基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究

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作者 马玉麟 郭祥 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第2期79-84,共6页

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇... 本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度,当温度升高100℃,密度从1.05×10^(11)cm^(-2)降低至2.5×10^(7)cm^(-2),实现对团簇密度4个数量级的可控调节,并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次,分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下,制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸:当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节,并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al,Ga,In)原子团簇做对比,这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导,从而促进纳米级含Bi材料的制备. 展开更多

关键词 分子束外延 Bi原子团簇 生长温度 沉积时长 经典成核理论 晶体生长动力学

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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

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作者 马玉麟 郭祥 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第3期77-84,共8页

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结... 本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加,进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多,Ga原子自组装成团簇,最终表现为Ga原子团簇的高度升高.第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加,主要由新吸附原子和竞争效应驱动.第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关.第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列,是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果. 展开更多

关键词 MBE Ga原子团簇 Ga源温度 沉积时长 退火时长

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一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器

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作者 冯仕豪 余德水 +1 位作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期273-281,312,共10页

基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管... 基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管因过热而损坏,设计了过温指示及热关断模块,在139~164℃的温度区间内具有迟滞型热关断与过温指示功能。芯片测试结果显示,该电路的输入偏置电流为16.804 pA,输入失调电流为2.49 pA,开环电压增益为128.2 dB,转换速率为19.57 V/μs,增益带宽积为3.5 MHz。 展开更多

关键词 结型场效应晶体管(JFET)输入 功率运放 高转换速率 低失调 过温保护

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TSV可靠性综述 被引量：3

4

作者 王硕 马奎 杨发顺 《电子技术应用》 2021年第2期1-6,共6页

对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术的可靠性进行了综述,主要分为三个方面:热应力,工艺和压阻效应。TSV热应力可靠性问题体现在不同材料之间的热膨胀系数差异较大,过大的热应力可能导致界面分层和裂纹;TSV工艺可靠性体现在侧壁的连... 对硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术的可靠性进行了综述,主要分为三个方面:热应力,工艺和压阻效应。TSV热应力可靠性问题体现在不同材料之间的热膨胀系数差异较大,过大的热应力可能导致界面分层和裂纹;TSV工艺可靠性体现在侧壁的连续性以及填充铜的质量;有源区中载流子的迁移率会受到TSV热应力的影响。在TSV周围规定一个保持区域(Keep-Out Zone,KOZ)。KOZ设置为载流子迁移率不超过5%的区域。当载流子迁移率超过5%,可能会导致电路的时序被破坏,使集成电路失效。 展开更多

关键词 TSV KOZ 热应力 热膨胀系数

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基于Ga2O3的场效应器件研究进展 被引量：1

5

作者 高灿灿 马奎 杨发顺 《电子技术应用》 2020年第5期22-26,共5页

氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料,由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点,广泛应用于大功率器件等领域,已成为近几年来国内外科研人员研究的热点。主要介绍了Ga2O3材料的特性,总结了基于Ga2O3的场效应晶体管(FET)... 氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料,由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点,广泛应用于大功率器件等领域,已成为近几年来国内外科研人员研究的热点。主要介绍了Ga2O3材料的特性,总结了基于Ga2O3的场效应晶体管(FET)的研究进展,对Ga2O3功率器件的发展进行了思考归纳。 展开更多

关键词 GA2O3 宽禁带半导体 场效应晶体管

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磁控溅射功率对β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响 被引量：2

6

作者 冉景杨 高灿灿 +1 位作者 马奎 杨发顺 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第4期90-94,共5页

近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga_(2)O_(3)薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅... 近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga_(2)O_(3)薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅射功率对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响. X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,随着溅射功率的增大,半峰宽呈现先增大后减小再增大的趋势,晶粒尺寸变化与之相反.此外,通过积分球式分光光度计,研究了溅射功率对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学特性的影响.光学特性方面,薄膜吸光度随着波长的增加,先升高后下降、再升高再下降,最后吸收边在700 nm附近截止,不同溅射功率制备的薄膜吸收光谱都存在两个吸收峰. 展开更多

关键词 β-Ga_(2)O_(3) 射频磁控溅射 溅射功率 半峰宽 晶粒尺寸

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AlxIn1-xAs电子结构和光学性质的第一性原理研究

7

作者 张振东 王一 +5 位作者 黄延彬 李志宏 杨晨 罗子江 郭祥 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2019年第6期1057-1063,共7页

