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面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究
1
作者
刘阳
李俊杰
+13 位作者
吴次南
张青竹
王桂磊
周娜
高建峰
孔真真
韩江浩
罗彦娜
刘恩序
杨涛
李俊峰
殷华湘
罗军
王文武
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期396-402,共7页
针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_...
针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_(0.3)干法各向同性选择性刻蚀实验,探究了包括激励射频源(source radio frequency,SRF)功率、气压、刻蚀前侧壁清洗工艺等因素对刻蚀结果的影响与机制。研究结果表明,SRF对刻蚀深度的影响是存在线性区与准饱和区的,气压与刻蚀深度在实验区间内呈二次函数关系,稀释的氢氟酸(Diluted HF,DHF)与O_(3)交替清洗相对单一的DHF清洗方案在界面钝化层的去除与刻蚀形貌的控制上有更优的表现。经工艺方案优化,最终获得良好的工艺结果:刻蚀精度达到了0.61 nm/s,最优粗糙度Rq为0.101 nm,刻蚀轮廓矩形度高(d/t~83.3%)。本研究为内侧墙空腔刻蚀提供了一种解决方案。
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关键词
Si_(0.7)Ge_(0.3)
空腔刻蚀
刻蚀精度
粗糙度
刻蚀形貌
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职称材料
题名
面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究
1
作者
刘阳
李俊杰
吴次南
张青竹
王桂磊
周娜
高建峰
孔真真
韩江浩
罗彦娜
刘恩序
杨涛
李俊峰
殷华湘
罗军
王文武
机构
贵州大学大数据与信息工程学院
中国科学院微电子
研究
所
中国科学院大学集成电路学院
北京超弦存储器研究院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第5期396-402,共7页
基金
中科院先导A项目(XDA0330300)
中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001)
环栅(GAA)纳米片器件干法释放功能开发(E2SH01X)。
文摘
针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_(0.3)干法各向同性选择性刻蚀实验,探究了包括激励射频源(source radio frequency,SRF)功率、气压、刻蚀前侧壁清洗工艺等因素对刻蚀结果的影响与机制。研究结果表明,SRF对刻蚀深度的影响是存在线性区与准饱和区的,气压与刻蚀深度在实验区间内呈二次函数关系,稀释的氢氟酸(Diluted HF,DHF)与O_(3)交替清洗相对单一的DHF清洗方案在界面钝化层的去除与刻蚀形貌的控制上有更优的表现。经工艺方案优化,最终获得良好的工艺结果:刻蚀精度达到了0.61 nm/s,最优粗糙度Rq为0.101 nm,刻蚀轮廓矩形度高(d/t~83.3%)。本研究为内侧墙空腔刻蚀提供了一种解决方案。
关键词
Si_(0.7)Ge_(0.3)
空腔刻蚀
刻蚀精度
粗糙度
刻蚀形貌
Keywords
Si_(0.7)Ge_(0.3)
Cavity etching
Etching accuracy
Roughness
Cavity profile
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究
刘阳
李俊杰
吴次南
张青竹
王桂磊
周娜
高建峰
孔真真
韩江浩
罗彦娜
刘恩序
杨涛
李俊峰
殷华湘
罗军
王文武
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
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