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数字微光夜视技术及应用 被引量:2
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作者 何开远 唐钦 +2 位作者 郑传文 张俊 陈超 《四川兵工学报》 CAS 2010年第10期105-108,共4页
对微光图像传感器和微光视频图像传感器进行介绍,从数字化和图像处理、信息合成和图像融合等方面对数字微光夜视技术的发展和应用情况进行了讨论。
关键词 微光 信息合成 图像传感器 图像融合
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直耦增强型CMOS相机技术研究
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作者 李亚情 李晗艳 +7 位作者 张立昀 陈旭华 李晓露 邱永生 何俊 高天礼 杜培德 周盛涛 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第6期699-706,721,共9页
直耦增强型CMOS(intensified complementary metal-oxide-semiconductor,ICMOS)相机通过将像增强器输出窗与CMOS直接耦合而成,具备灵敏度高、响应速度快、光谱范围可调等特点。本文根据ICMOS的组成结构,分析了阴极、微通道板、荧光屏、C... 直耦增强型CMOS(intensified complementary metal-oxide-semiconductor,ICMOS)相机通过将像增强器输出窗与CMOS直接耦合而成,具备灵敏度高、响应速度快、光谱范围可调等特点。本文根据ICMOS的组成结构,分析了阴极、微通道板、荧光屏、CMOS等各组成部件对直耦ICMOS成像性能的影响,提出ICMOS用像增强器、CMOS成像器件的选型依据,并结合公司对像增强器的加工优势,基于18 mm NVT-7像增强器和1英寸CMOS开展了实际微光成像验证。结果表明,采用直耦方式的ICMOS相机能够在5×10^(-4)lx条件下清晰成像,分辨力达到16 lp/mm。此外,用于ICMOS耦合的像增强器增益不宜过高,4000 cd/(m^(2)·lx)比较适宜,另外,在增益适宜的条件下,荧光屏输出亮度对其性能影响不大。 展开更多
关键词 像增强器 光锥 直耦 分辨力
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EBAPS器件中陶瓷基座与CMOS硅基芯片的粘接
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作者 谭何盛 陈明欣 +7 位作者 赵恒 王玲燕 杨文波 邓华兵 靳英坤 冯云祥 刀丽纯 张昆林 《红外技术》 北大核心 2025年第5期571-577,共7页
EBAPS(Electron Bombardment Active Pixel Sensor)是一种真空与固体器件结合的混合型光电成像器件,其真空封接需要经过高温烘烤和排气工艺,在研制过程中需要解决CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器中硅基芯片与... EBAPS(Electron Bombardment Active Pixel Sensor)是一种真空与固体器件结合的混合型光电成像器件,其真空封接需要经过高温烘烤和排气工艺,在研制过程中需要解决CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器中硅基芯片与陶瓷基座之间粘接用的环氧树脂胶高温分解导致CMOS芯片脱落无法成像的问题。为了解决上述问题,项目组采用三种熔点相近的Au_(88)Ge_(12)、Pb_(92.5)In_(5)Ag_(2.5)以及Zn-Al-Ag-Cu合金焊料焊接经过金属化后的CMOS硅基芯片和陶瓷基座。对上述3种焊料焊接的CMOS图像传感器剖面进行了SEM(Scanning Electron Microscope)和EDS(Energy Dispersive Spectrometer)测试表征,以分析焊接处的性能。结果表明,使用Au_(88)Ge_(12)焊接的CMOS图像传感器可以实现稳定可靠的连接性能。 展开更多
关键词 AuGe合金 EBAPS 真空焊接 元素扩散
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提高微通道板对低能电子探测效率的技术途径 被引量:6
