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HVPE异质外延GaN的函数控制方法研究
1
作者
杜彦浩
罗伟科
+5 位作者
吴洁君
John Goldsmith
韩彤
杨志坚
于彤军
张国义
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期371-375,共5页
提出新的生长控制方式"函数控制方法"并将其应用到HVPE异质外延GaN中。函数控制方法是指外延生长参数随时间按照特定函数变化来实现生长控制的方式。采用函数控制方法设计了两个实验方案,解决了HVPE获得GaN衬底面临的两个主...
提出新的生长控制方式"函数控制方法"并将其应用到HVPE异质外延GaN中。函数控制方法是指外延生长参数随时间按照特定函数变化来实现生长控制的方式。采用函数控制方法设计了两个实验方案,解决了HVPE获得GaN衬底面临的两个主要问题。1)异质外延高质量无裂纹GaN厚膜的实验方案:生长条件按照渐变函数变化保证了外延材料质量的稳定性和应力释放的均匀性,生长条件按照周期函数变化将材料的厚膜外延问题转化为薄膜外延问题。2)GaN厚膜的自分离实验方案:生长条件按照跃变函数变化实现了在外延材料特定位置形成弱连接层,生长条件按照渐变函数变化实现了弱连接层两侧出现较大应力差,这种应力差在生长结束后的降温过程中得到进一步放大,进而实现外延材料在弱连接层处的自分离。结合以上两个实验方案,成功获得无色透明表面平整光滑1 mm厚的高质量GaN衬底,证明了函数控制方法的有效性。借助于生长参数规律化的函数变化,函数控制方法建立了材料性质和数学函数之间的对应和联系,丰富和发展了材料的生长控制方式。
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关键词
GAN
异质外延
HVPE
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职称材料
题名
HVPE异质外延GaN的函数控制方法研究
1
作者
杜彦浩
罗伟科
吴洁君
John Goldsmith
韩彤
杨志坚
于彤军
张国义
机构
北京
大学物理学院宽禁带
半导体
研究
中心
北京燕园中镓半导体工程研发中心
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期371-375,共5页
文摘
提出新的生长控制方式"函数控制方法"并将其应用到HVPE异质外延GaN中。函数控制方法是指外延生长参数随时间按照特定函数变化来实现生长控制的方式。采用函数控制方法设计了两个实验方案,解决了HVPE获得GaN衬底面临的两个主要问题。1)异质外延高质量无裂纹GaN厚膜的实验方案:生长条件按照渐变函数变化保证了外延材料质量的稳定性和应力释放的均匀性,生长条件按照周期函数变化将材料的厚膜外延问题转化为薄膜外延问题。2)GaN厚膜的自分离实验方案:生长条件按照跃变函数变化实现了在外延材料特定位置形成弱连接层,生长条件按照渐变函数变化实现了弱连接层两侧出现较大应力差,这种应力差在生长结束后的降温过程中得到进一步放大,进而实现外延材料在弱连接层处的自分离。结合以上两个实验方案,成功获得无色透明表面平整光滑1 mm厚的高质量GaN衬底,证明了函数控制方法的有效性。借助于生长参数规律化的函数变化,函数控制方法建立了材料性质和数学函数之间的对应和联系,丰富和发展了材料的生长控制方式。
关键词
GAN
异质外延
HVPE
Keywords
GaN
heteroepitaxy
HVPE
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
HVPE异质外延GaN的函数控制方法研究
杜彦浩
罗伟科
吴洁君
John Goldsmith
韩彤
杨志坚
于彤军
张国义
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
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