检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

高洁净微合金钢变形抗力的研究被引量：2: 1; 作者康永林王艳丽 +2 位作者张艳柳得橹傅杰《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期242-244,共3页; 利用 Gleeble- 1 5 0 0材料热 /力模拟机研究了高洁净微合金钢的变形抗力规律 ,讨论了不同形变温度对金属流变特性的影响并与两种工业钢X6 0 (管道用钢 )和 XTE3 5 5 (大桥用钢 )进行了比较。变形抗力实验在 72 0～1 1 0 0℃进行 ,实验... 展开更多; 关键词高洁净微合金钢变形能力形变温度变形量; 在线阅读下载PDF 职称材料

NiFe/IrMn多层膜制备及MgO掺杂研究被引量：2: 2; 作者李明华游顺青 +3 位作者刘洋陈喜董跃刚于广华《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1503-1505,共3页; 采用磁控溅射制备了Ta/NiFe/IrMn/Ta薄膜,研究了反铁磁IrMn的溅射功率和铁磁层NiFe厚度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁IrMn中插入MgO,发现MgO含量对交换偏置场有一定影响。随着MgO含量的增加,多层膜的交换偏置场逐渐增大,当MgO的... 展开更多; 关键词 MGO 掺杂交换偏置场; 在线阅读下载PDF 职称材料

NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究被引量：2: 3; 作者李明华李伟 +1 位作者滕蛟于广华《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期2630-2632,共3页; 采用磁控溅射制备了NiFeCr(4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD结果表明,薄膜不仅具有很强的... 展开更多; 关键词 MGO NiFeCr 各向异性磁电阻退火; 在线阅读下载PDF 职称材料

交换耦合双层膜PtMn/Co的微观结构和磁性: 4; 作者郑小兰顾有松 +2 位作者张跃展晓元李建民《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期210-213,共4页; 采用磁控溅射法在Si(100)基片上沉积了PtMn/Co双层膜,研究退火温度与样品微结构以及磁性的关系,发现退火温度越高,反铁磁性PtMn层由fcc非磁性相向fct反铁磁性相转变越充分,交换偏置场值Hex越高。同时,随着退火温度的升高,反铁磁层的晶... 展开更多; 关键词交换偏置场热处理工艺相转变磁性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高洁净微合金钢变形抗力的研究被引量：2: 1; 作者康永林王艳丽张艳柳得橹傅杰; 机构北京科技大学金属压力加工系北京科技大学北京科技大学金属压力加工系北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京科技大学材料学院材料物理与化学系北京科技大学冶金学院电冶所; 出处《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期242-244,共3页; 基金国家"973"重大基础研究资助项目 ( G19980 6 15 0 0 ); 文摘利用 Gleeble- 1 5 0 0材料热 /力模拟机研究了高洁净微合金钢的变形抗力规律 ,讨论了不同形变温度对金属流变特性的影响并与两种工业钢X6 0 (管道用钢 )和 XTE3 5 5 (大桥用钢 )进行了比较。变形抗力实验在 72 0～1 1 0 0℃进行 ,实验表明 ,随着变形温度的降低 ,金属的流变应力明显升高 ;在低温区变形时 (72 0～ 780℃ ) ,高洁净钢的变形抗力与两种工业钢无明显差别 ;相同变形温度条件下 ,变形量增大时高洁净钢的变形抗力增加程度比两种工业钢小。; 关键词高洁净微合金钢变形能力形变温度变形量; Keywords micro-alloying clean steel strain resistance deformation temperature reduction; 分类号 TG142.33 [金属学及工艺—金属材料]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NiFe/IrMn多层膜制备及MgO掺杂研究被引量：2: 2; 作者李明华游顺青刘洋陈喜董跃刚于广华; 机构北京科技大学材料学院材料物理与化学系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1503-1505,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(51101012 50971021 +2 种基金 50901007 50871014) 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(200800081030); 文摘采用磁控溅射制备了Ta/NiFe/IrMn/Ta薄膜,研究了反铁磁IrMn的溅射功率和铁磁层NiFe厚度对多层膜交换偏置场的影响。在反铁磁IrMn中插入MgO,发现MgO含量对交换偏置场有一定影响。随着MgO含量的增加,多层膜的交换偏置场逐渐增大,当MgO的含量约为2.5%交换偏置场达到最大值。随着MgO含量进一步增加交换偏置场下降。在IrMn中插入适量的MgO可以有效地增加交换偏置场。; 关键词 MGO 掺杂交换偏置场; Keywords MgO doping exchange bias field; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究被引量：2: 3; 作者李明华李伟滕蛟于广华; 机构北京科技大学材料学院材料物理与化学系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期2630-2632,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(51101012 50971021) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(FRF-SD-12-011A); 文摘采用磁控溅射制备了NiFeCr(4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD结果表明,薄膜不仅具有很强的NiFe(111)织构,同时还出现了MgO的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。; 关键词 MGO NiFeCr 各向异性磁电阻退火; Keywords MgO NiFeCr the anisotropic magnetoresistance annealing; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名交换耦合双层膜PtMn/Co的微观结构和磁性: 4; 作者郑小兰顾有松张跃展晓元李建民; 机构北京科技大学材料学院材料物理与化学系; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期210-213,共4页; 基金国家自然科学基金重点项目(No.50232030) 国家杰出青年基金(No.50325209); 文摘采用磁控溅射法在Si(100)基片上沉积了PtMn/Co双层膜,研究退火温度与样品微结构以及磁性的关系,发现退火温度越高,反铁磁性PtMn层由fcc非磁性相向fct反铁磁性相转变越充分,交换偏置场值Hex越高。同时,随着退火温度的升高,反铁磁层的晶粒尺寸逐渐增大,交换偏置场Hex值随着反铁磁层晶粒尺寸的增大几乎呈线性增加。研究了交换偏置场与铁磁层、反铁磁层厚度的关系,结果表明,在250℃退火时Hex与PtMn厚度关系为有峰值的曲线,此退火温度下反铁磁层临界厚度为20 nm,最佳反铁磁层厚度为60 nm。还发现了交换偏置场Hex随着铁磁性Co层厚度的增大几乎呈线性降低,充分说明铁磁、反铁磁交换耦合作用是一种界面耦合效应。; 关键词交换偏置场热处理工艺相转变磁性能; Keywords Exchange biasing, Annealing condition, Phase transformation, Magnetic properties; 分类号 O484.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高洁净微合金钢变形抗力的研究	康永林王艳丽张艳柳得橹傅杰	《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	NiFe/IrMn多层膜制备及MgO掺杂研究	李明华游顺青刘洋陈喜董跃刚于广华	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究	李明华李伟滕蛟于广华	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	交换耦合双层膜PtMn/Co的微观结构和磁性	郑小兰顾有松张跃展晓元李建民	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料