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作者 杨露萍 刘术林 +8 位作者 黄明举 赵天池 闫保军 温凯乐 杨玉真 司曙光 黄国瑞 衡月昆 钱森 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第8期714-718,共5页
为了提高静电聚焦型微通道板光电倍增管探测效率,重点研究微通道板的探测效率。分析影响微通道板对电子探测效率大小的主要因素,利用微通道板探测效率的理论模型,考虑在垂直入射到输入面的情况下,模拟计算出不同能量(E_e<1 keV)的入... 为了提高静电聚焦型微通道板光电倍增管探测效率,重点研究微通道板的探测效率。分析影响微通道板对电子探测效率大小的主要因素,利用微通道板探测效率的理论模型,考虑在垂直入射到输入面的情况下,模拟计算出不同能量(E_e<1 keV)的入射电子打入非开口区对探测效率的贡献,结合开口区域的探测效率,即获得微通道板总的探测效率,并把模拟计算结果与实际测量相比较,两者基本一致;通过在微通道板的输入端面和通道内壁蒸镀高二次电子发射系数的材料、改变电极蒸镀方式和增加开口面积比,获得接近100%的探测效率,进而有效地提高了这种光电倍增管的探测效率。 展开更多
关键词 光电倍增管 微通道板 探测效率 开口面积比
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超二代像增强器信噪比提高方法研究
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作者 曾进能 王乙瑾 +11 位作者 李晓君 杨琼连 吴佩遥 邱祥彪 李廷涛 宋奇庚 孙正社 朱世聪 崔万兵 伏兵 王婷 褚祝军 《红外技术》 北大核心 2025年第6期681-688,共8页
本文通过理论分析结合实验验证,研究了影响超二代像增强器信噪比的主要因素。结果表明,光电阴极灵敏度、亮度增益,MCP的开口面积比、电子首次碰撞时的二次电子发射系数及斜切角都会影响超二代像增强器的信噪比。信噪比随灵敏度的增加而... 本文通过理论分析结合实验验证,研究了影响超二代像增强器信噪比的主要因素。结果表明,光电阴极灵敏度、亮度增益,MCP的开口面积比、电子首次碰撞时的二次电子发射系数及斜切角都会影响超二代像增强器的信噪比。信噪比随灵敏度的增加而增加,灵敏度由356μA/lm提高至1013μA/lm,信噪比提高了49.6%。信噪比随亮度增益的增加而减小,亮度增益由5000 cd×m^(-2)×lx^(-1)增加至20000 cd×m^(-2)×lx^(-1),信噪比下降了12.3%。信噪比与MCP噪声因子呈负相关,MCP开口面积比越大、电子首次碰撞时的二次电子发射系数越高,其噪声因子越小。而随着MCP斜切角增加,噪声因子先减小、后增大。结合上述规律,在灵敏度和亮度增益相当的条件下,确定了MCP开口面积比、电子首次碰撞时的二次电子发射系数和斜切角的最佳状态,新状态与普通状态的超二代像增强器相比,MCP噪声因子降低了38.0%,信噪比提升了26.9%。本工作将为进一步提高超二代像增强器的信噪比打下良好基础。 展开更多
关键词 像增强器 微通道板 噪声因子 信噪比
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微通道板清洗技术 被引量:4
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作者 王益军 严诚 曾桂林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期413-416,共4页
基于微通道板材料和结构特性,分析了微通道板工艺制造过程中表面污染物的来源,并对其成分进行分析和归类。针对污染物的不同类型和形态,提出了相应的物理、化学清洗方法,主要包括:有机溶剂清洗、清洗液清洗、超声清洗等技术。通过理论... 基于微通道板材料和结构特性,分析了微通道板工艺制造过程中表面污染物的来源,并对其成分进行分析和归类。针对污染物的不同类型和形态,提出了相应的物理、化学清洗方法,主要包括:有机溶剂清洗、清洗液清洗、超声清洗等技术。通过理论分析及实验总结找出了适用于微通道板不同工序的清洗技术及工艺参数,为提高微通道板的表观质量提供了有效的清洗方法。 展开更多
关键词 表面 清洗 污染物 微通道板
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微通道板双面抛光技术 被引量:2
