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实现高温工作的SOI器件埋层结构研究 被引量：2
1
作者 张新 高勇 +3 位作者 刘梦新 安涛 王彩琳 邢昆山 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期23-27,共5页
硅基集成电路不能胜任高温工作环境,其高温工作上限一般为125℃。而基于SOI材料及其结构的器件,能突破高温的限制。介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的自加热效应。为实现良好的高温性能,比较了几种不同的... 硅基集成电路不能胜任高温工作环境,其高温工作上限一般为125℃。而基于SOI材料及其结构的器件,能突破高温的限制。介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的自加热效应。为实现良好的高温性能,比较了几种不同的埋层结构,提出了沟道下用氮化铝作埋层的SOI器件新结构,并对其高温输出性能随温度的变化进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果。同时提出了根据埋层材料的介电常数不同,进行等效电容折算埋层厚度的新观点,从另一层面提出了抑制自加热效应的理论依据。 展开更多
关键词 SOI 埋层结构 自加热效应 高温特性
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EMCCD集成偏振-微光一体化成像技术研究 被引量：4
2
作者 陈远金 张猛蛟 +5 位作者 戴放 许洁 常维静 梁宛玉 沈吉 何伟基 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期242-247,共6页
单一探测器实现多维度信息获取是光电探测未来的发展方向。针对目标探测中能量和偏振信息不能兼顾的问题,提出了一种同时具有偏振-微光功能的像元阵列结构。通过引入白光通道和精简偏振通道,可在EMCCD器件上实现偏振和微光探测的一体化... 单一探测器实现多维度信息获取是光电探测未来的发展方向。针对目标探测中能量和偏振信息不能兼顾的问题,提出了一种同时具有偏振-微光功能的像元阵列结构。通过引入白光通道和精简偏振通道,可在EMCCD器件上实现偏振和微光探测的一体化集成。实验结果表明,在微光条件下,探测器高灵敏性能被保持,低照度下的成像质量几乎不衰减;偏振模式下,白光通道和两个偏振角度使探测器能够获得足够的偏振信息,实现对目标的偏振探测。该方法实现了高灵敏度成像探测和偏振信息探测的同步获取,是一种通过算法处理就能够实现探测模式可重构的新方法。 展开更多
关键词 EMCCD 偏振 微光 可重构探测器
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层叠型缓冲靶板对弹载测试仪的保护作用研究
3
作者 高原 马淋涛 +3 位作者 王宇 孙传猛 裴东兴 余赟湦 《兵器装备工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期34-41,共8页
使用空气炮模拟火炮发射时的高过载环境对弹载测试仪进行测试时,弹丸撞击靶板会产生尖峰脉冲对测试仪造成严重的损伤,为提高测试仪的存活性,展开对缓冲靶板层叠方式(不同材质的靶板相互叠加的叠层结构)的研究。通过撞击动力学理论描述... 使用空气炮模拟火炮发射时的高过载环境对弹载测试仪进行测试时,弹丸撞击靶板会产生尖峰脉冲对测试仪造成严重的损伤,为提高测试仪的存活性,展开对缓冲靶板层叠方式(不同材质的靶板相互叠加的叠层结构)的研究。通过撞击动力学理论描述弹丸对靶板的压缩和侵彻行为,并结合动量守恒和能量守恒定律计算出靶板参数和传递到靶板上的冲量的关系。使用ANSYS/LS-DYNA建立弹丸正侵彻靶板模型,弹丸速度为200 m/s、质量为5.5 kg,仿真结果表明:3层总厚度450 mm的泡沫铝+泡沫铝+橡胶组合方式能有效消除尖峰脉冲并缩短弹丸对靶板的作用时间,加速度均值约为7 000g,脉宽为2.8 ms。受条件限制,空气炮试验采用弹丸质量为5.5 kg、速度为150 m/s,并将缓冲靶板的单层厚度减小到100 mm,结果表明:在泡沫铝+泡沫铝+橡胶组合方式下,弹丸结构和测试仪功能完好,加速度均值约为27 000g,脉宽为0.55 ms。 展开更多
