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应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究
被引量：
1
1
作者
段晓峰
刘海华
+1 位作者
徐秋霞
刘邦贵
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2007年第4期312-321,共10页
本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射...
本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。
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关键词
应变硅
金属氧化物半导体场效应晶体管
大角度会聚束电子衍射
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职称材料
题名
应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究
被引量：
1
1
作者
段晓峰
刘海华
徐秋霞
刘邦贵
机构
北京电子显微镜实验室中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室
中国科学院
微
电子
研究所
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2007年第4期312-321,共10页
基金
国家科技部项目资助(No.2001CB610502
No.G2000036504)
文摘
本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。
关键词
应变硅
金属氧化物半导体场效应晶体管
大角度会聚束电子衍射
Keywords
strained-silicon
metal-oxide-semiconductor field effect transistor
large-angle convergent-beam electron diffraction
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究
段晓峰
刘海华
徐秋霞
刘邦贵
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2007
1
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