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HgCdTe分子束外延In掺杂研究
被引量：
4
1
作者
巫艳
王善力
+3 位作者
陈路
于梅芳
乔怡敏
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期174-178,共5页
报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 ...
报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .
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关键词
分子束外延
HGCDTE
掺杂
铟
红外焦平面阵列探测器
材料
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职称材料
题名
HgCdTe分子束外延In掺杂研究
被引量：
4
1
作者
巫艳
王善力
陈路
于梅芳
乔怡敏
何力
机构
半导体材料与器件研究中心及国家红外物理实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期174-178,共5页
基金
中国科学院知识创新工程
国家自然科学基金 (编号 6 942 5 0 0 2 )
国家高技术发展计划 (编号 86 3-30 7-16 -10 )资助项目
文摘
报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .
关键词
分子束外延
HGCDTE
掺杂
铟
红外焦平面阵列探测器
材料
Keywords
MBE
HgCdTe
in doping
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HgCdTe分子束外延In掺杂研究
巫艳
王善力
陈路
于梅芳
乔怡敏
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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职称材料
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