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2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
1
作者
黄静
郭方敏
王志亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期1041-1043,共3页
对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、...
对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。
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关键词
InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器
低噪声读出电路
电容反馈互阻放大器
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职称材料
InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析
2
作者
雷玮
郭方敏
+2 位作者
胡大鹏
朱自强
褚君浩
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期1000-1003,共4页
根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的...
根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构。采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算。对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益。
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关键词
雪崩光电探测器
SACM结构
SAGCM结构
暗电流
增益
APSYS
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职称材料
题名
2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
1
作者
黄静
郭方敏
王志亮
机构
华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室
南通
大学
电子
信息
学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期1041-1043,共3页
基金
科技部重大项目资助(2006CB932802)
南通大学自然科学项目资助(07Z039)
文摘
对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。
关键词
InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器
低噪声读出电路
电容反馈互阻放大器
Keywords
InGaAs/InP APD detector
low-noise ROIC
CTIA
分类号
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
O431 [机械工程—光学工程]
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职称材料
题名
InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析
2
作者
雷玮
郭方敏
胡大鹏
朱自强
褚君浩
机构
华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期1000-1003,共4页
基金
科技部重大项目(No.2006CB932802)资助
文摘
根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构。采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算。对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益。
关键词
雪崩光电探测器
SACM结构
SAGCM结构
暗电流
增益
APSYS
Keywords
avalanche photo-detector
SACM
SAGCM
dark current
multiplication gain
APSYS
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
黄静
郭方敏
王志亮
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
2
InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析
雷玮
郭方敏
胡大鹏
朱自强
褚君浩
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
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