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退火参数对磁控溅射Al_(2)O_(3)介质电学性能的影响
被引量：
1
1
作者
苏佳乐
李冲
+1 位作者
秦世宏
何晓颖
《热加工工艺》
北大核心
2023年第4期125-128,138,共5页
氧化铝作为一种可以应用于高密度MIM电容器的高k材料,具有很大的禁带宽度和良好的热稳定性,可以有效减小漏电流。采用磁控溅射法制备了氧化铝薄膜,并对不同气氛和温度下退火的氧化铝薄膜进行了漏电和电容测试,分析和研究了影响磁控溅射...
氧化铝作为一种可以应用于高密度MIM电容器的高k材料,具有很大的禁带宽度和良好的热稳定性,可以有效减小漏电流。采用磁控溅射法制备了氧化铝薄膜,并对不同气氛和温度下退火的氧化铝薄膜进行了漏电和电容测试,分析和研究了影响磁控溅射氧化铝薄膜质量的因素。结果表明,退火后氧化铝薄膜的漏电减小,而且试样在氧气条件下退火的电学性能优于氮气条件。经过250℃氮气退火的试样漏电减小,5 V下漏电为9 nA左右,电容波动在10^(-1) pF量级。而经过250℃氧气退火后的试样,5 V下漏电仅为0.3 nA,且电容波动较小(~0.03 pF)。
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关键词
退火
磁控溅射
氧化铝
高K材料
电学性能
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职称材料
题名
退火参数对磁控溅射Al_(2)O_(3)介质电学性能的影响
被引量：
1
1
作者
苏佳乐
李冲
秦世宏
何晓颖
机构
北京
工业
大学
信息
学
部
北京邮电大学、电子工程学院、信息光子学与光通信国家重点实验室
北京邮电大学
、安全生产智能监控
北京
市
重点
实验室
出处
《热加工工艺》
北大核心
2023年第4期125-128,138,共5页
基金
国家自然科学基金项目(61675046)
中央高校基本科研专项资金项目(2019PTB-006)
信息光子学与光通信国家重点实验室项目(IPOC2017B011)。
文摘
氧化铝作为一种可以应用于高密度MIM电容器的高k材料,具有很大的禁带宽度和良好的热稳定性,可以有效减小漏电流。采用磁控溅射法制备了氧化铝薄膜,并对不同气氛和温度下退火的氧化铝薄膜进行了漏电和电容测试,分析和研究了影响磁控溅射氧化铝薄膜质量的因素。结果表明,退火后氧化铝薄膜的漏电减小,而且试样在氧气条件下退火的电学性能优于氮气条件。经过250℃氮气退火的试样漏电减小,5 V下漏电为9 nA左右,电容波动在10^(-1) pF量级。而经过250℃氧气退火后的试样,5 V下漏电仅为0.3 nA,且电容波动较小(~0.03 pF)。
关键词
退火
磁控溅射
氧化铝
高K材料
电学性能
Keywords
annealing
magnetron sputtering
Al2O3
high k material
electrical properties
分类号
TG156.2 [金属学及工艺—热处理]
TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火参数对磁控溅射Al_(2)O_(3)介质电学性能的影响
苏佳乐
李冲
秦世宏
何晓颖
《热加工工艺》
北大核心
2023
1
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职称材料
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