半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点 被引量：5

1

作者 王建伟 李树深 夏建白 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期228-249,共22页

本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实... 本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分:体材料、量子阱、量子线、量子点,在每一部分中又基本上按照电子、空穴、激子的顺序进行了简要的总结:对于不同的载流子,考虑了自旋弛豫对可调参数的依赖关系。这些结果要么试图解释了已有的实验结果,要么从理论上给出预言从而给实验指明了方向,为室温下可以使用的自旋电子学器件设计提供了依据,为固态量子计算和量子信息处理铺平了道路。最后简单地给出展望。 展开更多

关键词 自旋弛豫 半导体 体材料 量子阱 量子线 量子点

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半导体量子阱隧穿过程中的波阻抗和谷间传输比 被引量：3

2

作者 薛舫时 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第11期25-31,共7页

本文引入量子力学波阻抗和谷间传输比两个概念来求解多能谷隧穿方程,得到了类似于传输线理论中的反射公式.把矩阵的解算简化成波阻抗和谷间传输比的计算,减少了计算量并提高了计算精度.通过实际量子阱的计算求出了量子阱的波阻抗和谷间... 本文引入量子力学波阻抗和谷间传输比两个概念来求解多能谷隧穿方程,得到了类似于传输线理论中的反射公式.把矩阵的解算简化成波阻抗和谷间传输比的计算,减少了计算量并提高了计算精度.通过实际量子阱的计算求出了量子阱的波阻抗和谷间传输比,从而对量子阱的特征、能带混和及输出电子的谷间耦合给出了定量的描述. 展开更多

关键词 量子阱 隧穿 波阻抗 谷间传输比

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超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性 被引量：1

3

作者 封松林 周洁 卢励吾 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期161-164,共4页

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）系统地研究了ＧａＡｓ（５０Ａ）／ＧａＡｌＡｓ（５０Ａ）超晶格中的电子辐照缺陷，证实其亚稳态特性的存在，对其恢复温度、转变条件进行了研究，指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因．

关键词 电子辐照缺陷 超晶格 亚稳态

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外加电场影响Al_2O_3超微晶粒近红外光透射

4

作者 王德煌 李艺 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期608-611,共4页

报道了实验研究外加电场影响Ａｌ２Ｏ３超微晶粒近红外光透射特性的结果。

关键词 超微晶粒 近红外光透射 电场 三氧化二铝

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纳米二氧化钒薄膜的制备及红外光学性能 被引量：19

5

作者 梁继然 胡明 +6 位作者 王晓东 李贵柯 季安 杨富华 刘剑 吴南健 陈弘达 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1523-1529,共7页

采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利... 采用双离子束溅射方法在Si3N4/SiO2/Si基底表面沉积氧化钒薄膜,在氮气气氛下热处理获得二氧化钒薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了热处理温度对氧化钒薄膜晶体结构、表面形貌和组分的影响,利用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对二氧化钒薄膜的红外透射性能进行了测试分析.结果表明,所制备的氧化钒薄膜以非晶态V2O5和四方金红石结构VO2为主,经400℃、2h热处理后获得了(011)择优取向的单斜金红石结构纳米VO2薄膜,提高热处理温度至450℃,纳米结构VO2薄膜的晶粒尺寸减小.FT-IR结果显示,纳米VO2薄膜透射率对比因子超过0.99,高温关闭状态下透射率接近0.小晶粒尺寸纳米VO2薄膜更适合在热光开关器件领域应用. 展开更多

关键词 双离子束溅射 纳米二氧化钒薄膜 透射率

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纳米晶簇尺寸测定 被引量：4

6

作者 王德煌 程虎民 +2 位作者 马季铭 梁瑞生 唐志列 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期65-68,共4页

报道了用透射电子显微镜和Ｘ－光衍射仪测定ＴｉＯ２、ＳｎＯ２和ＣｕＣｌ纳米晶簇尺寸，并加以对比分析的实验结果。

关键词 纳米晶簇 尺寸测定 二氧化钛 氯化铜 二氧化锡

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纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性 被引量：11

