设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关。与驱动电压高达几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路。开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗。分析了工作...设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关。与驱动电压高达几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路。开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗。分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试。结果表明,开关样机在DC^3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 d B,隔离度大于40 d B。展开更多
设计了一种Ka波段多通道波导开关,用于满足高频段多通道的微波信号切换要求。文中提出了一种低驻波、高隔离度的微波参数优化方法,即在传统的轴向扼流基础上,增加了圆周方向扼流及轴向极化扼流,极大地提高了波导开关的微波性能。波导开...设计了一种Ka波段多通道波导开关,用于满足高频段多通道的微波信号切换要求。文中提出了一种低驻波、高隔离度的微波参数优化方法,即在传统的轴向扼流基础上,增加了圆周方向扼流及轴向极化扼流,极大地提高了波导开关的微波性能。波导开关经过了相关理论计算,通过HFSS仿真软件进行建模和优化设计,以及实物试制测试。实测表明:这种多通道波导开关在Ka频段(36.5 GHz^40 GHz)下电压驻波比<1.10,插入损耗<0.14 d B,隔离度>70 d B,与设计相符。展开更多
文摘设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关。与驱动电压高达几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路。开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗。分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试。结果表明,开关样机在DC^3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 d B,隔离度大于40 d B。
文摘设计了一种Ka波段多通道波导开关,用于满足高频段多通道的微波信号切换要求。文中提出了一种低驻波、高隔离度的微波参数优化方法,即在传统的轴向扼流基础上,增加了圆周方向扼流及轴向极化扼流,极大地提高了波导开关的微波性能。波导开关经过了相关理论计算,通过HFSS仿真软件进行建模和优化设计,以及实物试制测试。实测表明:这种多通道波导开关在Ka频段(36.5 GHz^40 GHz)下电压驻波比<1.10,插入损耗<0.14 d B,隔离度>70 d B,与设计相符。