关键词 空气炮 弹载测试仪 加速度 缓冲靶板 有限元仿真
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面向生物检测的AlGaN/GaN HEMT传感芯片研究进展
4
作者 顾智琦 李加东 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第12期7-11,共5页
氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器是基于第三代半导体GaN开发的新型离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感器,其利用器件敏感区电荷变化调制异质结沟道中的高电子迁移率二维电子气(2DEG)来工作,与传统硅基IS... 氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器是基于第三代半导体GaN开发的新型离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感器,其利用器件敏感区电荷变化调制异质结沟道中的高电子迁移率二维电子气(2DEG)来工作,与传统硅基ISFET相比,AlGaN/GaN HEMT生化传感器具有更优的化学稳定性,因此具有更大的应用范围。本文从AlGaN/GaN HEMT生物传感器的检测原理出发,讨论了AlGaN/GaN HEMT生物传感器从可行性验证、性能优化到面向实际检测的关键问题,并对AlGaN/GaN HEMT生物传感器国内外研究现状和未来发展进行了总结评价。 展开更多
关键词 氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管 生物传感器 离子敏场效应晶体管 二维电子气
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CCD/EMCCD光电参数测试系统的设计与应用
5
作者 沈吉 VIACHESLAV V.Zabudsky +5 位作者 常维静 那启跃 简云飞 OLEG V.Rikhalsky OLEKSANDR G.Golenkov VOLODYMYR P.Reva 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期693-703,共11页
本文开发了一种用于测量CCD和EMCCD(电子倍增CCD)芯片光电参数的测试系统。该测试系统通过自动模式或手动模式间的切换,测量器件的暗电流、读出放大器的响应度、电荷转移效率、电荷容量和其他参数。该测试系统可以针对不同规格和结构的C... 本文开发了一种用于测量CCD和EMCCD(电子倍增CCD)芯片光电参数的测试系统。该测试系统通过自动模式或手动模式间的切换,测量器件的暗电流、读出放大器的响应度、电荷转移效率、电荷容量和其他参数。该测试系统可以针对不同规格和结构的CCD/EMCCD器件,实现CCD晶圆或封装好的成品的参数测试,实现576×288、640×512、768×576、1024×1024、1280×1024 CCD/EMCCD的测试和筛选。 展开更多
关键词 CCD EMCCD 测试系统 光电参数
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弹丸侵彻加速度信号测试方法研究
6
作者 师浩伟 李彪 +3 位作者 栗振超 高兴武 方岚 褚琤琤 《兵器装备工程学报》 CSCD 北大核心 2024年第S2期213-216,247,共5页
弹丸侵彻时在弹体内安置携带有多只加速度传感器的弹载记录仪用于信号检测,但环境中的高冲击、高温等干扰因素会对测试结果产生较大影响。提出了采用D-S证据理论处理数据的方法代替传统的直接计算平均值的方式。为使证据理论可应用于弹... 弹丸侵彻时在弹体内安置携带有多只加速度传感器的弹载记录仪用于信号检测,但环境中的高冲击、高温等干扰因素会对测试结果产生较大影响。提出了采用D-S证据理论处理数据的方法代替传统的直接计算平均值的方式。为使证据理论可应用于弹丸侵彻加速度信号测试数据的处理,针对弹丸侵彻测试数据构建了相关BPA函数,完成了算法的应用。为验证所提数据处理方法的效果,设计试验用加速度信号测试模块并开展空气炮试验模拟实际火炮侵彻环境进行验证,结果表明新方法准确性更高。 展开更多
关键词 弹丸侵彻 恶劣环境 数据融合 D-S证据理论