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作者 严诚 金戈 +3 位作者 王益军 张正君 孙建宁 苏德坦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期653-656,676,共5页
基于微通道板皮料、芯料、实体边玻璃材料的特点,分析了微通道板的双面抛光机理,研究了抛光工艺参数(抛光粉、抛光压力、抛光液pH值等)对MCP平面粗糙度、表面质量的影响,提出了微通道板的抛光工艺及参数:抛光粉应选择莫氏硬度为6... 基于微通道板皮料、芯料、实体边玻璃材料的特点,分析了微通道板的双面抛光机理,研究了抛光工艺参数(抛光粉、抛光压力、抛光液pH值等)对MCP平面粗糙度、表面质量的影响,提出了微通道板的抛光工艺及参数:抛光粉应选择莫氏硬度为6、粒度为1.5μm的CeO2;抛光压力和时间按照特定的台阶式工艺进行。抛光液的pH值对MCP表面粗糙度有较明显的影响,pH值会随抛光时间延长而升高,宜控制在6~8。 展开更多
关键词 微通道板 双面抛光 表面粗糙度 PH值
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欧洲超二代像增强器技术的选择及进一步发展 被引量:1
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作者 李晓峰 何雁彬 +2 位作者 徐传平 李金沙 张勤东 《红外技术》 CSCD 北大核心 2022年第12期1249-1263,共15页
二代像增强器采用NaKSb光电阴极,三代像增强器却采用GaAs光电阴极。由于GaAs光电阴极具有更高的阴极灵敏度,因此三代像增强器的性能远高于二代像增强器。在二代像增强器基础上发展的超二代像增强器,阴极灵敏度有了很大提高,因此性能也... 二代像增强器采用NaKSb光电阴极,三代像增强器却采用GaAs光电阴极。由于GaAs光电阴极具有更高的阴极灵敏度,因此三代像增强器的性能远高于二代像增强器。在二代像增强器基础上发展的超二代像增强器,阴极灵敏度有了很大提高,因此性能也有很大提高,同时大大缩短了与三代像增强器的性能差距。超二代像增强器属于NaKSb材料体系,生产成本低,与三代像增强器相比性价比较高,所以欧洲的像增强器产商选择了超二代像增强器技术的发展路线。超二代与三代像增强器技术并行发展了30多年,两者性能均有大幅提高。超二代与三代像增强器的性能差距主要体现在极低照度(<10lx)条件下,而在其它照度条件下,性能基本相当。超二代像增强器的性能仍有提高的空间。增益方面,在微通道板的通道内壁上制作高二次电子发射系数的材料膜层可以提高增益;信噪比方面,采用光栅窗可提高阴极灵敏度,从而提高信噪比;分辨力方面,在微通道板输出端制作半导体膜层、采用高清荧光屏均可提高分辨力。阴极灵敏度是光电阴极的指标,不是像增强器的整体性能指标。阴极灵敏度对像增强器整体性能的影响体现在增益、信噪比以及等效背景照度指标中。无论是超二代还是三代像增强器,都区分不同的型号。不同型号的超二代或三代像增强器性能均不相同。超二代和三代像增强器的性能指标是在A光源条件下测量的,而A光源光谱分布与实际应用环境中的光谱分布并不等同,同时NaKSb和GaAs光电阴极的光谱分布不相同,所以超二代和三代像增强器的信噪比、分辨力等性能指标不具备可比性。 展开更多
关键词 微光夜视技术 像增强器 光电阴极 微通道板 分辨力 信噪比
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自动门控电源对像增强器性能的影响
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作者 李亚情 杨壮 +11 位作者 高天礼 周盛涛 李晓露 宝元喜 杜培德 戴靖昊 何俊 张立昀 宋奇庚 王光凡 许灵吉 张旭 《红外技术》 北大核心 2025年第4期421-428,共8页
为探索自动门控电源阴极脉冲、MCP电压、阳极屏板电压分别对像增强器信噪比、成像清晰度、亮度稳定性的影响及自动门控电源对像增强器动态范围的扩展情况,基于两款自动门控电源的差异,开展配管实验研究。结果表明,低照下阴极门宽全开能... 为探索自动门控电源阴极脉冲、MCP电压、阳极屏板电压分别对像增强器信噪比、成像清晰度、亮度稳定性的影响及自动门控电源对像增强器动态范围的扩展情况,基于两款自动门控电源的差异,开展配管实验研究。结果表明,低照下阴极门宽全开能够有效提升像增强器的信噪比;降低MCP电压中间值,能够一定程度提高像增强器极限分辨力和调制传递函数;阳极悬浮技术能够有效提高像增强器亮度稳定性,其中不同照度下的亮度最大随机起伏、稳态漂移量和饱和照度下的最大稳态值偏差均有不同程度的减小;传统门控电源和新型门控电源配像增强器后最高工作照度均超过1×10^(4)lx,且新型自动门控电源还能够进一步拓展像增强器工作的动态范围。 展开更多
