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新旧动能转换引领第三代半导体产业创新发展
被引量：
4
1
作者
李晋闽
《中国科技产业》
2018年第1期54-55,共2页
第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（In...
第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表,奠定了信息产业基础。
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关键词
第三代半导体材料
产业创新
动能转换
核心竞争力
元素半导体
微电子产业
信息技术
信息产业
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职称材料
大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备
被引量：
2
2
作者
朱邵歆
陈翔
+3 位作者
闫建昌
张韵
王军喜
李晋闽
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期696-700,716,共6页
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀...
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的Al N纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm。研究结果表明,高晶体质量的Al N材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直Al N纳米柱阵列的关键。Al N纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础。
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关键词
氮化铝
纳米柱
纳米压印光刻
湿法腐蚀
自上而下法
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职称材料
题名
新旧动能转换引领第三代半导体产业创新发展
被引量：
4
1
作者
李晋闽
机构
半导体照明联合创新国家重点实验室
国家
半导体
照明
工程研发及产业联盟
出处
《中国科技产业》
2018年第1期54-55,共2页
文摘
第三代半导体材料凭借其极其重要和具有战略性的应用价值,成为提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）等元素半导体为代表,奠定了微电子产业基础;第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）为代表,奠定了信息产业基础。
关键词
第三代半导体材料
产业创新
动能转换
核心竞争力
元素半导体
微电子产业
信息技术
信息产业
分类号
F426.63 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备
被引量：
2
2
作者
朱邵歆
陈翔
闫建昌
张韵
王军喜
李晋闽
机构
中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所
中国科学院
半导体
研究所
半导体
照明
研发中心
中国科学院大学
北京市第三代
半导体
材料及应用技术工程中心
半导体照明联合创新国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期696-700,716,共6页
基金
国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项(2016YFB04000803
2016YFB04000802)
+6 种基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032608)
国家自然科学基金资助项目(61376090
61376047
61527814
61674147
61204053)
北京市科委重大项目课题资助项目(D161100002516002)
文摘
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(Al N)外延层。并在此高质量Al N薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的Al N纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm。研究结果表明,高晶体质量的Al N材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直Al N纳米柱阵列的关键。Al N纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础。
关键词
氮化铝
纳米柱
纳米压印光刻
湿法腐蚀
自上而下法
Keywords
AlN
nanorods
nano-imprint lithography
wet etching
top-down method
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
新旧动能转换引领第三代半导体产业创新发展
李晋闽
《中国科技产业》
2018
4
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职称材料
2
大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备
朱邵歆
陈翔
闫建昌
张韵
王军喜
李晋闽
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
2
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