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K波段双通道集成CMOS发射前端芯片设计 被引量:1
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作者 齐全文 仲顺安 +1 位作者 王征晨 李安安 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期509-513,共5页
采用TSMC90nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25GH... 采用TSMC90nm CMOS工艺,设计并实现了一款具有移相功能的K波段双通道集成发射前端芯片.该芯片主要由一个功率分配器、两组参数不同的有源移相器和功率放大器构成,同时在片上集成了用于控制移相器的数字模块.测试结果表明,在中心频点25GHz处,两个通道的增益分别为19.1dB和18.9dB,输出1dB压缩点分别为9.57dBm和8.41dBm,相位误差分别为1.38°和1.47°,供电电压为1.2V,总功耗为0.32W,芯片总面积为2.2mm×1.25mm. 展开更多
关键词 K波段 双通道 有源移相器 功率放大器 CMOS工艺
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应用于K波段分数分频频率综合器的多模分频器设计与优化 被引量:2
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作者 王征晨 武照博 +1 位作者 齐全文 王兴华 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1187-1191,共5页
基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计一款多模分频器,可以实现的分频比的范围为32~39.详细介绍了多模分频器的各部分模块,包括双模预定标器、S计数器和P计数器,分析并且讨论了P计数器加入与不加入重新定时电路的时序图.本文设计的分频器应用于... 基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计一款多模分频器,可以实现的分频比的范围为32~39.详细介绍了多模分频器的各部分模块,包括双模预定标器、S计数器和P计数器,分析并且讨论了P计数器加入与不加入重新定时电路的时序图.本文设计的分频器应用于K波段高速分数分频频率综合器.测试结果表明应用改进后的多模分频器,频率综合器的带内噪声可以优化15 dB,频偏10 kHz和频偏1 kHz的相位噪声可达到81.30 dBc/Hz和72.44 dBc/Hz. 展开更多
关键词 多模分频器 分数分频频率综合器 重新定时电路技术
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K波段CMOS反射负载型无源移相器
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作者 齐全文 王亦凡 王兴华 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1190-1194,共5页
研究应用于K波段相控阵收发系统的差分反射负载型无源移相器的设计方法.基于TSMC 90nm CMOS工艺实现了一个5bit移相器,其反射负载由电感和变容二极管并联组成.测试结果表明,该移相器的移相误差在23~25GHz频带内小于6°,在22~26GHz... 研究应用于K波段相控阵收发系统的差分反射负载型无源移相器的设计方法.基于TSMC 90nm CMOS工艺实现了一个5bit移相器,其反射负载由电感和变容二极管并联组成.测试结果表明,该移相器的移相误差在23~25GHz频带内小于6°,在22~26GHz频带内小于15°.又基于相同工艺提出了一个改进的6bit移相器,采用品质因数相对较高的叉指电容阵列替代传统的变容二极管,通过开关控制实现电容值的改变.仿真结果表明,改进版移相器的移相误差在23~25GHz频带内小于4°,在22~26GHz频带内小于8°. 展开更多
关键词 K波段 反射负载 变容二极管 叉指电容阵列 CMOS工艺
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