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脂肪醇聚氧乙烯醚对铝栅CMP中铝和多晶硅去除速率选择比的影响: 1; 作者曹钰伟王胜利 +5 位作者罗翀王辰伟张国林梁斌杨云点盛媛慧《润滑与密封》北大核心 2025年第4期73-79,共7页; 为了提高高K金属栅结构(HKMG)化学机械拋光(CMP)中铝和多晶硅去除速率选择比,研究酸性环境下(pH=5)非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO9)对铝和多晶硅去除速率选择比的影响,并探究其作用机制。研究发现,AEO9质量分数为0.01%时,铝和... 展开更多; 关键词高K金属栅结构化学机械拋光脂肪醇聚氧乙烯醚去除速率多晶硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

二乙烯三胺对硅片化学机械抛光速率的影响: 2; 作者杨啸王辰伟 +4 位作者王雪洁王海英张新颖杨云点盛媛慧《润滑与密封》北大核心 2025年第1期138-143,共6页; 为提高硅衬底化学机械抛光(CMP)的去除速率,在硅衬底抛光液中添加哌嗪(PZ)、二乙烯三胺(DETA)、三乙烯四胺(TETA)、乙醇胺(MEA)4种胺类化合物,对比其对硅片抛光速率促进效果。结果表明,4种胺类化合物对硅片抛光速率的促进作用由高到低... 展开更多; 关键词化学机械抛光抛光液二乙烯三胺硅衬底抛光速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

草酸对钨膜化学机械抛光性能的影响: 3; 作者李丁杰周建伟 +4 位作者罗翀孙纪元刘德正杨云点冯鹏《润滑与密封》北大核心 2025年第5期109-114,135,共7页; 在钨(W)化学机械抛光(CMP)过程中,虽然加入过多的硝酸铁可以提高钨的去除速率,但会引入较多的Fe^(3+),可能对器件性能产生不利影响。选择成本低并且对环境友好的草酸作为钨抛光液中的络合剂,研究草酸对CMP过程中钨去除速率和表面质量的... 展开更多; 关键词化学机械抛光钨去除速率表面质量草酸硝酸铁; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶圆级多层堆叠技术被引量：4: 4; 作者郑凯周亦康 +3 位作者宋昌明蔡坚高颖张昕《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期178-187,共10页; 随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求。晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集成技术成为实现系统性能、带宽... 展开更多; 关键词晶圆级多层堆叠 2.5D和3D封装硅通孔(TSV) 晶圆键合与解键合可靠性管理; 在线阅读下载PDF 职称材料

单烷基磷酸酯钾盐抑制剂对Co互连化学机械抛光的影响: 5; 作者田雨暄王胜利 +5 位作者罗翀王辰伟张国林孙纪元冯鹏盛媛慧《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期84-91,共8页; 针对抛光液中传统抑制剂如苯丙三氮唑(BTA)等具有毒性,会污染环境等问题,以SiO2为磨料,在甘氨酸-双氧水体系下,使用单烷基磷酸酯钾盐(MAPK)作为新型抑制剂制备Co互连粗抛抛光液,通过抛光和静态腐蚀实验和电化学、光电子能谱、接触角分... 展开更多; 关键词钴化学机械抛光抑制剂去除速率表面质量; 在线阅读下载PDF 职称材料

复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响被引量：1: 6; 作者陈志博王辰伟 +4 位作者罗翀杨啸孙纪元王雪洁杨云点《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期323-329,共7页; 以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(... 展开更多; 关键词复合磨料核壳结构层间介质化学机械抛光(CMP) 去除速率; 在线阅读下载PDF 职称材料

聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响: 7; 作者李丁杰周建伟 +4 位作者罗翀王辰伟孙纪元杨云点冯鹏《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期102-108,共7页; 为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及... 展开更多; 关键词化学机械抛光去除速率选择性表面粗糙度聚二烯丙基二甲基氯化铵; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脂肪醇聚氧乙烯醚对铝栅CMP中铝和多晶硅去除速率选择比的影响: 1; 作者曹钰伟王胜利罗翀王辰伟张国林梁斌杨云点盛媛慧; 机构河北工业大学电子信息工程学院河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司; 出处《润滑与密封》北大核心 2025年第4期73-79,共7页; 基金河北省自然科学基金项目(E2019202367)。; 文摘为了提高高K金属栅结构(HKMG)化学机械拋光(CMP)中铝和多晶硅去除速率选择比,研究酸性环境下(pH=5)非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO9)对铝和多晶硅去除速率选择比的影响,并探究其作用机制。研究发现,AEO9质量分数为0.01%时,铝和多晶硅的速率选择比最高,达到了3.8,并且改善了铝和多晶硅的CMP后的表面质量,表面粗糙度分别为0.756、0.324 nm。电化学、XPS、接触角、表面张力表征结果表明,表面活性剂AEO9可以在被抛材料Al和多晶硅晶圆表面形成致密的吸附膜,从而通过影响抛光中的机械摩擦作用和化学作用,使抛光材料去除速率减小,并减小了Al和多晶硅晶圆表面的粗糙度。; 关键词高K金属栅结构化学机械拋光脂肪醇聚氧乙烯醚去除速率多晶硅; Keywords high-K metal gate chemical mechanical polishing fatty alcohol polyoxyethylene ether removal rate polysilicon; 分类号 TH117.1 [机械工程—机械设计及理论] TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名二乙烯三胺对硅片化学机械抛光速率的影响: 2; 作者杨啸王辰伟王雪洁王海英张新颖杨云点盛媛慧; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司; 出处《润滑与密封》北大核心 2025年第1期138-143,共6页; 基金河北省自然科学基金项目(E2019202367)。; 文摘为提高硅衬底化学机械抛光(CMP)的去除速率,在硅衬底抛光液中添加哌嗪(PZ)、二乙烯三胺(DETA)、三乙烯四胺(TETA)、乙醇胺(MEA)4种胺类化合物,对比其对硅片抛光速率促进效果。结果表明,4种胺类化合物对硅片抛光速率的促进作用由高到低依次为DETA、TETA、MEA、PZ;当抛光液pH值为10.5,DETA质量分数为0.25%时,硅片的抛光速率高达1 036 nm/min。为揭示DETA促进硅片CMP速率的机制,对添加DETA的抛光液进行接触角、Zeta电位测试及光电子能谱(XPS)分析。结果发现,DETA一方面促进了硅片表面水解形成Si-OH基团,另一方面降低了抛光液中硅溶胶磨料与硅片表面的静电斥力,增强了机械摩擦作用;DETA氨基上的氮原子与硅片表面的硅原子形成N-Si键,N-Si键的形成导致硅片表面Si-Si键极化,极化的Si-Si键更容易被抛光液中的溶解氧氧化,最后氧化物在摩擦力的作用下被脱离硅片表面。; 关键词化学机械抛光抛光液二乙烯三胺硅衬底抛光速率; Keywords chemical mechanical polishing polishing fluid diethylenetriamine silicon substrate polishing rate; 分类号 TH117 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名草酸对钨膜化学机械抛光性能的影响: 3; 作者李丁杰周建伟罗翀孙纪元刘德正杨云点冯鹏; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司; 出处《润滑与密封》北大核心 2025年第5期109-114,135,共7页; 基金国家自然科学基金项目(62074049)。; 文摘在钨(W)化学机械抛光(CMP)过程中,虽然加入过多的硝酸铁可以提高钨的去除速率,但会引入较多的Fe^(3+),可能对器件性能产生不利影响。选择成本低并且对环境友好的草酸作为钨抛光液中的络合剂,研究草酸对CMP过程中钨去除速率和表面质量的影响。结合电化学实验、X射线光电子能谱(XPS)和密度泛函理论(DFT),揭示草酸在CMP中的作用机制。结果表明:抛光速率随草酸质量分数的增加先增大后减小,当草酸质量分数为0.04%时抛光速率最大。这可能是由于草酸质量分数较小时,草酸与Fe^(3+)的络合反应较弱,而与WO_(3)的溶解反应较强;草酸浓度较高时,草酸与Fe^(3+)的络合反应增强,而与WO_(3)的溶解反应减弱。当加入质量分数0.04%的草酸时,钨的去除速率显著提高。; 关键词化学机械抛光钨去除速率表面质量草酸硝酸铁; Keywords chemical mechanical polishing(CMP) removal rate of tungsten surface quality oxalic acid iron nitrate; 分类号 TH117.1 [机械工程—机械设计及理论] TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶圆级多层堆叠技术被引量：4: 4; 作者郑凯周亦康宋昌明蔡坚高颖张昕; 机构北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司清华大学微电子与纳电子学系北京信息科学与技术国家研究中心; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期178-187,共10页; 文摘随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求。晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集成技术成为实现系统性能、带宽和功耗等方面指标提升的重要备选方案之一。对目前已有的晶圆级多层堆叠技术及其封装过程进行了详细介绍;并对封装过程中的两项关键工艺,硅通孔工艺和晶圆键合与解键合工艺进行了分析;结合实际封装工艺对晶圆级多层堆叠过程中的可靠性管理进行了论述。在集成电路由二维展开至三维的发展过程中,晶圆级多层堆叠技术将起到至关重要的作用。