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K波段双通道集成CMOS发射前端芯片设计
被引量:
1
1
作者
齐全文
仲顺安
+1 位作者
王征晨
李安安
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第5期509-513,共5页
采用TSMC90nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25GH...
采用TSMC90nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25GHz处,两个通道的增益分别为19.1dB和18.9dB,输出1dB压缩点分别为9.57dBm和8.41dBm,相位误差分别为1.38°和1.47°,供电电压为1.2V,总功耗为0.32W,芯片总面积为2.2mm×1.25mm.
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关键词
K波段
双通道
有源移相器
功率放大器
CMOS工艺
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职称材料
应用于K波段分数分频频率综合器的多模分频器设计与优化
被引量:
2
2
作者
王征晨
武照博
+1 位作者
齐全文
王兴华
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第11期1187-1191,共5页
基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计一款多模分频器,可以实现的分频比的范围为32~39.详细介绍了多模分频器的各部分模块,包括双模预定标器、S计数器和P计数器,分析并且讨论了P计数器加入与不加入重新定时电路的时序图.本文设计的分频器应用于...
基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计一款多模分频器,可以实现的分频比的范围为32~39.详细介绍了多模分频器的各部分模块,包括双模预定标器、S计数器和P计数器,分析并且讨论了P计数器加入与不加入重新定时电路的时序图.本文设计的分频器应用于K波段高速分数分频频率综合器.测试结果表明应用改进后的多模分频器,频率综合器的带内噪声可以优化15 dB,频偏10 kHz和频偏1 kHz的相位噪声可达到81.30 dBc/Hz和72.44 dBc/Hz.
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关键词
多模分频器
分数分频频率综合器
重新定时电路技术
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职称材料
K波段CMOS反射负载型无源移相器
3
作者
齐全文
王亦凡
王兴华
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期1190-1194,共5页
研究应用于K波段相控阵收发系统的差分反射负载型无源移相器的设计方法.基于TSMC 90nm CMOS工艺实现了一个5bit移相器,其反射负载由电感和变容二极管并联组成.测试结果表明,该移相器的移相误差在23~25GHz频带内小于6°,在22~26GHz...
研究应用于K波段相控阵收发系统的差分反射负载型无源移相器的设计方法.基于TSMC 90nm CMOS工艺实现了一个5bit移相器,其反射负载由电感和变容二极管并联组成.测试结果表明,该移相器的移相误差在23~25GHz频带内小于6°,在22~26GHz频带内小于15°.又基于相同工艺提出了一个改进的6bit移相器,采用品质因数相对较高的叉指电容阵列替代传统的变容二极管,通过开关控制实现电容值的改变.仿真结果表明,改进版移相器的移相误差在23~25GHz频带内小于4°,在22~26GHz频带内小于8°.
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关键词
K波段
反射负载
变容二极管
叉指电容阵列
CMOS工艺
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职称材料
题名
K波段双通道集成CMOS发射前端芯片设计
被引量:
1
1
作者
齐全文
仲顺安
王征晨
李安安
机构
北京理工大学信息与电子学院北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第5期509-513,共5页
基金
国家高等学校学科创新引智计划资助项目(B14010)
文摘
采用TSMC90nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25GHz处,两个通道的增益分别为19.1dB和18.9dB,输出1dB压缩点分别为9.57dBm和8.41dBm,相位误差分别为1.38°和1.47°,供电电压为1.2V,总功耗为0.32W,芯片总面积为2.2mm×1.25mm.
关键词
K波段
双通道
有源移相器
功率放大器
CMOS工艺
Keywords
K-band
two-channel
active phase shifter
power amplifier
CMOS technology
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
应用于K波段分数分频频率综合器的多模分频器设计与优化
被引量:
2
2
作者
王征晨
武照博
齐全文
王兴华
机构
北京理工大学信息与电子学院北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第11期1187-1191,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61301006)
文摘
基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计一款多模分频器,可以实现的分频比的范围为32~39.详细介绍了多模分频器的各部分模块,包括双模预定标器、S计数器和P计数器,分析并且讨论了P计数器加入与不加入重新定时电路的时序图.本文设计的分频器应用于K波段高速分数分频频率综合器.测试结果表明应用改进后的多模分频器,频率综合器的带内噪声可以优化15 dB,频偏10 kHz和频偏1 kHz的相位噪声可达到81.30 dBc/Hz和72.44 dBc/Hz.
关键词
多模分频器
分数分频频率综合器
重新定时电路技术
Keywords
multi-modulus-divider
fractional-N frequency synthesizer
retime circuit technique
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
K波段CMOS反射负载型无源移相器
3
作者
齐全文
王亦凡
王兴华
机构
北京理工大学信息与电子学院北京市硅基高速片上系统工程技术研究中心
出处
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第11期1190-1194,共5页
基金
高等学校学科创新引智计划资助项目(B14010)
文摘
研究应用于K波段相控阵收发系统的差分反射负载型无源移相器的设计方法.基于TSMC 90nm CMOS工艺实现了一个5bit移相器,其反射负载由电感和变容二极管并联组成.测试结果表明,该移相器的移相误差在23~25GHz频带内小于6°,在22~26GHz频带内小于15°.又基于相同工艺提出了一个改进的6bit移相器,采用品质因数相对较高的叉指电容阵列替代传统的变容二极管,通过开关控制实现电容值的改变.仿真结果表明,改进版移相器的移相误差在23~25GHz频带内小于4°,在22~26GHz频带内小于8°.
关键词
K波段
反射负载
变容二极管
叉指电容阵列
CMOS工艺
Keywords
K-band
reflective load
varactor
MOM capacitor array
CMOS technology
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
K波段双通道集成CMOS发射前端芯片设计
齐全文
仲顺安
王征晨
李安安
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
应用于K波段分数分频频率综合器的多模分频器设计与优化
王征晨
武照博
齐全文
王兴华
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
K波段CMOS反射负载型无源移相器
齐全文
王亦凡
王兴华
《北京理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
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