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NiTi合金生物医用材料表面改性的研究进展 被引量:7
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作者 郝维昌 董平 +1 位作者 苏向东 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期90-92,105,共4页
NiTi形状记忆合金作为重要的生物医用材料已经获得了广泛的应用,但Ni离子在人体环境中的释放引起了人们的忧虑。系统介绍了近年来表面改性提高NiTi合金生物相容性的主要方法、技术特点和优势。在众多的研究方法中,热氧化和自组装方法因... NiTi形状记忆合金作为重要的生物医用材料已经获得了广泛的应用,但Ni离子在人体环境中的释放引起了人们的忧虑。系统介绍了近年来表面改性提高NiTi合金生物相容性的主要方法、技术特点和优势。在众多的研究方法中,热氧化和自组装方法因具有工艺简单、成本低等优点而最具工业应用前景。有关NiTi合金表面涂层与细胞和血液的相互作用机理的研究亟待加强,微观方面应重视基因水平的评价,宏观方面应加强活体植入的研究。研究机构应与产业界密切配合,进一步推动相关涂层的产业化进程。 展开更多
关键词 NITI合金 表面改性 生物活性
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硅基纳米材料发光特性的研究进展 被引量:11
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作者 彭英才 何宇亮 《量子电子学报》 CAS CSCD 1999年第1期1-8,共8页
近年,硅基低维材料物理与工艺的研究预示,硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向,而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格,量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术... 近年,硅基低维材料物理与工艺的研究预示,硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向,而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格,量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展,硅基发光材料正向纳米方向开拓。 展开更多
关键词 硅基纳米材料 光致发光 电致发光 发光机制
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生态环境材料——材料及其产业可持续发展的方向 被引量:6
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作者 王天民 郝维昌 +1 位作者 王莹 周和敏 《中国材料进展》 CAS CSCD 2011年第8期8-16,49,共9页
阐述了生态环境材料的概念与内涵,发展的动向和取得的主要进展,指出生态环境材料和传统材料的生态化改造是今后材料及其产业可持续发展的方向。材料是保证循环经济、低碳经济得以发展的物质基础,而生态设计则是实现材料和产品生态化改... 阐述了生态环境材料的概念与内涵,发展的动向和取得的主要进展,指出生态环境材料和传统材料的生态化改造是今后材料及其产业可持续发展的方向。材料是保证循环经济、低碳经济得以发展的物质基础,而生态设计则是实现材料和产品生态化改造和持续发展的指导思想。LCA(Life Cycle Assessment)是评价材料及其产业可持续发展进程的有力工具。生态环境材料是一种与原有的材料相比较而产生、相比较而发展的新型材料,其判断和认知往往是相对的、动态的和不断发展的。当普遍地把环境协调性作为所有材料必须具备的属性之一时,生态环境材料的提法也就失去了其单独存在的意义:材料即为生态环境材料,这正是材料所追求的长远目标。 展开更多
关键词 生态环境材料 生态设计 循环经济 低碳经济 生命周期评价
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资源、环境与材料的可持续发展 被引量:3
4
作者 郝维昌 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-3,共3页
材料产业是资源(能源)消耗和污染排放的主要责任者之一,并由此产生了深刻的生态环境问题。从我国资源状况以及材料产业的发展现状出发,深入分析了材料产业面临的资源(能源)和环境压力,在此基础上提出了解决这些问题的一些基本原则。
关键词 资源 环境 材料 生态环境材料 可持续发展