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融合最大似然-小波与ICEEMDAN的电磁炮加速度自适应解析与重构
7
作者 赵永壮 孙传猛 +2 位作者 裴东兴 师浩伟 王宇 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2025年第3期177-189,共13页
获取准确的弹丸加速度对评估电磁炮性能至关重要。然而,弹丸在膛内与出炮口受到迥异的环境因素影响,使得加速度信号在膛内与出炮口阶段具有不同的模态特征,导致常规的基于全局的非线性非平稳信号处理方法失效。因此,提出融合最大似然-... 获取准确的弹丸加速度对评估电磁炮性能至关重要。然而,弹丸在膛内与出炮口受到迥异的环境因素影响,使得加速度信号在膛内与出炮口阶段具有不同的模态特征,导致常规的基于全局的非线性非平稳信号处理方法失效。因此,提出融合最大似然-小波与改进完全自适应噪声集合经验模态分解的电磁炮加速度自适应解析与重构方法,以期获得准确的电磁炮加速度:首先,通过最大似然-小波自适应地寻找在各时间区域的模态差异,实现信号分区;其次,采用改进完全自适应噪声集合经验模态分解方法对分区信号进行自适应分解;最后,基于t检验提取有效模态分量进行信号重构,实现有效电磁炮加速度的准确提取。相关实验表明,均方根误差改进率均大于0,相关系数提高至0.6731,信噪比提高至3.8614,相较于常规的全局性处理方法,避免了部分区域过分解或分解不彻底的问题,实现了电磁炮加速度的准确提取。 展开更多
关键词 电磁炮弹丸加速度 数字信号处理 最大似然准则 小波变换 模态分解
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延时电路在高温湿气环境中的腐蚀行为与机理研究 被引量：3
8
作者 魏小琴 张伦武 +3 位作者 肖勇 王艳艳 赵方超 王峙卫 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期197-202,共6页
目的提高延时电路的贮存环境适应性。方法在80℃、90%RH的湿热条件下,开展延时电路实验室加速老化试验,分别在老化0、97、133 d时取样,检测电性能,分析电路外表面腐蚀损伤特征,测试内部缺陷和多余物,检查腔体密封性,定位失效部位,观测... 目的提高延时电路的贮存环境适应性。方法在80℃、90%RH的湿热条件下,开展延时电路实验室加速老化试验,分别在老化0、97、133 d时取样,检测电性能,分析电路外表面腐蚀损伤特征,测试内部缺陷和多余物,检查腔体密封性,定位失效部位,观测内部芯片腐蚀损伤特征,检测腐蚀产物,分析高温湿气对延时电路外引线-玻璃界面密封性失效与可伐合金基体腐蚀的作用机制。结果湿热老化133 d时,延时电路输出端3无输出波形。随湿热老化时间的延长,外引线-玻璃界面缝隙腐蚀程度逐渐加深,氦漏率单调上升,壳体密封性逐渐降低乃至失效。外界湿气进入延时电路内部,整个老化周期内部芯片无缺陷,但133 d时电路内腔出现多余物,位于第14外引脚引线柱边缘处,也是导通测试定位的失效点。该引线柱的可伐合金基体与其上的镀金层在高温湿气的作用下,由于电位差形成腐蚀电池,可伐合金作为阴极与湿气和氧发生电化学腐蚀,生成腐蚀产物并覆盖于镀金表面,导致第14外引脚与其上的金键合丝之间开路,延时电路失效。结论降低延时电路贮存环境湿度,同时改进生产工艺,在金属-玻璃封接界面形成一层厚度适当的致密氧化膜过渡层,可延缓湿气进入电路内部。增大可伐合金基体镀金层或镀镍层厚度,可减小基体发生电化学腐蚀几率,提高延时电路贮存环境适应性。 展开更多
关键词 可伐合金 延时电路 高温湿气环境 加速老化试验 腐蚀行为 腐蚀机理
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发射装药挤压应力与破碎规律研究 被引量：3
9
作者 徐浩 芮筱亭 +1 位作者 郁兆华 姜世平 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期61-64,68,共5页
建立了发射药粒在动态载荷下的挤压破碎过程动力学模型并进行了数值计算,基于发射装药挤压破碎试验装置,研制了挤压应力PVDF传感器,并进行了发射装药动态挤压应力试验。数值模拟结果与试验结果吻合较好,验证了数学模型的正确性和新型传... 建立了发射药粒在动态载荷下的挤压破碎过程动力学模型并进行了数值计算,基于发射装药挤压破碎试验装置,研制了挤压应力PVDF传感器,并进行了发射装药动态挤压应力试验。数值模拟结果与试验结果吻合较好,验证了数学模型的正确性和新型传感器设计的合理性,说明新型传感器可以用于发射装药挤压破碎试验中对发射装药颗粒间挤压应力的测量。 展开更多