关键词 像增强器 自动门控电源 信噪比 传递函数 极限分辨力 亮度稳定性
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多碱光电阴极的Cs-O激活技术研究 被引量:6
10
作者 赵恒 常乐 +3 位作者 李廷涛 吴永祥 赵学峰 李晓峰 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第7期695-700,共6页
采用蒸镀法,分别通过单次蒸Na和多次蒸Na两种工艺制备了一系列未经激活的Na_2KSb基底层,并通过3种不同的Cs-O激活方式对其进行表面激活,然后分别与未激活、仅Cs激活以及传统Cs-Sb激活的样品进行对比。积分灵敏度和光谱响应曲线测试结果... 采用蒸镀法,分别通过单次蒸Na和多次蒸Na两种工艺制备了一系列未经激活的Na_2KSb基底层,并通过3种不同的Cs-O激活方式对其进行表面激活,然后分别与未激活、仅Cs激活以及传统Cs-Sb激活的样品进行对比。积分灵敏度和光谱响应曲线测试结果表明,与未激活的Na_2KSb光电阴极相比,所有经过Cs-O激活的光电阴极的灵敏度和长波阈值都得到了一定程度的提高和拓展,而且采用单次蒸Na工艺制作样品的积分灵敏度明显高于多次蒸Na工艺。对于单次蒸Na工艺制备的光电阴极,采用Cs-O+Cs-Sb激活能够获得较高的灵敏度和较宽的光谱响应范围。在该条件下,Cs-O激活次数存在一个最佳值,当单次蒸O量为50%时,Cs-O激活最佳次数为2次,此时样品的积分灵敏度与未激活的Na_2KSb光电阴极相比提高了45.9倍,长波阈值向长波方向拓展了231 nm,逸出功降低了0.46 e V,而且工作寿命和EBI(Equivalent background illumination)测试结果表明该样品具有比传统Cs-Sb更好的稳定性和更低的背景噪声。逸出功计算结果表明,表面激活以后样品长波阈值的拓展可以归因于阴极材料逸出功的降低。 展开更多
关键词 多碱光电阴极 Cs-O激活 逸出功 光谱响应
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两种玻璃微通道阵列的制作技术及比较 被引量:2
11
作者 王亚丽 崔开源 +3 位作者 刘术林 张骞 栗重浩 李晓峰 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期796-801,共6页
微孔玻璃阵列是采用原子层沉积技术制作微通道板的基底板,其微孔阵列的分布均匀性以及每个通道内壁的光滑程度,对其后续制作合格微通道板至关重要。分别采用空芯工艺和实芯腐蚀工艺来制作上述基底板,分析了两种技术的优缺点,阐述了两种... 微孔玻璃阵列是采用原子层沉积技术制作微通道板的基底板,其微孔阵列的分布均匀性以及每个通道内壁的光滑程度,对其后续制作合格微通道板至关重要。分别采用空芯工艺和实芯腐蚀工艺来制作上述基底板,分析了两种技术的优缺点,阐述了两种方法中的关键技术,并对原子沉积技术制作的微通道板与常规工艺制作的微通道板进行了性能比较,前者的信噪比优于后者。 展开更多
关键词 微孔玻璃阵列 微通道板 原子层沉积技术 空芯法 实芯法 均匀性 内壁粗糙度 信噪比
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InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术 被引量:1
12
作者 龚燕妮 杨文运 +2 位作者 杨绍培 范明国 褚祝军 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第6期511-514,共4页
采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响。初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺。利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10mV的暗电... 采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响。初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺。利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10^-8A。 展开更多