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不同晶型Bi_2O_3可见光光催化降解罗丹明B的研究 被引量:33
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作者 邹文 郝维昌 +1 位作者 信心 王天民 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1971-1976,共6页
采用化学沉淀法制备了α、β、γ3种晶体结构的Bi2O3光催化剂。利用XRD、TEM、氮气吸附、TG-DSC、紫外-可见漫反射光谱对样品的晶体结构、微观形貌、光学吸收特性进行了表征,并以罗丹明B(RhB)作为模型污染物,研究了不同的粉体光催化... 采用化学沉淀法制备了α、β、γ3种晶体结构的Bi2O3光催化剂。利用XRD、TEM、氮气吸附、TG-DSC、紫外-可见漫反射光谱对样品的晶体结构、微观形貌、光学吸收特性进行了表征,并以罗丹明B(RhB)作为模型污染物,研究了不同的粉体光催化剂在可见光(λ〉420 nm)照射下的光催化能力。结果表明:制备的α-Bi2O3为长3μm、宽1μm的板条状颗粒,带隙为2.84 eV;β-Bi2O3为粒径约150 nm的不规则颗粒,带隙为2.75 eV;γ-Bi2O3为直径6 nm、长度150~200 nm的纳米管,带隙为2.68 eV。在可见光照射下Bi2O3光催化降解RhB的活性如下:γ-Bi2O3〉β-Bi2O3〉α-Bi2O3,其中γ-Bi2O3在辐照60 min后对罗丹明B的脱色率可达97%以上。 展开更多
关键词 BI2O3 可见光 光催化 纳米管
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磁性絮凝剂的原位共沉淀合成及其在煤泥水处理中的应用 被引量:15
6
作者 李建军 朱金波 +3 位作者 李蒙蒙 闵凡飞 张靖 郝维昌 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1712-1716,共5页
为了使絮凝剂具有磁性,从而可通过磁絮凝方法处理污水,通过将聚丙烯酰胺(polyacrylamide,PAM)高分子絮凝剂在铁盐溶液中溶胀-原位共沉淀的方法制备了含铁PAM复合絮凝剂,利用多种表征手段对复合絮凝剂的结构及磁性进行了系统分析.研究表... 为了使絮凝剂具有磁性,从而可通过磁絮凝方法处理污水,通过将聚丙烯酰胺(polyacrylamide,PAM)高分子絮凝剂在铁盐溶液中溶胀-原位共沉淀的方法制备了含铁PAM复合絮凝剂,利用多种表征手段对复合絮凝剂的结构及磁性进行了系统分析.研究表明:复合絮凝剂中磁性物主要以Fe3O4磁铁矿的形态较均匀地分布于PAM的高分子结构中,平均粒径8~18 nm;复合絮凝剂在室温下具有超顺磁性,其最高比饱和磁化强度可达9.21×10-3A·m2/g.磁性絮凝剂除具有稳定的磁性外,还保持了较好的絮凝特性,将其应用于煤泥水的絮凝沉降过程中,可通过外磁分离技术实现煤泥絮团的高效沉降. 展开更多
关键词 磁性絮凝剂 原位共沉淀 磁絮凝 煤泥水处理
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核壳结构镍的制备及催化性能 被引量:7
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作者 郝维昌 翟亭亭 +1 位作者 王旭 王天民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1213-1217,共5页
利用软化学方法制备出了聚苯乙烯(PS)镍/核壳结构和纳米镍催化剂,并利用SEM和XRD对材料的形貌和结构进行了表征.将上述催化剂应用于亚甲基蓝染料加氢反应,一步实现染料褪色和硼氢化钠水解制氢.研究结果表明,核壳结构极大地提高了镍的催... 利用软化学方法制备出了聚苯乙烯(PS)镍/核壳结构和纳米镍催化剂,并利用SEM和XRD对材料的形貌和结构进行了表征.将上述催化剂应用于亚甲基蓝染料加氢反应,一步实现染料褪色和硼氢化钠水解制氢.研究结果表明,核壳结构极大地提高了镍的催化能力.在相同条件下,核壳结构镍的加氢催化效率是纳米镍的1.42倍,产氢效率是纳米镍的4.76倍,这说明核壳结构在催化领域具有一定的优势. 展开更多
关键词 核壳结构 镍催化剂 染料脱色 产氢
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CeO_2掺杂TiO_2催化剂薄膜的制备与表征 被引量:4
8
作者 郑树凯 潘锋 +3 位作者 王金良 郝维昌 张俊英 王天民 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期22-24,共3页
