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题名高峰值电压长寿命超宽带时域信号源
被引量：1
- 1
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作者
王文军
吴建发
石学文
廖茂杰
张雅茹
杨宏春
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
北京麦特达电子技术开发有限公司
中国石油西南油气田分公司页岩气研究院
电子科技大学物理学院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期117-122,131,共7页
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文摘
设计了一款基于雪崩晶体管和Marx电路的超宽带(UWB)时域信号源,其具有较高的峰值电压、较快的上升沿、较窄的半脉宽、较高的重频、较长的寿命等特点。通过8路功率合成的方法,在电路成本较低的前提下,改善了输出电压饱和的问题,提高了信号源的输出电压。通过晶体管并联技术,在高峰值电压输出的情况下,提高了信号源的寿命。最终信号源实现了峰值电压10 kV,上升沿183 ps,半脉宽750 ps。在重频为20 kHz下,可以连续工作超过45 min。该信号源可用于对目标的探测、干扰、攻击和物质处理等领域。
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关键词
超宽带(UWB)时域信号源
高峰值
MARX电路
功率合成
并联技术
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Keywords
ultra wide band(UWB)time domain signal source
high peak value
Marx circuit
power combining
parallel technology
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分类号
TN782
[电子电信—电路与系统]
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题名6英寸硅基GaN HEMT外延材料的制备
被引量：1
- 2
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作者
白欣娇
袁凤坡
王文军
房玉龙
李晓波
李浩
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机构
北京麦特达电子技术开发有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期359-363,368,共6页
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基金
北京市科技重大专项资助项目(Z171100002017012)
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文摘
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在6英寸（1英寸=2.54 cm）Si（111）衬底上,使用多层不同Al摩尔组分的AlGaN插入层技术,成功生长出厚度为2.9μm无裂纹（扣除边缘2 mm）的GaN外延层,解决了大尺寸外延片的翘曲度问题,并在此基础上生长了全结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）外延片。采用X射线双晶衍射对外延材料结构进行了表征。Hall测试结果表明,HEMT外延材料的迁移率为2 080 cm^2/（V·s）,方块电阻为279.8Ω/,电荷面密度为1.07×10^（13）cm^（-2）。采用喇曼光谱仪对GaN的应力进行了表征,GaN的喇曼E2（h）峰位于567.02 cm^（-1）,表面受到的张应力为0.170 6 GPa,由于GaN外延层受到的张应力很小,说明插入多层AlGaN后应力已经释放。汞探针C-V测试二维电子气浓度较Hall测试结果偏低,可能是在C-V测试时肖特基势垒接触会降低载流子浓度。
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关键词
Si
GAN
高电子迁移率晶体管(HEMT)
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)
AlGaN插入层
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Keywords
Si
GaN
high electron mobility transistor （HEMT）
metal organic chemical vapordeposition （MOCVD）
A1GaN insert layer
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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