“负热膨胀”氧化物材料ZrW_2O_8的研究现状 被引量：17

1

作者 沈容 王聪 王天民 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1089-1094,共6页

在0.5～1050K温度区间,ZrW2O8具有强烈的各向同性“负热膨胀”(NTE)效应,其负热膨胀可由骨架结构中存在低能刚性单元模型(RUMs)来解释.本文综述了近几年来对ZrW2O8负热膨胀特性及其负热膨胀机理的研究,并对其相变及相变机制做了综述.

关键词 氧化物材料 负热膨胀 ZRW2O8 骨架结构 锆钨复合氧化物 低能刚性单元模型 热性质 相变

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NiTi合金生物医用材料表面改性的研究进展 被引量：7

2

作者 郝维昌 董平 +1 位作者 苏向东 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期90-92,105,共4页

NiTi形状记忆合金作为重要的生物医用材料已经获得了广泛的应用,但Ni离子在人体环境中的释放引起了人们的忧虑。系统介绍了近年来表面改性提高NiTi合金生物相容性的主要方法、技术特点和优势。在众多的研究方法中,热氧化和自组装方法因... NiTi形状记忆合金作为重要的生物医用材料已经获得了广泛的应用,但Ni离子在人体环境中的释放引起了人们的忧虑。系统介绍了近年来表面改性提高NiTi合金生物相容性的主要方法、技术特点和优势。在众多的研究方法中,热氧化和自组装方法因具有工艺简单、成本低等优点而最具工业应用前景。有关NiTi合金表面涂层与细胞和血液的相互作用机理的研究亟待加强,微观方面应重视基因水平的评价,宏观方面应加强活体植入的研究。研究机构应与产业界密切配合,进一步推动相关涂层的产业化进程。 展开更多

关键词 NITI合金 表面改性 生物活性

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硅基纳米材料发光特性的研究进展 被引量：11

3

作者 彭英才 何宇亮 《量子电子学报》 CAS CSCD 1999年第1期1-8,共8页

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格，量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术... 近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格，量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。 展开更多

关键词 硅基纳米材料 光致发光 电致发光 发光机制

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硅基光电集成材料及器件的研究进展 被引量：1

4

作者 韦文生 张春熹 +1 位作者 周克足 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第5期31-35,共5页

以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基... 以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响。分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础。归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非共容,对实现OEIC行之有效。 展开更多

关键词 硅基光电集成材料 光电集成器件 硅基光波导材料 制备技术 硅基光波导 光传输损耗 锗硅光探测器 耦合方式

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不同晶型Bi_2O_3可见光光催化降解罗丹明B的研究 被引量：33

5

作者 邹文 郝维昌 +1 位作者 信心 王天民 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1971-1976,共6页

采用化学沉淀法制备了α、β、γ3种晶体结构的Bi2O3光催化剂。利用XRD、TEM、氮气吸附、TG-DSC、紫外-可见漫反射光谱对样品的晶体结构、微观形貌、光学吸收特性进行了表征,并以罗丹明B（RhB）作为模型污染物,研究了不同的粉体光催化... 采用化学沉淀法制备了α、β、γ3种晶体结构的Bi2O3光催化剂。利用XRD、TEM、氮气吸附、TG-DSC、紫外-可见漫反射光谱对样品的晶体结构、微观形貌、光学吸收特性进行了表征,并以罗丹明B（RhB）作为模型污染物,研究了不同的粉体光催化剂在可见光（λ〉420 nm）照射下的光催化能力。结果表明：制备的α-Bi2O3为长3μm、宽1μm的板条状颗粒,带隙为2.84 eV;β-Bi2O3为粒径约150 nm的不规则颗粒,带隙为2.75 eV;γ-Bi2O3为直径6 nm、长度150～200 nm的纳米管,带隙为2.68 eV。在可见光照射下Bi2O3光催化降解RhB的活性如下：γ-Bi2O3〉β-Bi2O3〉α-Bi2O3,其中γ-Bi2O3在辐照60 min后对罗丹明B的脱色率可达97%以上。 展开更多

关键词 BI2O3 可见光 光催化 纳米管

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射频磁控溅射制备TiO_(2-x)N_x薄膜及其光催化特性研究 被引量：15

6

作者 陈顺利 刁训刚 +2 位作者 杨盟 刘海鹰 王天民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期464-466,共3页

