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纳米晶Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35)粉末材料的沉淀法制备和特性研究 被引量：1
1
作者 郭鸣 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2011年第6期6-9,共4页
采用反向滴定沉淀法合成Bi2Cu0.1V0.9O5.3(5BICUVOX.10)纳米粉体材料。通过热重-差热分析和X射线衍射研究BICUVOX.10粉料的相形成过程和相特性。结果表明,样品在500℃以上4 h退火后已完全形成单一的室温稳定四方γ导电相。用X射线多功... 采用反向滴定沉淀法合成Bi2Cu0.1V0.9O5.3(5BICUVOX.10)纳米粉体材料。通过热重-差热分析和X射线衍射研究BICUVOX.10粉料的相形成过程和相特性。结果表明,样品在500℃以上4 h退火后已完全形成单一的室温稳定四方γ导电相。用X射线多功能电子能谱对BICUVOX.10粉末的组分分布及化学态进行分析:样品中Bi、V、Cu元素的摩尔比约为20∶9∶1。透射电镜对样品颗粒分散性的研究表明:一定量表面活性剂PEG4000(聚乙二醇4000)的添加可有效提高纳米BICUVOX.10粉体颗粒的分散性;当PEG4000添加量为5%时,BICUVOX.10纳米颗粒产物的分散性最佳。 展开更多
关键词 Bi2Cu0.1V0.9O5.3(5BICUVOX.10) 反向滴定沉淀 PEG4000 团聚
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GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究 被引量：1
2
作者 尤虎 郭方敏 +3 位作者 朱晟伟 越方禹 范梁 茅惠兵 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期59-62,共4页
GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具... GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声。实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5 V时,50μm×50μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107V/W的电压响应率。 展开更多
关键词 量子点 量子效率 响应率 微光探测 CTIA读出
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Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ)固态电解质化学溶液法的合成与性能 被引量：2
3
作者 郭鸣 孟祥建 +1 位作者 杨平雄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期259-262,共4页
用化学溶液法合成了Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ(BICUVOX.10)材料,研究了材料的物相、表面形貌和电学特性.BICUVOX.10薄膜具有室温稳定的高电导γ相.在LaNiO3/Si衬底上,BICUVOX.10薄膜具有(001)择优取向,平均晶粒大小约为200nm.低频范围的介... 用化学溶液法合成了Bi2Cu0.1V0.9O5.35-δ(BICUVOX.10)材料,研究了材料的物相、表面形貌和电学特性.BICUVOX.10薄膜具有室温稳定的高电导γ相.在LaNiO3/Si衬底上,BICUVOX.10薄膜具有(001)择优取向,平均晶粒大小约为200nm.低频范围的介电损耗来源于氧空位的短程扩散,BICUVOX.10薄膜主要表现为晶粒电导特性.BICUVOX.10薄膜中氧离子电导激活能约为0.3 eV,氧离子电导率约为5×10-2S.cm-1. 展开更多
关键词 铜-钒酸铋 电解质 氧离子电导
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不同衬底生长Bi_2VO_(5.5)薄膜及性能研究
4
作者 郭鸣 罗志扬 +1 位作者 曾小荟 刘昌鑫 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期473-476,共4页
用溶胶-凝胶法分别在LNO/Si(100)和ITO/glass衬底上成功制备了Bi2VO5.5(BVO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构和表面形貌。结果表明,两种衬底上生长的BVO薄膜均具有(001)择优取回的单一相结构,晶粒大小均匀... 用溶胶-凝胶法分别在LNO/Si(100)和ITO/glass衬底上成功制备了Bi2VO5.5(BVO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构和表面形貌。结果表明,两种衬底上生长的BVO薄膜均具有(001)择优取回的单一相结构,晶粒大小均匀,结晶度良好。BVO薄膜介电特性的分析表明,1kHz～1MHz频率范围内,BVO薄膜在ITO衬底上表现出更稳定的介电特性,这主要归因于薄膜择优取向程度、晶粒大小和晶界特点的影响。两种衬底上BVO薄膜中的驰豫过程属于多分散系统的德拜驰豫。BVO薄膜的拉曼光谱研究表明薄膜结构几乎不受衬底影响。 展开更多
关键词 Bi2VO5.5 介电特性 氧空位 拉曼光谱
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Bi_2Mn_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ)薄膜的制备与性能研究
5
作者 郭鸣 杨平雄 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期868-871,876,共5页