基于密度泛函理论,对各组分Alx In1-x As(x为0~1)的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,Alx In1-x As晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体积也将减小,晶格常数的变化符合Vegard定律.另外,随着A... 基于密度泛函理论,对各组分Alx In1-x As(x为0~1)的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,Alx In1-x As晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体积也将减小,晶格常数的变化符合Vegard定律.另外,随着Al组分x的增加,Alx In1-x As的禁带宽度变宽,且能带有从直接带隙结构转变为间接带隙结构的趋势.具有较高In组分的Alx In1-x As晶体在可见光区域中的光吸收能力更强,光谱响应范围更大. 展开更多

关键词 AlxIn1-xAs 晶体结构 电子结构 光学性质 第一性原理

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FinFET器件结构发展综述 被引量：7

8

作者 熊倩 马奎 杨发顺 《电子技术应用》 2021年第1期21-27,共7页

随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以... 随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。 展开更多

关键词 场效应晶体管 FINFET 器件结构 工艺

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In液滴在GaAs(001)表面扩散行为的研究

9

作者 赵梦秦 黄泽琛 +5 位作者 蒋冲 张丹懿 唐锦程 王一 郭祥 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第2期65-72,共8页

量子点的物理与光电性质主要依赖于其尺寸及密度参数,而量子点的密度、高度等参数又控制着原子在衬底上的成核行为.本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面生长金属In液滴,研究了In液滴的扩散运动与衬底温度和沉积速率之间的关系,研究发现,... 量子点的物理与光电性质主要依赖于其尺寸及密度参数,而量子点的密度、高度等参数又控制着原子在衬底上的成核行为.本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面生长金属In液滴,研究了In液滴的扩散运动与衬底温度和沉积速率之间的关系,研究发现,随着衬底温度的升高和沉积速率的降低,In液滴尺寸增大密度却降低.通过得到的实验数据,拟合关于In液滴密度与衬底温度和沉积速率的曲线,分析了量子环的生长机制,并根据原子的表面迁移行为,进一步分析其表面原子扩散机理. 展开更多

关键词 量子点 In液滴 衬底温度 沉积速率 量子环 原子的表面迁移

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一款基于开关电容的倍压器研究与设计

10

作者 刘士启 马奎 杨发顺 《电子技术应用》 2022年第3期49-53,共5页

基于开关电容的倍压器又称为电荷泵,设计将电荷泵集成到一颗芯片中。该芯片能够在4 V至20 V的输入范围内工作,并提供7 V至38 V的输出,提供超过10 mA的输出电流。电路采用电荷泵结构实现倍压,该电路的特点是无需电感,就可实现对输入电压... 基于开关电容的倍压器又称为电荷泵,设计将电荷泵集成到一颗芯片中。该芯片能够在4 V至20 V的输入范围内工作,并提供7 V至38 V的输出,提供超过10 mA的输出电流。电路采用电荷泵结构实现倍压,该电路的特点是无需电感,就可实现对输入电压的倍增,消除了电磁干扰的影响。空载情况下电源电流最大不超过12 mA。另外该电路采用双极型工艺制造,不易发生闩锁。 展开更多

关键词 开关电容 电荷泵 倍压器 双极型

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电推进羽流电磁效应仿真软件研究与实现

11

作者 杨鑫 李林茜 魏兵 《电子技术应用》 2020年第8期5-8,共4页

结合时域有限差分法、物理光学法以及非均匀媒质射线跟踪方法,研究了电推进羽流对卫星电磁传输环境的影响,开发了一款电推进羽流电磁效应仿真软件。因软件采用低频与高频算法相结合的计算构架,故可为这类问题分析提供宽频域的解决方案... 结合时域有限差分法、物理光学法以及非均匀媒质射线跟踪方法,研究了电推进羽流对卫星电磁传输环境的影响,开发了一款电推进羽流电磁效应仿真软件。因软件采用低频与高频算法相结合的计算构架,故可为这类问题分析提供宽频域的解决方案。最后,通过C#平台对所编制程序进行交互设置,为羽流-卫星系统电磁特性分析提供了一种便捷的手段。研究结果对推动仿真软件国产化可起到一定促进作用。 展开更多

关键词 电推进羽流 时域有限差分方法 物理光学法 射线跟踪方法

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一种超低失调集成运算放大器的设计与实现 被引量：3

12

作者 刘传兴 何贵昆 +1 位作者 马奎 杨发顺 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期143-150,共8页