利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了透明TiO2 和 TiO2-x Nx 薄膜样品,通过 X 射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及 UV Vis分光光度计等测试手段表征了样品的结构、形貌和光催化性能。结果表明制备的薄膜为锐钛矿相结构。随着 N2/Ar气... 利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了透明TiO2 和 TiO2-x Nx 薄膜样品,通过 X 射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及 UV Vis分光光度计等测试手段表征了样品的结构、形貌和光催化性能。结果表明制备的薄膜为锐钛矿相结构。随着 N2/Ar气流比的增大薄膜样品出现新的物相,吸收光谱向可见光方向展宽,在N2/Ar流量比为 3∶100 时,制备的薄膜在可见光区具有很好的光催化性能。 展开更多

关键词 掺氮TiO2薄膜 光催化 磁控溅射

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超辐射激光二极管的研究与应用 被引量：7

7

作者 韦文生 张春熹 +3 位作者 马静 米剑 周克足 王天民 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期409-411,共3页

分析了超辐射激光二极管(Super-LuminescentDiode,SLD)SLD管芯的有源区、后端吸收区以及出光端面的增透膜对光谱的影响。介绍了SLD组件的封装(SLD的温度控制、SLD管芯与尾纤的耦合)。讨论了在干涉型光纤陀螺仪、光时域反射计、医学相干... 分析了超辐射激光二极管(Super-LuminescentDiode,SLD)SLD管芯的有源区、后端吸收区以及出光端面的增透膜对光谱的影响。介绍了SLD组件的封装(SLD的温度控制、SLD管芯与尾纤的耦合)。讨论了在干涉型光纤陀螺仪、光时域反射计、医学相干检测技术、波分复用技术中对SLD的要求。 展开更多

关键词 超辐射激光二极管 SLD 光纤陀螺仪 光时域反射计 光相干检测 波分复用

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新型“负热膨胀”氧化物材料 被引量：11

8

作者 沈容 王聪 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第8期35-38,共4页

综述了近年来新发现的新型负热膨胀氧化物材料 AM_2O_8,AM_2O_7,A_2(MO_4)_3及其负热膨胀机理,并对其潜在的应用作了简单评述。

关键词 负热膨胀 骨架结构 ZRW2O8 氧化物材料 热膨胀特性 AM2O8 AM2O7 A2(MO4)3

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分散聚合法制备聚苯乙烯微球及其机理研究 被引量：10

9

作者 张巍巍 张俊英 +3 位作者 平梁良 潘锋 王天民 陈子瑜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1402-1405,1409,共5页

采用苯乙烯(St)为反应单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)为分散荆,无水乙醇和去离子水为分散介质,通过改变反应物质的浓度,制备出平均粒径为1.17、1.66、2.04、2.26、2.90和3.04μm,单分散性好的聚苯乙烯微球。并... 采用苯乙烯(St)为反应单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)为分散荆,无水乙醇和去离子水为分散介质,通过改变反应物质的浓度,制备出平均粒径为1.17、1.66、2.04、2.26、2.90和3.04μm,单分散性好的聚苯乙烯微球。并对其生长机理进行了深入探索,建立了生长模型,考察了引发剂半衰期在微球生长过程的影响,并证明了分散剂在微球表面是一种物理吸附作用。 展开更多

关键词 聚苯乙烯徽球 分散聚合法 生长机理

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共沉淀法合成负热膨胀材料ZrW_2O_8 被引量：16

10

作者 沈容 王天民 +1 位作者 白海龙 熊常健 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期3-6,共4页

Zr W2 O8 是极具应用前景的各向同性负热膨胀材料。用共沉淀法合成了 Zr W2 O8,经 X射线衍射、红外 -拉曼光谱分析证明用共沉淀法合成的 Zr W2 O8纯度高。经高温 X射线衍射测定 ,Zr W2 O8在 2 98～ 973K温度区间线膨胀系数αl =- 7.0... Zr W2 O8 是极具应用前景的各向同性负热膨胀材料。用共沉淀法合成了 Zr W2 O8,经 X射线衍射、红外 -拉曼光谱分析证明用共沉淀法合成的 Zr W2 O8纯度高。经高温 X射线衍射测定 ,Zr W2 O8在 2 98～ 973K温度区间线膨胀系数αl =- 7.0× 10 - 6 K- 1 ,α- Zr W2 O8(空间群 P2 1 3)相到β- Zr W2 O8(空间群 Pa3)的转变温度在 4 4 3K与 4 4 6 K之间。对Zr W2 O8前驱体进行了热重 -差热分析 (TG- DTA) 展开更多

