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题名人工龋的病理变化与外环境中氢离子的关系
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作者
王勤
程绰约
王夔
黄欣
李珊
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机构
北京医科大学口腔医学研究所防龋研究室
北京医科大学药学院无机化学教研室
北京科技大学中心实验室
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出处
《北京医科大学学报》
CSCD
1989年第6期487-489,548,共3页
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文摘
本文以偏光显微镜和扫描电镜术观察不同人工龋条件下釉质病变的变化,结果表明,人工龋表层的形成是由于外环境中H^+浓度的增加。H^+渗入釉质内部后,使羟基磷灰石溶解,造成羟基磷灰石晶体间隙中钙、磷酸盐离子浓度上升,形成浓度梯度,随后离子向外扩散,沉积于釉质表层下方,形成新的表层。因此,外环境中H^+浓度是釉质脱矿与再矿化的主要推动力。
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关键词
人工龋
羟基磷灰石
龋齿
釉质
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分类号
R781.102
[医药卫生—口腔医学]
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