基于双极型工艺设计了一种超低失调集成运算放大器。通过在差分输入级的有源负载处设计电阻修调网络来调整失调电压,并针对基极电流补偿不可控的问题设计了可修调的基极电流补偿结构来降低偏置电流,利用激光修调技术减小基极补偿结构引... 基于双极型工艺设计了一种超低失调集成运算放大器。通过在差分输入级的有源负载处设计电阻修调网络来调整失调电压,并针对基极电流补偿不可控的问题设计了可修调的基极电流补偿结构来降低偏置电流,利用激光修调技术减小基极补偿结构引入的随机失调,有效改善了输入级失调。增益级采用结型场效应晶体管(JFET)差分对管以获得高增益,输出级采用全npn晶体管的乙类输出结构可满足大功率输出需求。芯片实测数据表明:在全温度范围内,失调电压最大为-25.3μV,失调电压温漂为0.025μV/℃,输入偏置电流为-3.535 nA,输入失调电流为-0.825 nA。实现了超低的失调电压、电流和温漂。 展开更多

关键词 低失调 低温漂 基极电流补偿 激光修调 双极型工艺

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基于偏流补偿的低失调运算放大器的设计 被引量：1

13

作者 李洪品 杨发顺 马奎 《微电子学与计算机》 2024年第5期140-146,共7页

基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输... 基于双极型工艺,设计了一种具有低输入失调电压、低输入偏置电流的运算放大器。电路结构包含偏置电路、差分输入级电路、中间级电路和输出级电路。差分输入级电路采用共射-共基耦合对,能够降低失调电压,并且采用基极电流补偿结构抵消输入偏置电流在外围电路上所产生的影响,提高电路精度。中间级为整个电路提供增益,并且将双端输入信号转换为单端输出信号。输出级电路为AB类输出级,具有低静态功耗,能够提高电路效率,增大电路带负载能力并为负载提供更多功率。电路采用齐纳修调技术,在封装后对芯片进行修调,避免封装后引入的二次失调。流片后测试结果表明:在±15 V电源电压条件下,输入失调电压≤10μV,输入偏置电流≤3 nA,输入失调电流≤1.5 nA,大信号电压增益≥110 dB。 展开更多

关键词 运算放大器 低输入失调电压 低输入偏置电流 基极电流补偿 齐纳修调

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液滴外延下生长参数对InAs纳米结构形貌的影响

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作者 马玉麟 郭祥 +1 位作者 王一 丁召 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2024年第2期68-72,共5页

利用液滴外延法在GaAs(001)衬底表面制备InAs量子点,通过控制变量分别研究沉积速率、沉积量对In液滴在GaAs表面生长过程中的影响.使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)表征I⁃nAs纳米结构形貌,得出结论:(1)沉积速率主要通过影... 利用液滴外延法在GaAs(001)衬底表面制备InAs量子点,通过控制变量分别研究沉积速率、沉积量对In液滴在GaAs表面生长过程中的影响.使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)表征I⁃nAs纳米结构形貌,得出结论:(1)沉积速率主要通过影响In液滴成核率来控制液滴的密度,即随着沉积速率的增大,In原子在衬底表面的成核率增加,InAs量子点密度增加,实验符合生长动力学经典成核理论.(2)沉积量的改变主要影响液滴的熟化过程,即随着沉积量的增大,可参与生长的活跃的In原子增加,促进了液滴熟化,使得扩散坍塌的原子数量增加,导致在InAs纳米结构中出现多量子点现象. 展开更多

关键词 液滴外延 沉积速率 成核率 沉积量 熟化 INAS量子点

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一种低功耗低失调的集成运算放大器

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作者 付玉 杜承钢 +2 位作者 闵睿 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期851-857,共7页

针对高精度、低功耗运放的需求,利用40V双极型工艺设计了一款电源电压为3~30V的低功耗、低失调集成运算放大器。该运放为单片四通道结构,利用一个不完全对称的二级运放,以减小电路的功耗,同时使得输入级失调得到有效改善。并且在输入级... 针对高精度、低功耗运放的需求,利用40V双极型工艺设计了一款电源电压为3~30V的低功耗、低失调集成运算放大器。该运放为单片四通道结构,利用一个不完全对称的二级运放,以减小电路的功耗,同时使得输入级失调得到有效改善。并且在输入级加入了一对射极跟随器,增大电路的输入阻抗,使得输入基极电流有效减小。芯片的测试结果表明,在-55~125℃的范围内,平均开环增益可以达到105.998dB,平均失调电压为159.27μV,平均输入偏置电流为-5.787nA,平均输入失调电流为-0.287nA,单个运放的平均电源电流为189.679μA。 展开更多

