-
题名球形和锥形加载单极子天线的宽带特性研究
被引量：10
- 1
-
-
作者
岳欣
康行健
费元春
-
机构
北京理工大学电子工程系微波电路实验室
-
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2000年第4期329-335,共7页
-
文摘
本文设计了两种新颖的旋转对称单极子宽带天线 ,其终端分别采用球形加载和锥形加载技术 ,母线运用圆滑曲线过渡避免天线半径导数的不连续 ,有效地改善了阻抗特性、展宽了频段。文中应用扩展矩量法进行理论分析和实际计算 ,比较了同一高度、相同锥角条件下两种天线和不同高度、相同锥角及同一高度、不同锥角条件下同种天线的驻波比和增益获得了超宽频带的良好特性 ,其理论计算与实验测量结果吻合较好 ,为工程设计提供了理论依据。
-
关键词
宽带天线
矩量法
单极子天线
球形
锥形
-
Keywords
Broadband, Ultra-broadband antenna, Antenna, Moment method
-
分类号
TN82
[电子电信—信息与通信工程]
-
-
题名硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究
被引量：1
- 2
-
-
作者
孟令琴
费元春
-
机构
总参第
北京理工大学电子工程系微波电路实验室
-
出处
《兵工学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期78-81,共4页
-
文摘
本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础 。
-
关键词
硅锗技术
无线射频
半导体技术
异质结双极晶体管
砷化镓场效应管
-
Keywords
semiconductor technique, GaAs field effect transistor, heterojunction bipolar transistor
-
分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名一种改善DDS频率上限与杂散电平的方法
- 3
-
-
作者
谭姝静
费元春
-
机构
北京理工大学电子工程系微波电路实验室
-
出处
《电讯技术》
北大核心
2001年第3期69-73,共5页
-
文摘
本文研究了利用晶体管倍频扩展DDS的频率上限的方法。在DDS原理分析的基础上 ,提出DDS倍频模块的设计方案 ,经过板图设计、安装和调试工作 ,得到 1 98～ 2 2 0MHzDDS倍频模块的最终测试结果 。
-
关键词
直接数字合成技术
杂散电平
频率上限
-
Keywords
Direct Digital Synthesize technique
Multiplexing
Spurious level
-
分类号
TN741
[电子电信—电路与系统]
-