关键词 共沉淀 负热膨胀 ZRW2O8

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生态环境材料的哲学基础 被引量：10

11

作者 王天民 郝维昌 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第10期6-8,共3页

生态环境材料是近年来在先进材料研究中提出的一个新的研究领域,简要介绍了生态环境材料概念产生的背景、过程和在我国的发展情况。并以哲学的观点为基础,从人与自然关系的角度出发,讨论了生态环境材料概念产生的必然铖一和其重要性,以... 生态环境材料是近年来在先进材料研究中提出的一个新的研究领域,简要介绍了生态环境材料概念产生的背景、过程和在我国的发展情况。并以哲学的观点为基础,从人与自然关系的角度出发,讨论了生态环境材料概念产生的必然铖一和其重要性,以及生态环境材料研究开发过程中所要解决的基本问题。 展开更多

关键词 生态环境材料 生态环境材料学 可持续发展 环境协调性评价 哲学

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纳米硅薄膜的拉曼谱研究 被引量：5

12

作者 徐刚毅 王天民 王金良 《兰州大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期47-53,共7页

通过等离子增强化学汽相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si∶ H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜拉曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X-射线... 通过等离子增强化学汽相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si∶ H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜拉曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X-射线衍射和透射电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺雨减小或掺杂浓度增加 ,拉曼谱中 TA,LA振动模的相对散射强度增加 . 展开更多

关键词 纳米硅薄膜 拉曼谱 声子限制模型 半导体材料

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柠檬酸溶胶-凝胶法合成ZnGa_2O_4:Mn^(2+)纳米粉末的结构和发光性能研究 被引量：2

13

作者 史强 张俊英 +3 位作者 杨春 薛道齐 王锡铭 王天民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期492-494,498,共4页

采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4∶Mn2+粉末。利用XRD、SEM、IR、EPR和PL光谱手段,表征了样品的结构、形貌和发光性能。结果表明,柠檬酸溶胶-凝胶法制备的ZnGa2O4∶Mn2+颗粒均匀,在650℃热处理7h即可得到结晶性好、粒径约为50nm的粉... 采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4∶Mn2+粉末。利用XRD、SEM、IR、EPR和PL光谱手段,表征了样品的结构、形貌和发光性能。结果表明,柠檬酸溶胶-凝胶法制备的ZnGa2O4∶Mn2+颗粒均匀,在650℃热处理7h即可得到结晶性好、粒径约为50nm的粉末;掺杂的锰是+2价的,不仅存在于四面体间隙中,也存在于八面体间隙中;当Mn2+的掺杂浓度为0.3%(原子分数),退火温度为800℃时,样品的绿色发光强度最大。 展开更多

关键词 柠檬酸溶胶-凝胶法 ZnGa2O4∶Mn^2+ 发光性能

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高强度铝合金的研究现状及发展趋势 被引量：155

14

作者 宋仁国 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期20-21,34,共3页

对高强度铝合金的研究现状进行了全面的评述,分析了目前研究工作中存在的不足,并指出了今后高强度铝合金研究的方向。

关键词 铝合金 热处理 微观结构 性能

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高介电陶瓷材料在油品介电精制方法中的应用 被引量：1

15

作者 熊常健 赵得杰 +1 位作者 朱岳麟 鹿靖 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期673-676,共4页

目前对于介电材料的研究与应用一般集中于电子产品及其相关领域，高介电陶瓷材料应用于油品精制领域还是一个新的尝试。首先简要介绍了介电力学精制工艺装置，并重点讨论了介电陶瓷在其中的应用及基本原理，最后选用几种不同介电常数的... 目前对于介电材料的研究与应用一般集中于电子产品及其相关领域，高介电陶瓷材料应用于油品精制领域还是一个新的尝试。首先简要介绍了介电力学精制工艺装置，并重点讨论了介电陶瓷在其中的应用及基本原理，最后选用几种不同介电常数的介电陶瓷材料在装置中进行了实验，实验证明，高介电陶瓷材料对油品有较好的精制效果，并且对于所选用的几种介电材料而言随着介电常数的增加精制效果也提高。 展开更多