关键词 InP/InGaAs探测器 ICPCVD 氮化硅
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自动门控像增强器温度补偿技术研究 被引量:1
13
作者 李亚情 左加宁 +4 位作者 李晓露 周盛涛 褚祝军 杜培德 王光凡 《红外技术》 CSCD 北大核心 2023年第10期1126-1131,共6页
针对匹配自动门控电源的超二代像增强器高低温条件下亮度增益和最大输出亮度产生漂移的问题,分析了温度补偿原理,设计了温度补偿方案,通过实验确定了温度补偿系数,验证了该温度补偿方案的合理性。实验结果表明,低照条件(输入照度低于5&#... 针对匹配自动门控电源的超二代像增强器高低温条件下亮度增益和最大输出亮度产生漂移的问题,分析了温度补偿原理,设计了温度补偿方案,通过实验确定了温度补偿系数,验证了该温度补偿方案的合理性。实验结果表明,低照条件(输入照度低于5×10^(-4)lx),通过将MCP电压降低14.7 V能够将低温(-45℃)亮度增益从121%降低到105%以内,通过将MCP电压增加16.5 V能够将高温(55℃)亮度增益从77%提高到99%以上;高照条件(输入照度高于5×10^(-4)lx),通过将阳极电流设定值降低14%能够将低温最大输出亮度从114%降低到104%以内,通过将阳极电流设定值增加12.6%能够将高温最大输出亮度从87%提高到91%以上。因此,采用本文所述温度补偿技术能够有效提高自动门控像增强器高低温条件下亮度增益和最大输出亮度的一致性。 展开更多
关键词 像增强器 亮度增益 最大输出亮度 温度补偿 通道板电压 阳极电流
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EBAPS闪烁噪声测试系统 被引量:1
14
作者 罗振华 成帅 +1 位作者 钱芸生 张益军 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第10期1130-1137,共8页
电子轰击有源像素传感器(electron bombarded active pixel sensor,EBAPS)是新型的真空-固体混合型数字微光夜视器件。闪烁噪声是影响EBAPS分辨力和成像质量的关键因素,然而,目前EBAPS闪烁噪声的测试研究不足。为此,本文首先开展EBAPS... 电子轰击有源像素传感器(electron bombarded active pixel sensor,EBAPS)是新型的真空-固体混合型数字微光夜视器件。闪烁噪声是影响EBAPS分辨力和成像质量的关键因素,然而,目前EBAPS闪烁噪声的测试研究不足。为此,本文首先开展EBAPS闪烁噪声测试方法研究,使用连通域检测算法筛选高亮噪点区域,提出异常像素点自适应中值替代的离散系数测试方法,在此基础上研制了EBAPS闪烁噪声测试系统,采用离散系数和高亮噪点数量作为闪烁噪声的表征参数,驱动EBAPS将不同测试条件下采集到的图像数据传输至上位机进行噪声处理与分析,测试结果表明:合适的测试照度为1.27×10^(-3) lx,高亮噪点数量在-1000~-1300 V范围内数量较少,-1300~-1500 V时高亮噪点数量则明显提升。离散系数和连通域数量重复度均在3%以内,验证了测试系统的稳定性,为国产EBAPS闪烁噪声测试提供有效手段。 展开更多
关键词 EBAPS 闪烁噪声 电子倍增 测试系统 连通域检测算法
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基于离散系数与Harris角点的微光像增强器闪烁噪声测试方法
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作者 刘峰阁 苏天宁 +7 位作者 刘倍宏 成帅 朱荣胜 姬明 肖杰 赵航 张理淞 常乐 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第10期1154-1161,共8页