7

作者 梁继然 胡明 +7 位作者 王晓东 李贵柯 阚强 季安 杨富华 刘剑 吴南健 陈弘达 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期1002-1007,共6页

采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变... 采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63℃,高于光学相变温度,60℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO2薄膜的半导体-金属相变特性。 展开更多

关键词 纳米二氧化钒薄膜 光学相变 电学相变

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杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响 被引量：2

8

作者 王海龙 朱海军 +5 位作者 李晴 宁东 汪辉 王晓东 邓元明 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期423-426,共4页

研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的... 研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点.该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义. 展开更多

关键词 自组织量子点 硅 杂质 砷化锢 均匀性

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原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善 被引量：3

9

作者 王海龙 朱海军 +4 位作者 宁东 汪辉 王晓东 郭忠圣 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期191-193,共3页

利用深能级瞬态谱 (DL TS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂 Si和 Be的 Ga As同质结构样品中缺陷的电学特性 .发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低 。

关键词 原子氢辅助分子束外延生长 砷化镓 DLTS

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Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性 被引量：2

10

作者 王海龙 朱海军 +4 位作者 封松林 宁东 汪辉 王晓东 江德生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期20-23,共4页

首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信... 首次细致地研究了 In As量子点中直接掺杂 Be对其发光特性的影响。光致发光 ( PL)谱的研究表明 ,较低掺杂浓度时 ,发光峰蓝移 ,同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响 ,发光强度明显变弱。相信该研究对 In As自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。 展开更多

关键词 量子点 光致发光 掺杂 铍 砷化铟

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自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究 被引量：2

11

作者 孔令民 蔡加法 +2 位作者 陈主荣 吴正云 牛智川 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期208-212,共5页

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸... 在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果. 展开更多

关键词 INAS量子点 浸润层 时间分辨谱 半导体超薄层生长技术 砷化铟

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缺陷俘获势垒测定新方法──瞬态光霍耳谱 被引量：2

12

作者 封松林 王海龙 +1 位作者 周洁 杨锡震 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期1-5,共5页

以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态... 以瞬态光霍尔测量为基础，建立了直接观测俘获过程的深中心分析测试新手段．该方法不需要做肖特基结、ｐ－ｎ结、或ＭＩＳ结构，几乎可在零电场下测量缺陷参数，克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响，也克服了深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点．用此方法测量了Ｇａ０．７Ａｌ０． 展开更多

关键词 瞬态光霍耳谱 俘获势垒 缺陷 半导体

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TiO_2纳米晶簇室温线偏振光透射特性 被引量：1

13

作者 王德煌 程虎民 +2 位作者 马季铭 梁瑞生 唐志列 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期597-599,共3页

报道ＴｉＯ２纳米晶簇室温线偏振光透射谱实验测量结果。样品光透射值随波长非线性变化。带隙波长测量值约为３９６ｎｍ。它小于体单晶的值，结果与量子尺寸效应研究表明的兰移现象相符合。

关键词 纳米晶簇 线偏振光 透射 二氧化钛 半导体

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ZrO_2纳米晶簇研究(英文) 被引量：1

14

作者 梁瑞生 王德煌 +2 位作者 程虎民 王艳芹 马季铭 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期83-86,共4页

用化学方法将ＺｒＯ２ 纳米晶簇掩埋在ＰＶＡ 膜内。实验测定ＺｒＯ２ 纳米晶簇的ＴＥＭ 图。Ｘ光谱和光吸收曲线。ＺｒＯ２ 纳米晶簇平均尺寸约７－０ ｎｍ 。室温带隙是３－０２４ｅＶ。

关键词 纳米晶族 二氧化锆 X光谱

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InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱 被引量：1