关键词 PVDF压电薄膜 破碎规律 发射装药 挤压应力
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基于EMCCD的单兵综合侦察仪设计及作用距离研究 被引量：3
10
作者 陈远金 张猛蛟 +2 位作者 戴放 梁宛玉 刘彬 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期399-403,共5页
EMCCD作为一种新型的光电传感器,在现代军用光电成像技术正得到越来越广泛的应用。本文将EMCCD组件应用于单兵综合侦察仪中,满足了装备昼夜探测的需求。同时根据约翰逊准则,考虑系统的光能量传递特性和目标在靶面上的压行数等因素,理论... EMCCD作为一种新型的光电传感器,在现代军用光电成像技术正得到越来越广泛的应用。本文将EMCCD组件应用于单兵综合侦察仪中,满足了装备昼夜探测的需求。同时根据约翰逊准则,考虑系统的光能量传递特性和目标在靶面上的压行数等因素,理论估算出其作用距离。通过试验结果表明理论估计的正确性,验证了EMCCD昼夜通用的性能,为装备选型提供依据。 展开更多
关键词 光电成像技术 EMCCD 单兵侦察 距离估算
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SOI器件高温环境实验智能控制系统
11
作者 张新 王峙卫 +2 位作者 高勇 安涛 刘梦新 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期529-533,共5页
本文介绍了基于总线集成控制技术设计的SOI器件高温环境实验装置的智能控制系统。该系统集信号检测、实时全程监控、自动记录及故障报警等功能于一体,完全满足SOI器件对高温环境实验的要求。实验表明,经过该系统测试后的产品性能,在可... 本文介绍了基于总线集成控制技术设计的SOI器件高温环境实验装置的智能控制系统。该系统集信号检测、实时全程监控、自动记录及故障报警等功能于一体,完全满足SOI器件对高温环境实验的要求。实验表明,经过该系统测试后的产品性能,在可靠性、精确度和工作效率等方面,比现有人工定时定机监测方式有明显的改善和提高。 展开更多
关键词 SOI器件 高温环境实验 动态监控 总线
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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
12
作者 张新 高勇 +2 位作者 刘善喜 安涛 徐春叶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-281,共4页
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电... 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为 展开更多
关键词 互补型金属氧化物半导体 绝缘硅 SOI 栅氧化 动态功耗 电路 静态功耗 延迟 CMOS 集成技术
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小型相机自动对焦用光电位置传感器 被引量：1
13
作者 谢会开 王爵树 《传感器技术》 CSCD 1992年第4期21-25,共5页
采用新颍的PIN结构研制的光电位置传感器,主要用于小型相机的自动对焦系统。文中阐述了PSD器件的工作原理以及为获得高反向击穿电压、高极间表面电阻和好的红外灵敏度在结构上和工艺上所作的改进。并对PSD器件进行了测试,得到符合设计... 采用新颍的PIN结构研制的光电位置传感器,主要用于小型相机的自动对焦系统。文中阐述了PSD器件的工作原理以及为获得高反向击穿电压、高极间表面电阻和好的红外灵敏度在结构上和工艺上所作的改进。并对PSD器件进行了测试,得到符合设计要求的结果。 展开更多
关键词 相机 小型 对焦 传感器 光电位置
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蜂窝形抗冲击MEMS止挡结构的抗冲击仿真与试验研究 被引量：1