; 关键词晶圆级多层堆叠 2.5D和3D封装硅通孔(TSV) 晶圆键合与解键合可靠性管理; Keywords wafer-level multilayer stacking 2.5D and 3D packaging through-silicon via(TSV) wafer bonding and de-bonding reliability management; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单烷基磷酸酯钾盐抑制剂对Co互连化学机械抛光的影响: 5; 作者田雨暄王胜利罗翀王辰伟张国林孙纪元冯鹏盛媛慧; 机构河北工业大学电子信息工程学院河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司; 出处《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期84-91,共8页; 基金河北省自然科学基金项目(E2019202367)。; 文摘针对抛光液中传统抑制剂如苯丙三氮唑(BTA)等具有毒性,会污染环境等问题,以SiO2为磨料,在甘氨酸-双氧水体系下,使用单烷基磷酸酯钾盐(MAPK)作为新型抑制剂制备Co互连粗抛抛光液,通过抛光和静态腐蚀实验和电化学、光电子能谱、接触角分析等表征方式揭示MAPK在化学机械抛光(CMP)中对Co表面质量的改善以及对Co的抑制机制。结果表明:MAPK通过物理吸附和化学吸附方式在Co表面形成的致密钝化膜,可以很好地抑制Co的腐蚀,从而可以在较低的静态腐蚀速率下获取较高的去除速率;加入MAPK可以提高抛光液的润湿性,能够显著改善Co互连抛光后的表面质量,使Co的去除速率大于500 nm/min,静态腐蚀速率小于1 nm/min,表面粗糙度小于0.5 nm。; 关键词钴化学机械抛光抑制剂去除速率表面质量; Keywords cobalt chemical mechanical polishing inhibitor removal rate surface quality; 分类号 TH117.1 [机械工程—机械设计及理论] TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响被引量：1: 6; 作者陈志博王辰伟罗翀杨啸孙纪元王雪洁杨云点; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期323-329,共7页; 基金国家自然科学基金(62074049)。; 文摘以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析复合磨料的表面物相结构及化学键组成。研究结果表明,所制备的复合磨料呈现出“荔枝”形,平均粒径为70~90 nm,CeO_(2)粒子主要以Si—O—Ce键与SiO_(2)内核结合。将所制备的复合磨料配置成抛光液进行层间介质化学机械抛光(CMP)实验。实验结果表明,Zeta电位随着pH值的降低而升高,当pH值约为6.8时达到复合磨料的等电点。当pH值为3时,层间介质去除速率达到最大,为481.6 nm/min。此外,研究发现去除速率还与摩擦力和温度有关,CMP后的SiO_(2)晶圆均方根表面粗糙度为0.287 nm。; 关键词复合磨料核壳结构层间介质化学机械抛光(CMP) 去除速率; Keywords composite abrasive core-shell structure interlayer dielectric chemical mechanical polishing(CMP) removal rate; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响: 7; 作者李丁杰周建伟罗翀王辰伟孙纪元杨云点冯鹏; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司; 出处《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期102-108,共7页; 基金国家自然科学基金项目(62074049)。; 文摘为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及表面粗糙度的影响,并探究PDADMAC在CMP过程中对W和SiO_(2)的不同作用机制。结果表明:随着PDADMAC添加量的增加,W的去除速率小幅度下降,SiO_(2)的去除速率大幅度下降,从而提高了W和SiO_(2)之间的去除速率选择比;PDADMAC会在W表面发生静电吸引作用和在SiO_(2)表面发生吸附作用,这些作用会明显增加W和SiO_(2)的去除速率选择比和改善W和SiO_(2)镀膜片的表面质量;以PDADMAC为抑制剂,使用普通硅溶胶为磨料即可实现较高的W去除速率和较高的W和SiO_(2)去除速率选择比。; 关键词化学机械抛光去除速率选择性表面粗糙度聚二烯丙基二甲基氯化铵; Keywords chemical mechanical polishing removal rate selectivity surface roughness poly dimethyl diallyl ammonium chloride; 分类号 TH117.1 [机械工程—机械设计及理论] TG175 [金属学及工艺—金属表面处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	脂肪醇聚氧乙烯醚对铝栅CMP中铝和多晶硅去除速率选择比的影响	曹钰伟王胜利罗翀王辰伟张国林梁斌杨云点盛媛慧	《润滑与密封》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	二乙烯三胺对硅片化学机械抛光速率的影响	杨啸王辰伟王雪洁王海英张新颖杨云点盛媛慧	《润滑与密封》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	草酸对钨膜化学机械抛光性能的影响	李丁杰周建伟罗翀孙纪元刘德正杨云点冯鹏	《润滑与密封》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	晶圆级多层堆叠技术	郑凯周亦康宋昌明蔡坚高颖张昕	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	单烷基磷酸酯钾盐抑制剂对Co互连化学机械抛光的影响	田雨暄王胜利罗翀王辰伟张国林孙纪元冯鹏盛媛慧	《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响	陈志博王辰伟罗翀杨啸孙纪元王雪洁杨云点	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响	李丁杰周建伟罗翀王辰伟孙纪元杨云点冯鹏	《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料