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n型SnS热电材料的制备与性能研究 被引量：3
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作者 黄志成 姚瑶 +4 位作者 裴俊 董金峰 张波萍 李敬锋 尚鹏鹏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期321-327,共7页
SnS由低毒、廉价、高丰度的元素组成,在热电研究领域受到广泛关注。采用机械合金化(MA)结合放电等离子烧结(SPS)工艺制备了n型SnS_(1-x)Cl_x(x=0,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06)多晶块体热电样品,并研究了Cl^-掺杂量对SnS物相、微观结构以... SnS由低毒、廉价、高丰度的元素组成,在热电研究领域受到广泛关注。采用机械合金化(MA)结合放电等离子烧结(SPS)工艺制备了n型SnS_(1-x)Cl_x(x=0,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06)多晶块体热电样品,并研究了Cl^-掺杂量对SnS物相、微观结构以及电热输运性能的影响。结果表明:Cl^-的引入会提高电子浓度,使SnS由本征p型转变为n型半导体。随着Cl^-掺杂量的增加,n型SnS半导体室温下的霍尔载流子浓度从6.31×10^(14) cm^(-3)(x=0.03)增加到7.27×10^(15 )cm^(-3)(x=0.06)。x=0.05样品在823 K取得最大的电导率为408 S·m^(-1),同时具有较高的泽贝克系数为-553μV?K^(-1),使其获得最大功率因子为1.2μW·cm^(-1)·K^(-2)。Cl^-的掺入会引入点缺陷,散射声子,使晶格热导率κ_(lat)由0.67 W·m^(-1)·K^(-1)(x=0)降至0.5 W·m^(-1)·K^(-1)(x=0.02)。x=0.04样品在823 K获得了最大ZT为0.17,相比于x=0样品(ZT～0.1)提高了70%。 展开更多
关键词 SNS Cl掺杂 N型半导体 热电性能
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