以Bi(NO3)3.5H2O、NH4VO3和Mn(CH3COO)2.4H2O为原料,采用溶胶凝胶法在LaNiO3(LNO)/Si(100)衬底上制备了Bi2Mn0.1V0.9O5.35-δ(BIMNVOX.10)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的晶体结构和形貌。结... 以Bi(NO3)3.5H2O、NH4VO3和Mn(CH3COO)2.4H2O为原料,采用溶胶凝胶法在LaNiO3(LNO)/Si(100)衬底上制备了Bi2Mn0.1V0.9O5.35-δ(BIMNVOX.10)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的晶体结构和形貌。结果表明,BIMNVOX.10薄膜具有(001)择优取向,晶粒大小均匀,厚度约300 nm。分别用阻抗分析仪和磁测试系统测量薄膜的电学特性和磁特性。BIMN-VOX.10薄膜的I～V曲线表明薄膜漏电流在低场下满足欧姆定律,符合Poole-Frenkel发射机制;而在1.7 V以上的较高场强下符合空间电荷限制传导的Schottky发射机制。低频范围BIMNVOX.10薄膜的介电损耗现象主要来源于氧空位的短程扩散。交流电导符合Jonscher规律,低频范围主要对应几乎与频率无关的直流电导(阱内跃迁);高频范围对应由晶粒响应产生的交流电导(阱间跃迁)。样品主要表现出晶粒电导特性,阻抗谱偏离理想的Debye模型。BIMNVOX.10薄膜中观察到弱铁磁性,5.57×105 A/m(7 kOe)的磁场下剩余磁化强度为8.14×10-7 A/m(1.05×10-4 emu/g),氧空位可能是引起铁磁性的主要原因。 展开更多
关键词 Bi2Mn0.1V0.9O5.35-δ(BIMNVOX.10) 电特性 铁磁性 氧空位
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长波量子阱红外光电探测器金属光栅耦合的研究——基于金属表面等离子效应 被引量：4
6
作者 翁钱春 李梁 +2 位作者 陈俊 温洁 熊大元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期415-418,共4页
采用时域有限差分法研究了二维金属光栅量子阱红外探测器的电磁场分布,研究表明充分利用金属表面等离子效应可显著提高量子阱红外探测器光耦合效率.研究还表明,对于8μm长波量子阱红外探测器,金属光栅结构选取圆孔直径与光栅周期比为0.8... 采用时域有限差分法研究了二维金属光栅量子阱红外探测器的电磁场分布,研究表明充分利用金属表面等离子效应可显著提高量子阱红外探测器光耦合效率.研究还表明,对于8μm长波量子阱红外探测器,金属光栅结构选取圆孔直径与光栅周期比为0.8～0.9是最有益的,此时可获得最大的光耦合效率. 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 二维金属光栅 时域有限差分(FDTD) 金属表面等离子效应
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HgCdTe薄膜的反局域效应 被引量：2
7
作者 魏来明 刘新智 +9 位作者 俞国林 高矿红 王奇伟 林铁 郭少令 魏彦峰 杨建荣 何力 戴宁 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期141-144,共4页
利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自... 利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明,电子的退相规律符合Nyquist退相机制. 展开更多
关键词 反局域 退相干时间 自旋-轨道耦合
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高灵敏度量子点-量子阱光电探测器的大动态范围读出设计 被引量：1
8
作者 王永攀 郭方敏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第6期336-339,共4页
针对高灵敏度量子点-量子阱光电器件宽动态的光电响应特性,进行大的动态范围读出设计,对比分析了不同积分电容的CTIA读出结构的测试结果,设计一款低噪声增益自动可调放大器的读出结构,使输出动态范围扩展了26 dB,,获得较好的读出信噪比。
关键词 量子点-量子阱光电探测器 动态范围 灵敏度 信噪比 低噪声增益可调放大器读出
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SAGCM-APD增益影响因子分析与优化
9
作者 胡大鹏 郭方敏 +1 位作者 朱晟伟 熊大元 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第2期213-217,235,共6页
应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP蛳InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的... 应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP蛳InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的影响,载流子传输过程的时间依赖关系和倍增层中所处位置的影响。仿真结果表明:较高掺杂浓度和较薄电荷层结构可以改变器件内部的电场分布,进而提高增益值。当入射光波长为1.55μm,光功率为500 W/m2时,光电流响应量级在10-2 A;阈值电压降低到10 V以下,击穿电压为42.6 V时,器件倍增增益值大于100。 展开更多
关键词 SAGCM-APD 雪崩光电探测器 倍增增益 电流响应 仿真分析
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GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的光存储特性读出
10
作者 肖云钞 郭方敏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第5期281-283,共3页
通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路。在633 nm辐照下,分别... 通过对特殊设计的GaAs/InGaAs量子点-量子阱光电二极管的I-V和C-V特性测试,验证了器件的光子存储特性,在器件的读出设计中引入了特殊设计的带倒空信号的基于电容反馈互导放大器和相关双采样(CTIA-CDS)型读出电路。在633 nm辐照下,分别改变照度和积分时间进行了非倒空和倒空测试的对比研究,并计算给出了对应的存储电荷变化量,进一步证明了光电器件的光子存储特性。 展开更多
关键词 GAAS/INGAAS 量子点-量子阱光电二极管 光子存储 CTIA读出电路 倒空信号
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