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纳米硅二极管的电输运特性被引量：4: 1; 作者刘明余明斌 +1 位作者何宇亮江兴流《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期72-74,共3页; 用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定... 展开更多; 关键词量子点共振隧穿量子台阶纳米硅二极管硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

PECVD生长nc-Si∶H膜的沉积机理分析被引量：16: 2; 作者彭英才何宇亮刘明《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第4期283-288,共6页; nc-Si∶H膜具有显著不同于α-Si∶H与μc-Si∶H膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发，定性地分析了本征nc-Si∶H与掺磷nc-Si(P)∶H膜的沉积机理。; 关键词 PEVCD nc-Si:H膜沉积机理退火处理自组织生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响被引量：2: 3; 作者彭英才刘明 +3 位作者何宇亮江兴流李国华韩和相《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期56-59,共4页; 利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在... 展开更多; 关键词光致发光带隙收缩单晶硅氢化薄膜测试温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

可擦写相变与4×只读双功能光存储: 4; 作者王睿《真空科学与技术》 CSCD 1996年第5期355-359,共5页; 对国际新推出的可擦写相变与4×只读双功能光存储系统PD进行了技术性论述分析，内容包括：直接重写相变光盘介质、PD的新型光学头技术以及双功能驱动的机理。; 关键词光存储系统光盘光学头可擦写; 在线阅读下载PDF 职称材料

全光信息存储的新进展: 5; 作者司徒活戎霭伦《真空科学与技术》 CSCD 1992年第4期279-298,共20页; 为适应信息社会的需求,大容量、高密度、高稳定性和可靠性的信息存储技术,正沿着磁存储→磁光存储→全光存储的方向迅猛发展;与之相应的存储器件——磁盘→磁光光盘→相变光盘亦应运而生。深入理解全光存储介质的物理机制。不仅对基础研... 展开更多; 关键词信息存储光存储全光存储; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米硅二极管的电输运特性被引量：4: 1; 作者刘明余明斌何宇亮江兴流; 机构北京航空航天大学非晶态物理研究室; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期72-74,共3页; 基金国家自然科学基金中科院半导体所超晶格实验室资助; 文摘用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理现象进行了定性解释．; 关键词量子点共振隧穿量子台阶纳米硅二极管硅; Keywords Quantum dots, Resonant tunneling, Quantum staircase; 分类号 TN315.2 [电子电信—物理电子学] TN304.12 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PECVD生长nc-Si∶H膜的沉积机理分析被引量：16: 2; 作者彭英才何宇亮刘明; 机构河北大学电子与信息工程系北京航空航天大学非晶态物理研究室; 出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第4期283-288,共6页; 基金河北省自然科学基金!595076; 文摘 nc-Si∶H膜具有显著不同于α-Si∶H与μc-Si∶H膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发，定性地分析了本征nc-Si∶H与掺磷nc-Si(P)∶H膜的沉积机理。; 关键词 PEVCD nc-Si:H膜沉积机理退火处理自组织生长; Keywords nc-Si: H film, Deposition mechanism, Annealing, Self-organizaion growth, Layer-by-laye deposition; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响被引量：2: 3; 作者彭英才刘明何宇亮江兴流李国华韩和相; 机构河北大学电子与信息工程系北京航空航天大学非晶态物理研究室中国科学院半导体研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期56-59,共4页; 基金河北省自然科学基金; 文摘利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．; 关键词光致发光带隙收缩单晶硅氢化薄膜测试温度; Keywords nc Si∶H films, shrinkage of band gap, non radiation combination, quan tum size effect; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名可擦写相变与4×只读双功能光存储: 4; 作者王睿; 机构北京航空航天大学非晶态物理研究室; 出处《真空科学与技术》 CSCD 1996年第5期355-359,共5页; 文摘对国际新推出的可擦写相变与4×只读双功能光存储系统PD进行了技术性论述分析，内容包括：直接重写相变光盘介质、PD的新型光学头技术以及双功能驱动的机理。; 关键词光存储系统光盘光学头可擦写; Keywords Optical storage system, Optical disk, Optical head; 分类号 TP333.4 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名全光信息存储的新进展: 5; 作者司徒活戎霭伦; 机构北京航空航天大学非晶态物理研究室; 出处《真空科学与技术》 CSCD 1992年第4期279-298,共20页; 文摘为适应信息社会的需求,大容量、高密度、高稳定性和可靠性的信息存储技术,正沿着磁存储→磁光存储→全光存储的方向迅猛发展;与之相应的存储器件——磁盘→磁光光盘→相变光盘亦应运而生。深入理解全光存储介质的物理机制。不仅对基础研究,而且对技术发展都有重大的意义。本文除对磁光存储和相变存储作原理性的评述外,着重论述全光存储过程中高功率密度激光和凝聚态薄膜相互作用的新概念和新机制。旨在引发读者的新思考,从而反过来促进全光存储领域研究和开发工作的新进展。; 关键词信息存储光存储全光存储; 分类号 TP333.4 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	纳米硅二极管的电输运特性	刘明余明斌何宇亮江兴流	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1997	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	PECVD生长nc-Si∶H膜的沉积机理分析	彭英才何宇亮刘明	《真空科学与技术》 CSCD 北大核心	1998	16	在线阅读下载PDF 职称材料
3	测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响	彭英才刘明何宇亮江兴流李国华韩和相	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1998	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	可擦写相变与4×只读双功能光存储	王睿	《真空科学与技术》 CSCD	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	全光信息存储的新进展	司徒活戎霭伦	《真空科学与技术》 CSCD	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料