为了弥补信噪比无法在二维空间上准确定位分析像增强器闪烁噪声特性的不足,本文针对像增强器闪烁噪声特性设计了一种基于离散系数与Harris角点检测的微光像增强器闪烁噪声测试方法。本方法采用基于Gsense400BSI CMOS图像传感器的高帧频... 为了弥补信噪比无法在二维空间上准确定位分析像增强器闪烁噪声特性的不足,本文针对像增强器闪烁噪声特性设计了一种基于离散系数与Harris角点检测的微光像增强器闪烁噪声测试方法。本方法采用基于Gsense400BSI CMOS图像传感器的高帧频图像采集系统实现与像增强器荧光屏余晖时间相匹配的闪烁噪声图像采集。通过对连续多帧采集到的图像进行像素级离散系数计算,热点图实现可视化,与Harris角点检测算法能够准确分析像增强器荧光屏各区域内的闪烁噪声情况并准确标记荧光屏上的高亮噪点。实验结果表明,该方法能够实现像增强器闪烁噪声的二维分析与定位,从而为像增强器性能优化以及噪声特性测试提供技术支持。 展开更多
关键词 像增强器 闪烁噪声 离散系数 角点检测 噪声标记
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高空间分辨微通道板现状及发展
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作者 邱祥彪 杨晓明 +7 位作者 孙建宁 王健 丛晓庆 金戈 曾进能 张正君 潘凯 陈晓倩 《红外技术》 CSCD 北大核心 2024年第4期460-466,共7页
微通道板(MCP)是超二代、三代微光像增强器中的核心元件之一,其空间分辨能力对于微光像增强器分辨力、传函、光晕(Halo)等性能有重要的影响。基于最先进的超二代和三代像增强器所采用MCP的新技术发展,整理国内外已经开展的研究成果报道... 微通道板(MCP)是超二代、三代微光像增强器中的核心元件之一,其空间分辨能力对于微光像增强器分辨力、传函、光晕(Halo)等性能有重要的影响。基于最先进的超二代和三代像增强器所采用MCP的新技术发展,整理国内外已经开展的研究成果报道,从像增强器成像过程中与MCP直接相关的光电子入射至MCP输入面、MCP电子倍增、倍增电子图像输出3个阶段进行系统梳理分析,明确先进像增强器对于微通道板高空间分辨的具体性能需求。提出国产MCP的发展方向展望:未来几年研制孔径5μm、开口面积比70%左右、输出电极优化的MCP并批量应用;应用于超二代像增强器的MCP需要开展小孔径扩口以及电子减速膜等新技术研究,使MCP开口面积比达到90%以上、像增强器传函与对比度性能显著提升;应用于三代像增强器的MCP需要开展低放气、低离子反馈MCP研究以支撑无膜三代像增强器的研发,抑制Halo、提高信噪比,在实现无膜MCP的基础上,扩口技术、输入增强膜层技术、电子减速膜等MCP技术均有应用于三代像增强器中的潜力。 展开更多
关键词 微通道板 分辨力 小孔径 扩口微通道板 输出电极 电子减速膜
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低噪声、高增益微通道板的研制 被引量:16
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作者 刘术林 李翔 +4 位作者 邓广绪 潘京生 苏德坦 严诚 李军国 《应用光学》 CAS CSCD 2006年第6期552-557,共6页
降低微通道板噪声和增加其电子增益是改善微光像增强器信噪比、视场清晰度和亮度增益最好的技术途经之一。采用具有高而且稳定的二次电子发射系数的皮料玻璃和与皮料玻璃的热物理性能相匹配且化学腐蚀速率比皮料大4个数量级的芯料玻璃... 降低微通道板噪声和增加其电子增益是改善微光像增强器信噪比、视场清晰度和亮度增益最好的技术途经之一。采用具有高而且稳定的二次电子发射系数的皮料玻璃和与皮料玻璃的热物理性能相匹配且化学腐蚀速率比皮料大4个数量级的芯料玻璃以及与两者在一切工艺过程相匹配的实体边玻璃,通过优化实体边实芯工艺制作出的高性能微通道板,其暗电流密度小于5×1-0 13A/cm2,固定图案噪声和闪烁噪声明显降低;在真空系统中,经40μA h电子清刷后,电子增益(800 V)大于500。制管实验表明:这种微通道板达到了预期效果。 展开更多
关键词 微通道板 噪声 暗电流密度 电子增益 视场清晰度
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微通道板输入信号利用率提高研究 被引量:15
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作者 李晓峰 李廷涛 +2 位作者 曾进能 常乐 陈超 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期176-180,共5页
