-
题名In_2O_3:W薄膜的制备及光电性能研究
被引量：5
- 1
-
-
作者
李渊
王文文
张俊英
-
机构
北京航空航天大学物理科学与核能工程学院材料物理与化学研究中心
-
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期1457-1460,共4页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(50902006)
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA03Z428)
+1 种基金
霍英东教育基金资助项目(111050)
航天科技创新基金资助项目(CASC200906)
-
文摘
采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和光电性能的影响。结果表明薄膜的表面形貌与其光电性能有着紧密联系。氧分压显著影响薄膜的表面形貌进而对薄膜的光电性能产生影响,同时溅射时间的变化也显著影响薄膜的光电性能:随着氧分压以及溅射时间的升高,薄膜的电阻率均呈现先减小后增大的变化规律,在氧分压为2.4×10-1Pa条件下,制备样品的表面晶粒排布最细密,其电阻率达到6.3×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.9×1020cm-3,载流子迁移率为34cm2/(V.s),可见光平均透射率约为85%,近红外光平均透射率>80%。
-
关键词
In2O3∶W薄膜
直流磁控溅射
氧分压
溅射时间
表面形貌
光电性能
-
Keywords
In2O3∶W films
DC magnetron sputtering
oxygen partial pressure
sputtering time
surface morphology
photoelectric properties
-
分类号
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名氧化铋薄膜的制备及光催化性能研究
被引量：5
- 2
-
-
作者
王留刚
张俊英
李春芝
杨靖安
-
机构
北京航空航天大学物理科学与核能工程学院材料物理与化学研究中心
-
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期355-358,共4页
-
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA03Z428)
-
文摘
采用磁控溅射制备了氧化铋薄膜,研究了制备工艺对薄膜的结构、微观形貌和光学性能的影响,并对样品进行了光催化性能评价。结果表明,氧氩比和退火温度显著影响薄膜的性能。当氧氩比为20:80时获得的薄膜具有最佳光催化性能;随退火温度升高,薄膜结晶性增强,并逐渐出现Bi和Si的氧化物,经500℃退火的薄膜具有最强的光催化活性。
-
关键词
氧化铋
磁控溅射
氧氩比
热处理
光催化
-
Keywords
bismuth oxide
DC sputtering
ratio of O2 to Ar
thermal treatment
photocatalysis
-
分类号
O612.5
[理学—无机化学]
O484
[理学—固体物理]
-
