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半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点被引量：5: 1; 作者王建伟李树深夏建白《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期228-249,共22页; 本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实... 展开更多; 关键词自旋弛豫半导体体材料量子阱量子线量子点; 在线阅读下载PDF 职称材料

P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究: 2; 作者卢励吾周洁 +1 位作者瞿伟张盛廉《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期72-75,共4页; 对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和In... 展开更多; 关键词 MIS结构界面陷阱深能级 INP; 在线阅读下载PDF 职称材料

钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究: 3; 作者卢励吾周洁武国英《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期23-27,共5页; 利用DLTS技术详细研究经钛溅射和RTA950℃处理在n型和p型硅里引进的深能级.结果表明在n型硅里有二个,在p型硅里有三个深能级生成.这些能级的浓度在10^(13)—10^(14)cm^(-3)之间.它们的产生可归因于替位钛原子,钛与RTA相互作用的络合物.; 关键词硅化物溅射深能级瞬态谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算被引量：1: 4; 作者吴文刚张万荣 +1 位作者江德生罗晋生《电子科学学刊》 CSCD 1996年第6期639-643,共5页; 针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变... 展开更多; 关键词锗硅合金应变重掺杂能带结构半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性: 5; 作者王杏华李国华 +5 位作者李承芳李月霞程文超宋爱民刘剑王志明《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期202-206,共5页; 采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大．; 关键词量子点阵荧光特性砷化镓量子阱铝镓砷; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ni^＋注入n—GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别: 6; 作者杨锡震陈晓白 +1 位作者李智田强《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期133-142,共10页; 在不同条件下退火的Ｎｉ＋注入ｎ－ＧａＰＤＬＴＳ谱中观测到表观激活能在０．６０～０．７０ｅＶ范围内的多个多子峰和少子峰．对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ｎｉ杂质各荷电状态浓度空间分布在ＤＬＴＳ测量的零偏－反偏过程中的变化进... 展开更多; 关键词深能极磷化镓 DLTS 镍掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算: 7; 作者吴文刚江德生罗晋生《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期90-92,共3页; 本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一... 展开更多; 关键词锗硅合金应变重掺杂能带结构半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点被引量：5: 1; 作者王建伟李树深夏建白; 机构半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所; 出处《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期228-249,共22页; 基金国家自然科学基金(批准号:60521001 60325416)资助; 文摘本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分:体材料、量子阱、量子线、量子点,在每一部分中又基本上按照电子、空穴、激子的顺序进行了简要的总结:对于不同的载流子,考虑了自旋弛豫对可调参数的依赖关系。这些结果要么试图解释了已有的实验结果,要么从理论上给出预言从而给实验指明了方向,为室温下可以使用的自旋电子学器件设计提供了依据,为固态量子计算和量子信息处理铺平了道路。最后简单地给出展望。; 关键词自旋弛豫半导体体材料量子阱量子线量子点; Keywords spin relaxation semiconductor bulk materials quantum wells quantum wires quantum dots; 分类号 O471.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究: 2; 作者卢励吾周洁瞿伟张盛廉; 机构半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期72-75,共4页; 文摘对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。; 关键词 MIS结构界面陷阱深能级 INP; Keywords MIS structure,Interfacial traps,Deep levels; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究: 3; 作者卢励吾周洁武国英; 机构半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所北京大学微电子学研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期23-27,共5页; 基金国家自然科学基金资助; 文摘利用DLTS技术详细研究经钛溅射和RTA950℃处理在n型和p型硅里引进的深能级.结果表明在n型硅里有二个,在p型硅里有三个深能级生成.这些能级的浓度在10^(13)—10^(14)cm^(-3)之间.它们的产生可归因于替位钛原子,钛与RTA相互作用的络合物.; 关键词硅化物溅射深能级瞬态谱; Keywords Silicide, Sputtering, DLTS; 分类号 O471.5 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算被引量：1: 4; 作者吴文刚张万荣江德生罗晋生; 机构半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所西安交通大学电子工程系微电子研究室; 出处《电子科学学刊》 CSCD 1996年第6期639-643,共5页; 文摘针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×10^(19)cm^(-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。; 关键词锗硅合金应变重掺杂能带结构半导体; Keywords SiGe alloy, Strain, Heavy doping, Band structure; 分类号 TN301 [电子电信—物理电子学] TN302 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性: 5; 作者王杏华李国华李承芳李月霞程文超宋爱民刘剑王志明; 机构半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期202-206,共5页; 文摘采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大．; 关键词量子点阵荧光特性砷化镓量子阱铝镓砷; Keywords GaAs/AlGaAs, quantum dot, luminescence; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] O471.1 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ni^＋注入n—GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别: 6; 作者杨锡震陈晓白李智田强; 机构半导体超晶格国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期133-142,共10页; 文摘在不同条件下退火的Ｎｉ＋注入ｎ－ＧａＰＤＬＴＳ谱中观测到表观激活能在０．６０～０．７０ｅＶ范围内的多个多子峰和少子峰．对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ｎｉ杂质各荷电状态浓度空间分布在ＤＬＴＳ测量的零偏－反偏过程中的变化进行了计算．结合分析实测各能级热发射率数据，对其中起源于ＮｉＧａ中心的ＤＬＴＳ峰作出了判断．; 关键词深能极磷化镓 DLTS 镍掺杂; Keywords GaP,deep level,Ni impurity,DLTS; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] O472.8 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算: 7; 作者吴文刚江德生罗晋生; 机构半导体超晶格国家重点实验室; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期90-92,共3页; 文摘本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２～３×１０１９ｃｍ－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降．与实验报道的对比证实了本模型的有效性．; 关键词锗硅合金应变重掺杂能带结构半导体; Keywords Band structure Semiconductor doping Silicon alloys Strain; 分类号 O471.5 [理学—半导体物理] TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点	王建伟李树深夏建白	《物理学进展》 CSCD 北大核心	2006	5	在线阅读下载PDF 职称材料
2	P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究	卢励吾周洁瞿伟张盛廉	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究	卢励吾周洁武国英	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算	吴文刚张万荣江德生罗晋生	《电子科学学刊》 CSCD	1996	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性	王杏华李国华李承芳李月霞程文超宋爱民刘剑王志明	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1998	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Ni^＋注入n—GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别	杨锡震陈晓白李智田强	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	P型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算	吴文刚江德生罗晋生	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料