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IGBT栅极驱动器FAN8800及其应用
被引量：
1
1
作者
王冬梅
许海东
《国外电子元器件》
2001年第11期20-22,共3页
FAN8800是Fairchild公司生产的IGBT驱动器单片IC ,可用于驱动分立和模块式IGBTs ,也可用来驱动功率MOSFET。文中介绍了FAN8800的特点、功能以及应用电路。
关键词
IGBT栅极驱动器
FAN8800
应用
OCP
SCP保护
CMOS兼容
在线阅读
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职称材料
IGBT在开关应用领域全面挺进
被引量：
1
2
作者
许海东
方汉军
毛兴武
《世界电子元器件》
2000年第10期28-32,共5页
绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入...
绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入阻抗、微功率驱动、开关速度快、安全工作区(SOA)大等特点,同时还具有双极晶体管(BJT)电流密度大、热阻小、饱和压降低诸优点,故在功率开关器件领域的竞争中,占有比较明显的优势。
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关键词
IGBT
有源功率因数
变换器
开关
感应加热系统
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职称材料
Fairchild Power Switch在锂离子电池充电器中的应用
3
作者
毛兴武
许海东
《通信电源技术》
2001年第3期25-27,共3页
Fairchild Power Switch将PWM IC与Sense FET组合在同一封装内,是一种新型功率开关调节器。文章介绍了FPS的特点,及其在锂离子充电器中的应用。
关键词
电源开关
锂离子电池
电器
SPMS
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职称材料
利用新型场效应管(QFET)的正向变换器
4
作者
毛兴武
许海东
《通信电源技术》
2002年第1期16-18,22,共4页
介绍单端正向变换器基本电路,重点叙述带三路调节DC电压的100kHz 180W离线电源。它采用具有低导通电阻R_(DS)和低栅极电荷Qg的新型场效应管(QFET)作为变换电路的主开关器件,降低了电源开关损耗并提高了效率3％～5％。
关键词
正向变换器
MOSFET
场效应管
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职称材料
题名
IGBT栅极驱动器FAN8800及其应用
被引量：
1
1
作者
王冬梅
许海东
机构
山东省临沂市环境监测站
北京韶光科技有限公司
出处
《国外电子元器件》
2001年第11期20-22,共3页
文摘
FAN8800是Fairchild公司生产的IGBT驱动器单片IC ,可用于驱动分立和模块式IGBTs ,也可用来驱动功率MOSFET。文中介绍了FAN8800的特点、功能以及应用电路。
关键词
IGBT栅极驱动器
FAN8800
应用
OCP
SCP保护
CMOS兼容
分类号
TM573 [电气工程—电器]
在线阅读
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职称材料
题名
IGBT在开关应用领域全面挺进
被引量：
1
2
作者
许海东
方汉军
毛兴武
机构
北京韶光科技有限公司
深圳亚科希资讯
有限公司
山东省临沂市电子工业局
出处
《世界电子元器件》
2000年第10期28-32,共5页
文摘
绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入阻抗、微功率驱动、开关速度快、安全工作区(SOA)大等特点,同时还具有双极晶体管(BJT)电流密度大、热阻小、饱和压降低诸优点,故在功率开关器件领域的竞争中,占有比较明显的优势。
关键词
IGBT
有源功率因数
变换器
开关
感应加热系统
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TM564 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
Fairchild Power Switch在锂离子电池充电器中的应用
3
作者
毛兴武
许海东
机构
山东省临沂市电子工业
公司
北京韶光科技有限公司
出处
《通信电源技术》
2001年第3期25-27,共3页
文摘
Fairchild Power Switch将PWM IC与Sense FET组合在同一封装内,是一种新型功率开关调节器。文章介绍了FPS的特点,及其在锂离子充电器中的应用。
关键词
电源开关
锂离子电池
电器
SPMS
Keywords
power switch , lithium-ion battery charger, application
分类号
TM910.6 [电气工程—电力电子与电力传动]
在线阅读
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职称材料
题名
利用新型场效应管(QFET)的正向变换器
4
作者
毛兴武
许海东
机构
山东省临沂市电子工业
公司
北京韶光科技有限公司
出处
《通信电源技术》
2002年第1期16-18,22,共4页
文摘
介绍单端正向变换器基本电路,重点叙述带三路调节DC电压的100kHz 180W离线电源。它采用具有低导通电阻R_(DS)和低栅极电荷Qg的新型场效应管(QFET)作为变换电路的主开关器件,降低了电源开关损耗并提高了效率3％～5％。
关键词
正向变换器
MOSFET
场效应管
Keywords
forward conversion,new type switch MOSFET,FQPTN80 (QFET)
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IGBT栅极驱动器FAN8800及其应用
王冬梅
许海东
《国外电子元器件》
2001
1
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职称材料
2
IGBT在开关应用领域全面挺进
许海东
方汉军
毛兴武
《世界电子元器件》
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Fairchild Power Switch在锂离子电池充电器中的应用
毛兴武
许海东
《通信电源技术》
2001
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
利用新型场效应管(QFET)的正向变换器
毛兴武
许海东
《通信电源技术》
2002
0
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职称材料
已选择
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