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8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征
被引量：
1
1
作者
任殿胜
王志珍
+1 位作者
张舒惠
王元立
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第3期487-496,共10页
本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻...
本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻率测试、光致发光测试和晶圆表面缺陷检测等对8英寸GaAs衬底的晶体质量、位错、电学性能和表面质量等特性进行了测试分析。结果表明:衬底(400)衍射峰半峰全宽低于0.009°;平均位错密度低于30 cm^(-2),其中,晶体头部平均位错密度为1.7 cm^(-2),且有98.87%的面积位错密度为0;衬底面内电阻率标准差小于6%,面内光致发光强度标准差小于4%,≥0.2μm的表面光点缺陷(LPD)个数小于10。上述结果表明,所制备的8英寸GaAs衬底质量优异,满足外延器件对高质量衬底的要求。
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关键词
GAAS
垂直梯度凝固
8英寸
单晶衬底
位错密度
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职称材料
题名
8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征
被引量：
1
1
作者
任殿胜
王志珍
张舒惠
王元立
机构
北京通美晶体技术股份有限公司
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第3期487-496,共10页
文摘
本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻率测试、光致发光测试和晶圆表面缺陷检测等对8英寸GaAs衬底的晶体质量、位错、电学性能和表面质量等特性进行了测试分析。结果表明:衬底(400)衍射峰半峰全宽低于0.009°;平均位错密度低于30 cm^(-2),其中,晶体头部平均位错密度为1.7 cm^(-2),且有98.87%的面积位错密度为0;衬底面内电阻率标准差小于6%,面内光致发光强度标准差小于4%,≥0.2μm的表面光点缺陷(LPD)个数小于10。上述结果表明,所制备的8英寸GaAs衬底质量优异,满足外延器件对高质量衬底的要求。
关键词
GAAS
垂直梯度凝固
8英寸
单晶衬底
位错密度
Keywords
GaAs
vertical gradient freeze
8 inch
single crystal substrate
dislocation density
分类号
O785 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征
任殿胜
王志珍
张舒惠
王元立
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024
1
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职称材料
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