14
作者 凤瑞 王炅 +4 位作者 喻磊 郑宇 向圆 乔伟 王甫 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2021年第18期80-85,共6页
为了提高微机电系统(MEMS)器件的抗冲击能力,提出了一种蜂窝形MEMS止挡结构。设计了由两层不同孔径的蜂窝孔构成的蜂窝形MEMS止挡结构,并分析建立了简化数学模型,说明了通过改变蜂窝孔径可以实现止挡结构刚度的调节。基于典型的中间质... 为了提高微机电系统(MEMS)器件的抗冲击能力,提出了一种蜂窝形MEMS止挡结构。设计了由两层不同孔径的蜂窝孔构成的蜂窝形MEMS止挡结构,并分析建立了简化数学模型,说明了通过改变蜂窝孔径可以实现止挡结构刚度的调节。基于典型的中间质量块的双端固支梁微结构,设计了相应的蜂窝形止挡测试结构,并在ANSYS仿真软件中进行了冲击仿真计算。采用机械冲击台和霍普金森杆对实际加工出的测试结构进行了冲击验证试验。试验结果表明:设计有蜂窝形止挡结构的中间质量块的双端固支梁MEMS结构可以承受至少3.2万g冲击。采用蜂窝形止挡设计,避免了弹性梁式止挡结构的应力集中问题,提高了MEMS结构的抗冲击能力。 展开更多
关键词 蜂窝形 冲击 微机电系统(MEMS) 止挡结构
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硅微轴对称陀螺速率积分模式下角速率输出方法研究 被引量：3
15
作者 陆铭洋 宣琳 +2 位作者 刘靖 徐大诚 郭述文 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期745-750,共6页
硅微轴对称陀螺速率积分模式通过对振型的进动角检测来实现角度信号的输出。要实现角速率输出,通常采用微分来实现,而器件刚度和阻尼不对称会带来输出量的波动和噪声等误差,直接影响输出精度,同时导致输出阈值存在。在分析刚度和阻尼不... 硅微轴对称陀螺速率积分模式通过对振型的进动角检测来实现角度信号的输出。要实现角速率输出,通常采用微分来实现,而器件刚度和阻尼不对称会带来输出量的波动和噪声等误差,直接影响输出精度,同时导致输出阈值存在。在分析刚度和阻尼不对称误差模型的基础上,采用输出量的傅里叶级数迭代对误差项进行补偿,实现速率积分模式下误差自补偿技术,降低了阈值,并提升了输出线性度。实验结果表明,在量程±5000°/s范围内,标度因数非线性由1240×10^(-6)降低至340×10^(-6),阈值由5°/s降低至0.5°/s。 展开更多
关键词 全角模式 角速率输出 刚度不对称 阻尼不对称
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硅场致发射阵列的工艺研究 被引量：1
16
作者 刘善喜 皮德富 郑玉琦 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第2期129-132,共4页
介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。
关键词 场致发射阵列 硅 阴极电子学
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单片集成MEMS陀螺数字闭环接口ASIC电路设计 被引量：4
17
作者 童紫平 龙善丽 +3 位作者 张慧 唐兴刚 吴传奇 贺克军 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第4期505-509,共5页
为提高MEMS陀螺的线性度和稳定性,设计了适用于电容式MEMS陀螺的数字式双闭环接口电路。首先,概括了接口电路的系统结构,包括电容/电压转换电路、高精度模数转换器、数字信号处理等模块。然后,设计了基于自动增益控制的陀螺驱动闭环控... 为提高MEMS陀螺的线性度和稳定性,设计了适用于电容式MEMS陀螺的数字式双闭环接口电路。首先,概括了接口电路的系统结构,包括电容/电压转换电路、高精度模数转换器、数字信号处理等模块。然后,设计了基于自动增益控制的陀螺驱动闭环控制系统,并分析了驱动闭环稳定性条件,为驱动闭环系统的快速调试提供理论指导。最后,提出了一种基于四阶机电结合∑△调制器原理的陀螺敏感闭环检测系统。接口电路在0.18μm高压CMOS工艺平台上完成流片,并且与MEMS陀螺结构封装在一个管壳中进行测试验证。测试结果表明本接口电路的优越性能:在±500°/s量程下陀螺非线性度达到52.8 ppm,陀螺零偏不稳定性为0.58°/h(Allan方差),角度随机游走等于0.07°/√h,满足高性能MEMS陀螺对高线性度、高稳定性接口电路的应用需求。 展开更多