关键词 介电陶瓷 介电材料 介电精制 介电分离 介电常数

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资源、环境与材料的可持续发展 被引量：3

16

作者 郝维昌 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-3,共3页

材料产业是资源(能源)消耗和污染排放的主要责任者之一,并由此产生了深刻的生态环境问题。从我国资源状况以及材料产业的发展现状出发,深入分析了材料产业面临的资源(能源)和环境压力,在此基础上提出了解决这些问题的一些基本原则。

关键词 资源 环境 材料 生态环境材料 可持续发展

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Ge_(1-x)C_x薄膜的制备及红外特性的研究 被引量：1

17

作者 吴小文 张维佳 +1 位作者 钟立志 黄浩 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期53-57,共5页

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备出Ge1-xCx薄膜,并系统地研究了工艺参数对薄膜成分的影响,以及不同组分Ge1-xCx薄膜的红外光学特性.结果表明,薄膜中的C含量随着CH4/GeH4气体流量比的增大而增大;薄膜的红外折射率随组分的不同在2... 利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备出Ge1-xCx薄膜,并系统地研究了工艺参数对薄膜成分的影响,以及不同组分Ge1-xCx薄膜的红外光学特性.结果表明,薄膜中的C含量随着CH4/GeH4气体流量比的增大而增大;薄膜的红外折射率随组分的不同在2～4范围内变化;薄膜的沉积速率随射频功率增大而增大,但当功率达到60 W以后其变化不明显;沉积速率随温度的增加而减少;该薄膜具有透长波红外的性能. 展开更多

关键词 Ge1-xCx薄膜 PECVD 红外特性 沉积速率

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PECVD生长nc-Si:H膜的掺杂特性研究 被引量：1

18

作者 彭英才 刘明 何宇亮 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 1999年第3期233-237,共5页

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，以高Ｈ２ 稀释的ＳｉＨ４ 作为反应气体源，以ＰＨ３ 作为Ｐ原子的掺杂剂，在Ｐ型（１００） 单晶硅（ｃ－ Ｓｉ） 衬底上，成功地生长了掺Ｐ的纳米硅膜（ｎｃ－ Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ） 膜。通过对膜层结构的Ｒａｍ... 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，以高Ｈ２ 稀释的ＳｉＨ４ 作为反应气体源，以ＰＨ３ 作为Ｐ原子的掺杂剂，在Ｐ型（１００） 单晶硅（ｃ－ Ｓｉ） 衬底上，成功地生长了掺Ｐ的纳米硅膜（ｎｃ－ Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ） 膜。通过对膜层结构的Ｒａｍａｎ 谱分析和高分辨率电子显微镜（ＨＲＥＭ） 观测指出：与本征ｎｃ－ Ｓｉ：Ｈ 膜相比，ｎｃ－ Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ 膜中的Ｓｉ 微晶粒尺寸更小（～３ ｎｍ） ，其排布更有秩序，呈现出类自组织生长的一些特点。膜层电学特性的研究证实，ｎｃ－ Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ 膜具有比本征ｎｃ－ Ｓｉ：Ｈ 膜约高两个数量级的电导率，其σ值可高达１０－ １ ～１０１ Ω－１ｃｍ －１ 。这种高电导率来源于ｎｃ－ Ｓｉ（Ｐ）： Ｈ 膜中有效电子浓度ｎｅ 的增加、Ｓｉ 微晶粒尺寸ｄ 的减小和电导激活能ΔＥ的降低。 展开更多

关键词 显微结构 电导率 氢化 纳米硅 薄膜 PECVD

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氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展

19

作者 韦文生 王天民 王聪 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第2期37-39,共3页

氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣。简单地综述了国内外有关nc-Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件... 氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣。简单地综述了国内外有关nc-Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件等方面的研究工作。 展开更多

关键词 氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜 光电性质 量子功能器件 电导率 制备 发光机理 结构 光致发光 电致发光 光学性质

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Nc-Si∶H薄膜器件的研究

20

作者 韦文生 徐刚毅 +1 位作者 王天民 张春熹 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第1期76-79,共4页

介绍了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si∶H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的... 介绍了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si∶H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点。 展开更多

关键词 Nc-Si:H薄膜 氢化纳米硅薄膜 电子学器件 光电转换器件 化学稳定性

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