以 Ar为工作气体 ,O2 为反应气体 ,利用射频磁控溅射技术成功地在载玻片上沉积了透明 Ti O2 催化剂薄膜。同时利用共溅射技术制备了掺杂 Ce O2 的 Ti O2 催化剂薄膜。采用 X射线衍射 (XRD)、Raman光谱、UV- VIS- NIR分光光度计、原子力... 以 Ar为工作气体 ,O2 为反应气体 ,利用射频磁控溅射技术成功地在载玻片上沉积了透明 Ti O2 催化剂薄膜。同时利用共溅射技术制备了掺杂 Ce O2 的 Ti O2 催化剂薄膜。采用 X射线衍射 (XRD)、Raman光谱、UV- VIS- NIR分光光度计、原子力显微镜 (AFM) 展开更多
关键词 TIO2 薄膜 CEO2 掺杂 共溅射
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纳米硅薄膜的拉曼谱研究 被引量:5
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作者 徐刚毅 王天民 王金良 《兰州大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期47-53,共7页
通过等离子增强化学汽相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si∶ H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜拉曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X-射线... 通过等离子增强化学汽相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si∶ H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜拉曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X-射线衍射和透射电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺雨减小或掺杂浓度增加 ,拉曼谱中 TA,LA振动模的相对散射强度增加 . 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 拉曼谱 声子限制模型 半导体材料
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高酸值松香的加氢工艺研究及产物性能探讨 被引量:2
10
作者 熊常健 吴彦肖 +1 位作者 朱岳麟 石磊 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期982-986,共5页
高酸值松香在高温高压条件下进行加氢反应,使分子内碳-碳双键饱和,得到稳定的工业化产品.以Pd/C为催化剂,研究了不同加氢工艺条件对产物性能的影响,得到最佳加氢反应条件:加氢反应压力5 MPa,反应温度200℃,反应时间2 h,催化剂用量0.3%.... 高酸值松香在高温高压条件下进行加氢反应,使分子内碳-碳双键饱和,得到稳定的工业化产品.以Pd/C为催化剂,研究了不同加氢工艺条件对产物性能的影响,得到最佳加氢反应条件:加氢反应压力5 MPa,反应温度200℃,反应时间2 h,催化剂用量0.3%.采用红外光谱法对加氢前后高酸值松香的结构进行了表征,并通过氧化性实验等方法对加氢效果进行评价.结果表明:在此条件下加氢,产物碳碳双键含量减少,其综合性能特别是高温耐氧化性得到了显著提高. 展开更多
关键词 高酸值松香 加氢 耐氧化性
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氧化锌纳米棒有序阵列的制备及表征 被引量:2
11
作者 俞有幸 郝维昌 +2 位作者 杜轶 王春忠 王天民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1370-1372,1376,共4页
  氧化锌是一种重要的化合物半导体,其低维结构在微电子器件领域具有潜在的应用前景。在温和的条件下利用软化学方法在沉积了单层ZnO颗粒膜的玻璃衬底上制备了直径为70~300nm,长约1μm的氧化锌纳米棒有序阵列,讨论了颗粒膜对阵列生...   氧化锌是一种重要的化合物半导体,其低维结构在微电子器件领域具有潜在的应用前景。在温和的条件下利用软化学方法在沉积了单层ZnO颗粒膜的玻璃衬底上制备了直径为70~300nm,长约1μm的氧化锌纳米棒有序阵列,讨论了颗粒膜对阵列生长的作用以及水浴温度对晶体结构和形貌的影响。结果表明,产物为纤锌矿结构;ZnO颗粒膜为阵列的生长提供了分布均匀且固定的形核中心,对阵列的有序生长起诱导作用;随着反应温度的升高,阵列直径变小且排列更加有序,但过高的温度会抑制ZnO晶体内部的c轴择优取向作用。研究了ZnO阵列的光致发光特性,初步讨论了其发光机理。 展开更多
关键词 氧化锌 有序阵列 光致发光