关键词 MEMS陀螺 接口电路 ∑△调制器 自动增益控制
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MEMS悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法对比研究 被引量：3
18
作者 何凯旋 黄斌 +2 位作者 段宝明 宋东方 郭群英 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期202-207,共6页
分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究,获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法:将... 分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究,获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法:将结构刻通区域衬底硅暴露及结构层背面制作图形化的Si O2保护层相结合的方式保护。结构保护后,经长时间过刻蚀,结构依然完整无损。 展开更多
关键词 MEMS 硅玻键合 硅硅键合 深反应离子刻蚀 保护方法
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分子筛氧气浓缩监控器可靠性技术及管理研究 被引量：2
19
作者 王世和 卢灿 +1 位作者 许育林 刘艳 《兵器装备工程学报》 CAS 2017年第4期105-108,共4页
通过分子筛氧气浓缩监控器故障模式、影响和危害性分析(Failure Mode,Effects and Criticality Analysis,FMECA)确定分子筛氧气浓缩监控器故障危害度并基于故障危害度进行可靠性设计和氧分压检测关键功能的可靠性控制,采用嵌入式测试(Bu... 通过分子筛氧气浓缩监控器故障模式、影响和危害性分析(Failure Mode,Effects and Criticality Analysis,FMECA)确定分子筛氧气浓缩监控器故障危害度并基于故障危害度进行可靠性设计和氧分压检测关键功能的可靠性控制,采用嵌入式测试(Built-in Test,BIT)功能实现产品的维护,全工作生命周期的状态监控等综合管理措施。试验表明,监控器的可靠性得到了有效的提升。 展开更多
关键词 分子筛 氧气浓缩 监控器 可靠性
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MEMS加工误差对圆环形与多边形多环陀螺 结构对称性的影响研究 被引量：1
20
作者 喻磊 陈慧斌 +2 位作者 周铭 凤瑞 王帆 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2021年第2期116-119,共4页
基于前期实验结果,为了进一步研究MEMS加工误差对多边形与圆环形多环陀螺结构加工后结构对称性的影响,作为对比,基于相同的结构设计原则,分别设计了2组不同结构半径与环数的圆环形与多边形多环结构,并在同一晶圆上完成了2组结构的MEMS... 基于前期实验结果,为了进一步研究MEMS加工误差对多边形与圆环形多环陀螺结构加工后结构对称性的影响,作为对比,基于相同的结构设计原则,分别设计了2组不同结构半径与环数的圆环形与多边形多环结构,并在同一晶圆上完成了2组结构的MEMS工艺加工。搭建了多环陀螺参数测试系统对结构频差进行测试,测试结果表明,2组实验中多边形结构的频差均明显优于圆环形结构,且结构半径更大、环数更多的一组频差对比更加显著,表明MEMS加工误差对多边形结构的影响较小,意味着直线形几何结构比曲线形几何结构对MEMS工艺加工误差具有更高的容忍度。该实验结果对于所有需要高结构对称性的谐振结构设计具有指导意义。 展开更多
关键词 多环陀螺结构对称性 频差 加工误差 微机电系统
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