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功率晶体管背面金属化研究
被引量：
4
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作者
张利春
高玉芝
+2 位作者
宁宝俊
王阳元
赵忠礼
《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期87-95,共9页
本文对比研究了磁控溅射、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善大电流特性。特别是,间隙工作寿命试...
本文对比研究了磁控溅射、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善大电流特性。特别是,间隙工作寿命试验超过38000次以上,达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。
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关键词
功率晶体管
背面金属化
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职称材料
500A、1200V光控双向晶闸管的研制
2
作者
赵善麒
高鼎三
王正元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期54-60,共7页
本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究，研制成功的直径为４０ｍｍ，电流容量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶...
本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究，研制成功的直径为４０ｍｍ，电流容量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１５ｍＷ，动态峰值压降小于１．６Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．
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关键词
双向晶闸管
光控可控硅
LTTriac
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职称材料
题名
功率晶体管背面金属化研究
被引量：
4
1
作者
张利春
高玉芝
宁宝俊
王阳元
赵忠礼
机构
北京
大学微
电子
学
研究
所
北京电子电力新技术研究开发中心
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期87-95,共9页
文摘
本文对比研究了磁控溅射、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善大电流特性。特别是,间隙工作寿命试验超过38000次以上,达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。
关键词
功率晶体管
背面金属化
Keywords
Power transistor
Back metallization
Magneton sputtering
High reliability
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
500A、1200V光控双向晶闸管的研制
2
作者
赵善麒
高鼎三
王正元
机构
吉林大学
电子
工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期54-60,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究，研制成功的直径为４０ｍｍ，电流容量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１５ｍＷ，动态峰值压降小于１．６Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．
关键词
双向晶闸管
光控可控硅
LTTriac
Keywords
Light triggered triac
Light sensitive gate
Ligh triggering sensitivity
Commutating dv/dt capability
Commutating di/dt capability
分类号
TN342.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率晶体管背面金属化研究
张利春
高玉芝
宁宝俊
王阳元
赵忠礼
《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1993
4
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职称材料
2
500A、1200V光控双向晶闸管的研制
赵善麒
高鼎三
王正元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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