低温多晶硅氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)半导体混合集成显示技术是一种集成低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物半导体(MOS)的新型集成显示技术,旨在实现高性能和低功耗的显示解决方案。在LTPO集成工艺过程中,氢可能...低温多晶硅氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)半导体混合集成显示技术是一种集成低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物半导体(MOS)的新型集成显示技术,旨在实现高性能和低功耗的显示解决方案。在LTPO集成工艺过程中,氢可能从低温多晶硅层扩散到金属氧化物层,导致器件阈值电压漂移和稳定性恶化,影响显示产品性能。本文详细探讨了氢在LTPS和MOS器件中的存在差异以及氢对MOS器件的影响,总结了MOS器件两类氢阻挡方法:使用不同的介质层、离子掺杂工艺。此外,本文还整理了针对LTPO器件的氢阻挡方法,以提高LTPO器件的稳定性和可靠性。最后,对LTPO技术通过氢阻挡在高性能显示领域实现更广泛的应用进行了展望。展开更多
随着显示技术的不断发展,对高性能、高稳定性的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的需求日趋增加,通过结晶改善薄膜晶体管性能的方法受到大量关注。当前,铟镓锌氧化物(IGZO)材料由于具有迁移率高、柔性好、透明度高等优势,被广泛用...随着显示技术的不断发展,对高性能、高稳定性的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的需求日趋增加,通过结晶改善薄膜晶体管性能的方法受到大量关注。当前,铟镓锌氧化物(IGZO)材料由于具有迁移率高、柔性好、透明度高等优势,被广泛用于薄膜晶体管的沟道中,而改善IGZO沟道层的结晶形态也成为研究热点。本文总结了晶态IGZO薄膜晶体管器件的研究进展,详细介绍了IGZO系化合物的晶体结构,重点阐述了单晶、c轴取向结晶、六方多晶型、尖晶石型、纳米晶型和原生结晶型IGZO的结构和各晶态IGZO薄膜晶体管的制备方法、器件性能和稳定性,深入分析其微观结构,总结物理特性,阐述不同晶系结构的结晶机理,建立不同晶体结构与电学特性的关系,最后对晶态IGZO薄膜晶体管的发展进行展望。展开更多
文摘低温多晶硅氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)半导体混合集成显示技术是一种集成低温多晶硅(LTPS)和金属氧化物半导体(MOS)的新型集成显示技术,旨在实现高性能和低功耗的显示解决方案。在LTPO集成工艺过程中,氢可能从低温多晶硅层扩散到金属氧化物层,导致器件阈值电压漂移和稳定性恶化,影响显示产品性能。本文详细探讨了氢在LTPS和MOS器件中的存在差异以及氢对MOS器件的影响,总结了MOS器件两类氢阻挡方法:使用不同的介质层、离子掺杂工艺。此外,本文还整理了针对LTPO器件的氢阻挡方法,以提高LTPO器件的稳定性和可靠性。最后,对LTPO技术通过氢阻挡在高性能显示领域实现更广泛的应用进行了展望。
文摘有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术通过有机材料的自主发光,展现出广色域、低能耗、柔性化等优点,是最具发展潜力的显示技术之一。目前OLED显示仍存在寿命短、亮度低和可靠性差等问题,这些问题最终导致残像现象的发生,本文旨在分析和总结OLED显示残像问题的研究进展和相关解决方案。首先,阐释了OLED显示残像问题与OLED材料寿命和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)稳定性的关联,关注柔性与刚性OLED器件的结构差异,进一步总结、归纳了OLED残像的产生机制。其次,针对不同的残像诱发原因,讨论了缓解和补偿OLED显示残像的方法,包括提升OLED有机材料寿命和TFT阈值电压稳定性、外部补偿电路等方案。最后,对OLED显示残像问题的进一步解决办法进行了展望。
文摘随着显示技术的不断发展,对高性能、高稳定性的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的需求日趋增加,通过结晶改善薄膜晶体管性能的方法受到大量关注。当前,铟镓锌氧化物(IGZO)材料由于具有迁移率高、柔性好、透明度高等优势,被广泛用于薄膜晶体管的沟道中,而改善IGZO沟道层的结晶形态也成为研究热点。本文总结了晶态IGZO薄膜晶体管器件的研究进展,详细介绍了IGZO系化合物的晶体结构,重点阐述了单晶、c轴取向结晶、六方多晶型、尖晶石型、纳米晶型和原生结晶型IGZO的结构和各晶态IGZO薄膜晶体管的制备方法、器件性能和稳定性,深入分析其微观结构,总结物理特性,阐述不同晶系结构的结晶机理,建立不同晶体结构与电学特性的关系,最后对晶态IGZO薄膜晶体管的发展进行展望。