分析了微通道板输入信号损失的原因,提出了在微通道板输入端镀制绝缘层,从而提高微通道板输入信号利用率的方法,并进行了试验.试验结果表明:在微通道板输入端镀制一层15nm的绝缘层,可以提高微通道板输入信号的利用率,从而提高微通道板... 分析了微通道板输入信号损失的原因,提出了在微通道板输入端镀制绝缘层,从而提高微通道板输入信号利用率的方法,并进行了试验.试验结果表明:在微通道板输入端镀制一层15nm的绝缘层,可以提高微通道板输入信号的利用率,从而提高微通道板的增益.绝缘层的二次电子发射系数越高,微通道板输入信号的利用率越高,增益提高的比例越大.对SiO2膜层而言,可以提高12%左右;对Al2O3膜层而言,可以提高35%左右.在微通道板增益提高的同时,像增强器的分辨力和调制传递函数会降低,并且绝缘层的二次电子发射系数越高,分辨力和调制传递函数降低的比例越大.但微通道板分辨力和调制传递函数降低的比例远低于增益提高的比例.本文提出的提高微通道板输入信号利用率的方法具有一定的实用性,可以推广使用. 展开更多
关键词 微通道板 像增强器 二次电子发射 分辨力 调制传递函数
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超二代与三代像增强器低照度分辨力的比较 被引量:8
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作者 李晓峰 常乐 +3 位作者 赵恒 邱永生 陈俊宇 张彦云 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期260-267,共8页
比较了超二代像增强器和三代像增强器在不同照度下的分辨力。结果表明,增益、极限分辨力、信噪比以及调制传递函数相同的超二代像增强器和三代像增强器,当照度大于4.3×10^(-3) lx时,分辨力均为常数,均不随照度的变化而变化;当照度... 比较了超二代像增强器和三代像增强器在不同照度下的分辨力。结果表明,增益、极限分辨力、信噪比以及调制传递函数相同的超二代像增强器和三代像增强器,当照度大于4.3×10^(-3) lx时,分辨力均为常数,均不随照度的变化而变化;当照度小于4.3×10^(-3) lx时,分辨力均不为常数,均随照度的降低而降低,并且超二代像增强器的分辨力均低于三代像增强器的分辨力,照度越低,差别越大。此外,当采用品质因子来比较像增强器的综合性能时,只能在相同光电阴极的像增强器之间进行比较,而不能在不同光电阴极的像增强器之间进行比较,即品质因子不能用来比较超二代像增强器和三代像增强器的性能。 展开更多
关键词 像增强器 微通道板 灵敏度 分辨力 增益 品质因子 信噪比 调制传递函数
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原子层沉积法制备微通道板发射层的性能 被引量:13
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作者 丛晓庆 邱祥彪 +3 位作者 孙建宁 李婧雯 张智勇 王健 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第9期217-222,共6页
随着微通道板的不断发展与完善,通过改善传统工艺提升其性能越来越困难,开发提升微通道板性能的新技术迫在眉睫。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板的发展提供了契机,利用原子层沉积技术在通道内壁沉积一层氧化铝纳米薄膜... 随着微通道板的不断发展与完善,通过改善传统工艺提升其性能越来越困难,开发提升微通道板性能的新技术迫在眉睫。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板的发展提供了契机,利用原子层沉积技术在通道内壁沉积一层氧化铝纳米薄膜,作为二次电子发射功能层,可以增强通道内壁的二次电子发射能力,从而提升微通道板的增益性能。通过优化原子层沉积工艺参数可以在微通道板的通道内壁沉积厚度均匀的氧化铝薄膜。研究结果表明,微通道板增益随沉积氧化铝厚度的变化而变化,在氧化铝厚度为60 cycles时,施加偏压800 V时增益可达56 000,约为正常微通道板增益的12倍。 展开更多
关键词 微通道板 原子层沉积 氧化铝纳米薄膜 二次电子发射层
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