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Ge_(1-x)C_x薄膜的制备及红外特性的研究 被引量:1
12
作者 吴小文 张维佳 +1 位作者 钟立志 黄浩 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期53-57,共5页
利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备出Ge1-xCx薄膜,并系统地研究了工艺参数对薄膜成分的影响,以及不同组分Ge1-xCx薄膜的红外光学特性.结果表明,薄膜中的C含量随着CH4/GeH4气体流量比的增大而增大;薄膜的红外折射率随组分的不同在2... 利用等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备出Ge1-xCx薄膜,并系统地研究了工艺参数对薄膜成分的影响,以及不同组分Ge1-xCx薄膜的红外光学特性.结果表明,薄膜中的C含量随着CH4/GeH4气体流量比的增大而增大;薄膜的红外折射率随组分的不同在2~4范围内变化;薄膜的沉积速率随射频功率增大而增大,但当功率达到60 W以后其变化不明显;沉积速率随温度的增加而减少;该薄膜具有透长波红外的性能. 展开更多
关键词 Ge1-xCx薄膜 PECVD 红外特性 沉积速率
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PECVD生长nc-Si:H膜的掺杂特性研究 被引量:1
13
作者 彭英才 刘明 何宇亮 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第3期233-237,共5页
采用常规PECVD工艺,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源,以PH3 作为P原子的掺杂剂,在P型(100) 单晶硅(c- Si) 衬底上,成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc- Si(P):H) 膜。通过对膜层结构的Ram... 采用常规PECVD工艺,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源,以PH3 作为P原子的掺杂剂,在P型(100) 单晶硅(c- Si) 衬底上,成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc- Si(P):H) 膜。通过对膜层结构的Raman 谱分析和高分辨率电子显微镜(HREM) 观测指出:与本征nc- Si:H 膜相比,nc- Si(P):H 膜中的Si 微晶粒尺寸更小(~3 nm) ,其排布更有秩序,呈现出类自组织生长的一些特点。膜层电学特性的研究证实,nc- Si(P):H 膜具有比本征nc- Si:H 膜约高两个数量级的电导率,其σ值可高达10- 1 ~101 Ω-1cm -1 。这种高电导率来源于nc- Si(P): H 膜中有效电子浓度ne 的增加、Si 微晶粒尺寸d 的减小和电导激活能ΔE的降低。 展开更多
关键词 显微结构 电导率 氢化 纳米硅 薄膜 PECVD
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田口方法在蓄能发光陶瓷制造工艺中的应用 被引量:1
14
作者 葛琦 张俊英 +1 位作者 王天民 肖诗唐 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期28-31,共4页
应用一种先进质量管理理论"田口方法",对一种新型建筑装饰材料蓄能发光陶瓷的制造工艺进行优化设计和质量控制,获得了较高稳定性的制造工艺过程,其中施釉方式和釉料种类的选取减小了围绕平均值的波动,其他因素的优化选择则降... 应用一种先进质量管理理论"田口方法",对一种新型建筑装饰材料蓄能发光陶瓷的制造工艺进行优化设计和质量控制,获得了较高稳定性的制造工艺过程,其中施釉方式和釉料种类的选取减小了围绕平均值的波动,其他因素的优化选择则降低了产品成本,证明了该方法的有效性。 展开更多
关键词 田口方法 蓄光 质量管理
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静电自组装制备低维纳米结构的最新进展
15
作者 郝维昌 潘锋 王天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F05期5-7,11,共4页
静电自组装技术是一种能够方便地实现低维纳米结构组装的新工艺。由于其具有工艺简单、所得体系热力学稳定性好等优点而受到众多研究小组的重视。详细介绍了静电自组装成膜驱动力的研究结果和近10年来取得的重要进展,并对静电自组装工... 静电自组装技术是一种能够方便地实现低维纳米结构组装的新工艺。由于其具有工艺简单、所得体系热力学稳定性好等优点而受到众多研究小组的重视。详细介绍了静电自组装成膜驱动力的研究结果和近10年来取得的重要进展,并对静电自组装工艺的优缺点进行了评述。 展开更多
