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0．50微米LDD PMOS工艺研究
1
作者
余山
章定康
黄敞
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期96-99,共4页
为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，...
为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。
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关键词
热载流子效应
MOS工艺
集成电路
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职称材料
题名
0．50微米LDD PMOS工艺研究
1
作者
余山
章定康
黄敞
机构
北京航空航天部二院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期96-99,共4页
文摘
为了保证高可靠亚微米ＶＬＳＩ的实现，必须有效地抑制ＰＭＯＳ严重的热载流子效应。本文对０．５０μｍＬＤＤＰＭＯＳ工艺进行了研究，表明，ＬＤＤ可有效地克服ＰＭＯＳ的热载流子效应和短沟道效应，并对ＬＤＤ结构进行了老化分析，得到了ＬＤＤＰＭＯＳ的优化工艺条件，并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。
关键词
热载流子效应
MOS工艺
集成电路
Keywords
Hot carriers effect.Device technology
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0．50微米LDD PMOS工艺研究
余山
章定康
黄敞
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
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