适宜温度可能促使薄膜择优取向从(112)向(220)转化;拉曼光谱在171 cm-1处出现的较强峰,和206 cm-1处出现的较弱峰,分别为A1和B2振动模式,而Zn的掺入导致A1拉曼峰的宽化和蓝移;Zn的掺入使Cu含量改变进而使CIZS禁带宽度增大,这是由于Se的p轨道和Cu的d轨道杂化引起的;SEM测试结果表明CIZS薄膜表面比CIS表面更为紧密、平滑。 展开更多
关键词 磁控溅射 铜铟锌硒 锌掺杂
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覆银硅微通道板用于三维锂离子电池负极研究
10
作者 王斐 徐少辉 +4 位作者 祝珊珊 楼薛锋 惠珂霜 杨平雄 王连卫 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期110-118,129,共10页
采用光辅助电化学刻蚀和无电镀银方法,制备出一种可用于三维锂离子电池的覆银硅微通道板(Ag/Si-MCP)负极结构.利用XRD和扫描电镜(SEM)对材料特性进行表征;并在氩气氛保护下以锂片为对电极封装为CR2025半电池,采用恒流充放电测试、循环... 采用光辅助电化学刻蚀和无电镀银方法,制备出一种可用于三维锂离子电池的覆银硅微通道板(Ag/Si-MCP)负极结构.利用XRD和扫描电镜(SEM)对材料特性进行表征;并在氩气氛保护下以锂片为对电极封装为CR2025半电池,采用恒流充放电测试、循环伏安法(CV)及交流阻抗法(EIS),对银覆盖层对电极性能的影响进行了细致的分析.在0.02 V～1.5 V电位(vs.Li+/Li)范围内以10 mA·g^(-1)电流密度进行恒流充放电测试.样品在首次充电(硅的锂合金化)过程中获得高达3 484.7 mAh·g^(-1)的比容量值,且在首次充放电循环中库仑效率达到95.97%.并在随后的循环中,表现出优于未经覆银处理的硅微通道电极的性能. 展开更多
关键词 硅微通道板 锂离子电池 三维微电池 负极
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