关键词 静电自组装 成膜驱动力 复合膜 低维结构
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不同制备条件对Zn_2SiO_4∶Mn^(2+)粉末发光性能的影响 被引量:5
16
作者 谢晶 万辉 +2 位作者 张俊英 丛亮 张巍巍 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期973-978,共6页
利用溶胶-凝胶法制备了Zn2SiO4∶Mn2+粉末,探讨了体系pH值、热处理温度、煅烧气氛对材料结构和发光性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等分析手段对Zn2SiO4∶Mn2+粉末的结构、颗粒大小、形貌、发光... 利用溶胶-凝胶法制备了Zn2SiO4∶Mn2+粉末,探讨了体系pH值、热处理温度、煅烧气氛对材料结构和发光性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等分析手段对Zn2SiO4∶Mn2+粉末的结构、颗粒大小、形貌、发光性能进行了表征。结果表明:溶胶的pH值影响制备的粉体的结晶性和颗粒大小,当溶胶pH值为4.34时,体系水解缩聚反应充分,所得荧光粉的光致发光强度最强;煅烧气氛显著影响荧光粉的发光强度,前驱体在N2(90%)+H2(10%)的还原气氛下煅烧得到的发光粉发光强度最强;最佳热处理温度为900℃。 展开更多
关键词 Zn2SiO4:Mn^2+ 溶胶-凝胶 PH值 煅烧气氛 光致发光
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CBP有机薄膜对MEH-PPV聚合物发光二极管性能的影响 被引量:4
17
作者 万晖 李博 +2 位作者 孙三春 魏斌 张俊英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期162-166,共5页
以聚合物发光材料MEH-PPV为发光层的聚合物发光二极管的ITO阳极与发光层之间,加入一层溶解于氯仿中的有机小分子CBP,能显著改善发光器件的电流特性。在电压较低的时候能提高电流,在电压较高的时候能抑制电流,从而增加工作电压范围。此外... 以聚合物发光材料MEH-PPV为发光层的聚合物发光二极管的ITO阳极与发光层之间,加入一层溶解于氯仿中的有机小分子CBP,能显著改善发光器件的电流特性。在电压较低的时候能提高电流,在电压较高的时候能抑制电流,从而增加工作电压范围。此外,器件的电流效率也能得到显著的提高。实验结果表明,加入CBP层后,在低电压时,CBP层能够减缓空穴注入到发光层中,将其限制在CBP层,从而在器件中形成一个内电场,有助于电子的传输,降低开启电压,提高发光亮度。在电压较高时,CBP作为电子阻挡层,能阻挡电子漏泄到阳极,从而使在复合区的空穴与少数载流子电子的复合效率提高,改善器件的性能。 展开更多
关键词 CBP MEH-PPV 聚合物发光二极管 电流效率
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氯化物前驱体提拉制备ITO薄膜
18
作者 张鲁玉 刁训刚 +2 位作者 郝雷 张金伟 马荣 《有色金属》 CSCD 北大核心 2009年第4期51-55,共5页
以InC l3.4H2O和SnC l4.5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在S iO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜。采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱... 以InC l3.4H2O和SnC l4.5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在S iO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜。采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱特性。结果表明,薄膜的方块电阻与Sn掺杂量、提拉次数及热处理温度均有关。得到的最佳参数为Sn掺杂量10%(摩尔比)、5次提拉并干燥、500℃热处理1h(炉外空冷)。制得的最佳ITO薄膜方阻为240Ω/□,可见光平均透过率大于90%。 展开更多
关键词 关键词:无机非金属材料 ITO膜 溶胶凝胶 提拉法 透明 导电
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