15

作者 杨锡震 陈枫 封松林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期357-359,共3页

将ＤＬＴＳ用于对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓＱＤ结构样品的测量，测定了ＱＤ能级发射载流子的热激活能；获得了ＱＤ能级俘获电子过程伴随有多声子发射（ＭＰＥ）、ＱＤ能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下，存在亚稳生长构形... 将ＤＬＴＳ用于对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓＱＤ结构样品的测量，测定了ＱＤ能级发射载流子的热激活能；获得了ＱＤ能级俘获电子过程伴随有多声子发射（ＭＰＥ）、ＱＤ能级存在一定程度的展宽、以及在某些特定的生长条件下，存在亚稳生长构形的实验证据． 展开更多

关键词 量子点 深能级 瞬态谱 DLTS谱 砷化镓 砷化铟

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利用噪声谱表征二氧化钒薄膜的光学相变特性 被引量：1

16

作者 尚雅轩 梁继然 +2 位作者 刘剑 赵一瑞 姬扬 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期595-598,641,共5页

利用自主搭建的实验系统,同步实时地测量了热致相变材料二氧化钒(VO2)薄膜在相变过程中的反射率及其涨落(噪声谱).实时傅里叶变换采集卡测得的噪声谱不仅可以像反射率测量一样给出样品的相变温度(55℃),还在样品的高温区金属相里发现了... 利用自主搭建的实验系统,同步实时地测量了热致相变材料二氧化钒(VO2)薄膜在相变过程中的反射率及其涨落(噪声谱).实时傅里叶变换采集卡测得的噪声谱不仅可以像反射率测量一样给出样品的相变温度(55℃),还在样品的高温区金属相里发现了一个明显的噪声峰(位于15~20 MHz),而低温区半导体相的噪声谱几乎是平坦的.这种噪声峰也反映了薄膜样品中低温半导体相和高温金属相的晶体结构差异.噪声谱测量可以广泛地应用于相变材料的研究. 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 噪声谱 同步测量 半导体-金属相变 反射率

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量子通信与量子计算 被引量：1

17

作者 张庆秀 郭孝尧 +1 位作者 孙宝权 李树深 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期8-9,共2页

量子通信和量子计算是近年来信息领域基础研究的前沿课题。本文简单介绍了量子通信和量子计算的基本概念和新进展。

关键词 量子通信 量子计算 信息学

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p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算 被引量：1

18

作者 吴文刚 张万荣 +1 位作者 江德生 罗晋生 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第6期639-643,共5页

针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变... 针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×10^(19)cm^(-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。 展开更多

关键词 锗硅合金 应变 重掺杂 能带结构 半导体

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GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件动态工作模式的模拟研究 被引量：1

19

作者 薛舫时 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期51-55,共5页

使用量子阱能带混合隧穿共振理论及MonteCarlo模拟方法计算了GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件的静态和动态工作特性．发现有源层中的电场及Г、X和L三能谷的电子布居基本上可分为强场立能谷区和弱场耿氏区两部分．控制掺杂接日的浓度能... 使用量子阱能带混合隧穿共振理论及MonteCarlo模拟方法计算了GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件的静态和动态工作特性．发现有源层中的电场及Г、X和L三能谷的电子布居基本上可分为强场立能谷区和弱场耿氏区两部分．控制掺杂接日的浓度能调制这两区域的相对大小，控制两种谷间转移电子效应的相互作用，从而改变器件的静态和动态性能动态模拟给出了器件的新射频工作模式：上能谷电子区的宽度调制和低场耿氏区电场的上下浮动．运用这一工作模式解释了器件的各类新工作特性。 展开更多

关键词 异质谷间转移 电子器件 模拟 半导体异质结构

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GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

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作者 王杏华 李国华 +5 位作者 李承芳 李月霞 程文超 宋爱民 刘剑 王志明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期202-206,共5页

采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大．

关键词 量子点阵 荧光特性 砷化镓 量子阱 铝镓砷

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