关键词 双极型工艺 低功耗 低失调 二级运放 射极跟随器 输入阻抗

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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜

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作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页

使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面

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基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜

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作者 黄梦茹 卢林红 +2 位作者 郭丰杰 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期893-898,共6页

在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化... 在电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺中,选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气(Ar)作为刻蚀气体,研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响,并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明,调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率,进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数,在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm^(3)/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下,芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。 展开更多

关键词 Ti/Ni/Ag薄膜 电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀深度 AR 射频偏压功率

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一种3×10^(-6)/℃的超低温漂带隙基准源

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作者 娄义淳 杜承钢 +3 位作者 闵睿 郑倩 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期742-748,共7页

基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基... 基于40 V双极型工艺,利用Brokaw型带隙基准源模型,设计了一种宽输入电压范围、超低温漂的带隙基准源。在Brokaw模型的基础上改进核心带隙基准电路设计,使用不同温度系数电阻的补偿方法对基准源的温漂进行二阶补偿;偏置电路使用改进的基极-发射极电压作为电流源,利用电流镜为其他模块提供电流;在钳位运放中引入负反馈,以提高电路的输入电压范围。芯片实测数据表明,在4~36 V的工作电压范围内,2.5 V和3 V输出电压的温漂系数均小于3×10^(-6)/℃;2.5 V和3 V输出电压的线性调整率分别为7.3μV/V和2.5μV/V,实现了超低的温度漂移和线性调整率。 展开更多

关键词 双极型 带隙基准源 超低温漂 Brokaw模型 二阶补偿

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基于倾斜旋转方法磁控溅射制备TSV阻挡层

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作者 申菊 卢林红 +4 位作者 杜承钢 冉景杨 闵睿 杨发顺 马奎 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期726-731,共6页

硅通孔(TSV)是实现三维集成的关键技术,在TSV侧壁制备连续和均匀的阻挡层至关重要。提出了一种磁控溅射制备TSV侧壁阻挡层的方法,将溅射基台倾斜一定角度并水平匀速旋转,使溅射离子的掉落方向与TSV侧壁不平行,靶材离子更容易溅射沉积在... 硅通孔(TSV)是实现三维集成的关键技术,在TSV侧壁制备连续和均匀的阻挡层至关重要。提出了一种磁控溅射制备TSV侧壁阻挡层的方法,将溅射基台倾斜一定角度并水平匀速旋转,使溅射离子的掉落方向与TSV侧壁不平行,靶材离子更容易溅射沉积在TSV侧壁,使得TSV侧壁都能被溅射到,更有利于制备连续和均匀的阻挡层。使用Ti靶进行直流磁控溅射,优化溅射电流和溅射气压,通过扫描电子显微镜(SEM)对TSV侧壁阻挡层的形貌进行表征分析。随着溅射电流和溅射气压的增大,阻挡层的厚度会增加,但是溅射气压的增大使得溅射钛晶粒变得细长,从而导致阻挡层的均匀性和致密性变差。 展开更多

关键词 硅通孔(TSV) 阻挡层 磁控溅射 溅射电流 溅射气压

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一种差动式位移传感器芯片的信号调理电路设计

20

作者 杨朝辉 马奎 杨发顺 《电子器件》 CAS 2024年第2期326-332,共7页

设计了一种适用于线性可变差动式位移传感器(LVDT)的信号调理电路,该电路用于将LVDT的副边输出信号进行处理,并输出一个表征铁芯位移的直流电压;主要由解调电路、除法电路和运算放大器组成。LVDT副边输出为两个互补的正弦波信号,直接驱... 设计了一种适用于线性可变差动式位移传感器(LVDT)的信号调理电路,该电路用于将LVDT的副边输出信号进行处理,并输出一个表征铁芯位移的直流电压;主要由解调电路、除法电路和运算放大器组成。LVDT副边输出为两个互补的正弦波信号,直接驱动信号调理电路;由于该信号调理电路采用了独特的比值架构,得到的是两个电压的差与和的比值,所以不要求LVDT初级激励使电压幅度保持稳定,同时,LVDT初级与次级线圈的相移以及干扰电压对该电路的功能不会产生影响,能有效地解决传统信号调理电路在测量精度和可靠性等方面的问题,具有更好的稳定性和性能优势,经过仿真验证及流片测试表明,该信号调理电路总误差≤1.49%/FS,线性度≤0.05%,满量程输出电压≥±10 V。各项功能指标均达到设计要求。 展开更多

关键词 LVDT 信号调理 同步解调 除法器

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